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關于MOSFET漏極驅動的ZCD(零電流檢測)引腳

電子設計 ? 來源:eeweb ? 作者:Cirrus Logic ? 2021-05-21 16:47 ? 次閱讀

本應用筆記介紹了從MOSFET漏極驅動的ZCD(零電流檢測)引腳。該文檔描述了標準的ZCD配置及其替代和電阻器配置。

CS1601采用ZCD(零電流檢測)設計,當流過升壓電感器的電流接近零時,該控制器便具有開啟MOSFET的能力。這也可以描述為谷/零交叉切換。這是通過在PFC扼流圈上添加檢測繞組來檢測電流來實現的。

如果由于設計或制造方面的限制而在升壓電感器上添加輔助繞組成為問題,那么下面將介紹實現此功能的替代方法。

標準ZCD配置

CS1501和CS1601的標準配置是將輔助繞組添加到PFC升壓電感器,以提供零電流檢測(ZCD)信息。

pIYBAGCncw-AeZoJAACNhui2Bhk638.png

輔助繞組被添加到PFC升壓電感器,以提供零電流檢測(ZCD)信息。ZCD比較器在輔助繞組上尋找零交叉點,并在輔助電壓低于零時切換。在振蕩谷中進行切換可最大程度地降低切換損耗并降低EMI噪聲。

替代配置

可以從PFC MOSFET的漏極通過電阻分壓器實現ZCD。參見圖2。

pIYBAGCncxqABHZCAACw5nTMOv8621.png

在較輕的負載下,電阻器分壓器電路可能不會將ZCD引腳拉至其觸發閾值(低),因為振鈴電壓本身會偏離零伏。這可能會導致驅動器導通,同時Boost MOSFET的漏極至源極之間仍然存在電壓。使用與電阻R1串聯的47 pF電容器,可以消除漏極波形上的DC漂移問題。電容器的值被最小化以防止額外的電容性開關損耗。

編輯:hfy

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