本應用筆記提出了一種非隔離式LED驅動器的參考設計，該驅動器旨在直接從400VDC輸入進行操作。該設計以400mA驅動一串27個WLED（白色LED）或可選的6個琥珀色LED。拓撲是帶有變壓器的不連續(xù)反激。具有MAX16801 HB（高亮度）LED控制器。

簡要電路說明

該參考設計是用于離線環(huán)境（400VDC）的反激式LED驅動器。該設計可在400mA的電流下驅動27個WLED（白色LED）。安裝跳線J1后，該設計以400mA的電流驅動6個琥珀色LED。該設計使用MAX16801 HB LED控制器和一個三繞組變壓器（耦合電感器）。由于電流感應直接饋入IC控制環(huán)路，因此沒有電氣隔離。

變壓器的匝數(shù)比為18：6：1。初級電感為800μH，額定電流為750mA（峰值），占空比始終小于50％。

工作頻率為265kHz，并且不可調節(jié)。過壓保護（非閂鎖）為120V。紫外線檢測電平為310V。開啟延遲時間約為43毫秒，此后VIN約為22V，IC將開始驅動外部MOSFET。反過來，這將導致VIN電容器衰減，直到自舉繞組可以提供支持為止。由于LED在低電壓下的高阻抗，主要的次級負載最初將僅是輸出電容器。次級與第三級匝數(shù)比為6：1，這意味著一旦在輸出電容器兩端形成60V電壓，自舉繞組將為IC提供10V電壓。對于6 LED燈串選項（即，安裝了J1），在IC可用10V電壓之前，輸出電容器顯然必須充電至10.7V。

計算得出的電感初級繞組的峰值電流為750mA。通過將次級繞組夾在中間的分流式初級，可以將漏電感降至最低。測量的初級泄漏電感小于5μH。由于該值很低，因此沒有專門的措施來消散漏感能量。所有泄漏能量都在MOSFET本身中消散。變壓器溫升低于30°C。

開關MOSFET具有隔離片，可將散熱器接地。這樣可以最大程度地減少經歷高速電壓瞬變的金屬表面積，從而最大程度地降低輻射EMI。MOSFET的溫度升高不到40°C。

編輯：hfy