臺積電是第一家將EUV(極紫外)光刻工藝商用到晶圓代工的企業,目前投產的工藝包括N7+、N6和N5三代。
其中N7+即第二代7nm,EUV總計4層。即便如此,這也相較于多重曝光也節省了時間,提高了芯片的生產效率。
不過,迭代到5nm后,EUV的層數達到了14層,包括但不限于觸點、過孔以及關鍵金屬層等過程。
而最快2022年投產的3nm,為了實現15%的性能提升、30%的功耗下降以及70%的密度增加,ASML(阿斯麥)透露,EUV將超過20層,也就是鰭片和柵極都要引入EUV切割掩模。
阿斯麥CEO Peter Wennink表示,EUV層數增加有很多好處,比如只需要單重曝光而不是DUV設備的多重曝光,對DRAM芯片同樣如此。
為此,臺積電將需要確保EUV光刻機的安裝數量,但他們顯得非常有信心。
責編AJX
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