本應用筆記分析了具有四個變體的ISL71091SEHxx電壓基準的總劑量測試所獲得的結果。這些測試的目的是評估零件的總劑量硬度及其劑量率和偏差敏感性。測試還增加了偏置高溫退火，以觀察零件的加速老化響應。樣品在偏壓下進行輻照，所有引腳均以低劑量率和高劑量率接地。ISL71091SEHxx變體在高劑量率（50至300 rad（Si）/ s）和低劑量率（0.01 rad（0.01） Si）/ s），確保兩種劑量率的硬度均達到指定水平。

報告的ISL71091SEHxx的變體包括ISL71091SEH20（2.048 V標稱輸出電壓），ISL71091SEH33（3.3 V標稱輸出電壓），ISL71091SEH40（4.096 V標稱輸出電壓）和ISL71091SEH10（10.0 V標稱輸出電壓）。這些變體使用相同的基礎芯片，在晶片制造過程中通過幾個掩膜電平選擇輸出電壓，然后最終通過在探針和封裝電平處修整（編程熔絲）進行調整，以獲得指定的輸出電壓。該封裝僅包含硅芯片，沒有用于設置輸出電壓的單獨的內部或外部無源組件（例如，電阻器或電容器）。

ISL71091SEHxx在低劑量率和高劑量率照射下均顯示出良好的性能。所有樣品均以SMD中指定的總劑量水平通過了輻照后規(guī)范。我們在臨界輸出電壓參數中觀察到一定的劑量率靈敏度和偏置靈敏度，并且該部件被認為是中等較低的劑量率靈敏度。我們還看到在經過該程序的零件中有趣的偏向高溫退火響應，并且還將討論這些響應。

部分說明

ISL71091SEHxx是一款低噪聲精密基準電壓源，具有4.6 V至30 V的寬電源電壓范圍（3.3 V型號），通過不同的掩蔽電平和片上微調選擇了四個輸出電壓選項。ISL71091SEHxx建立在Intersil PR40鍵合晶圓工藝之上，該工藝使用介電隔離來改善電氣和SEE性能。ISL71091SEHxx提供四個輸出電壓選項，包括2.048 V，3.3 V，4.096 V和10.0 V，并具有6 ppm /°C的溫度系數以及出色的線路和負載調節(jié)能力。該器件實現了低于5.2μV的峰峰值（0.1 Hz至10 Hz，3.3 V變型）噪聲，其初始電壓精度在+25°C時為±0.05％，在整個輻射范圍內為±0.25％。該器件以8引線密封扁平包裝和管芯形式提供。應用范圍包括儀器儀表，

測試說明

輻照設施

使用位于佛羅里達州Intersil設施Palm Bay的Gammacell 220?60Co輻照器以68 rad（Si）/ s的標稱劑量率進行了高劑量率測試。使用Intersil Palm Bay N40全景低劑量率60Co輻照器以0.01 rad（Si）/ s的速度進行低劑量率測試。使用設置在+100°C的小型溫度室進行輻照后的高溫偏置退火。

測試夾具

圖1顯示了用于偏置輻射的配置。接地輻射以相同的夾具類型執(zhí)行，但所有引腳都硬接地。輻照后的高溫偏壓退火也使用這種配置進行。

圖1 ISL71091SEHxx的偏置輻射配置

表征設備和程序

使用生產自動化測試設備（ATE）在輻射器外部執(zhí)行所有電氣測試，并在每個下降點進行數據記錄。所有下行電氣測試均在室溫下進行。每個變體使用三個或四個控制單元以驗證可重復性。

編輯：hfy