如果有足夠的時間，大多數工程師都有正確的意圖。作為工程師，您想多久了解一次電路應用中每個部分的行為？是的-檢查。半導體公司的模型通常能真正代表電路應用條件下的器件嗎？嗯...不確定。即使有正確的意圖，仍然存在差距，無法完全而快速地了解供應商提供的仿真模型是否在給定的應用空間中準確地代表了設備。

與競爭模型不同，飛兆半導體的超結MOSFET和IGBT SPICE模型基于適用于整個技術平臺的一個物理可擴展模型，而不是針對每種器件尺寸和型號的獨立離散模型的庫。這些模型直接跟蹤布局和工藝技術參數（圖1）。可擴展的參數允許使用CAD電路設計工具進行設計優化。通常，對于給定應用的最佳設備可能不存在于固定的，離散的設備尺寸或額定值庫中。因此，設計人員經常被困在次優設備上。圖2顯示了一種模型跟蹤超結MOSFET中挑戰性的定標CRSS特性和IGBT中的傳輸特性的能力。

歷史上，SPICE級別的功率MOSFET模型一直基于簡單的離散子電路或行為模型。簡單的子電路模型通常過于基礎，無法充分捕獲所有器件性能，例如IV（電流與電壓），CV（電容與電壓），瞬態和熱行為，并且不包含與器件結構和工藝參數的任何關系。電熱行為模型提高了準確性，但是該模型與物理設備結構和過程參數之間的關系并不明顯。另外，已知這種行為模型遭受速度和收斂性問題的困擾。這是一個關鍵點，設計人員不希望將模型僅僅扔到無法收斂或由于某些數字溢出誤差而導致仿真立即失敗的墻壁上。

飛兆半導體的新HV SPICE模型不僅限于匹配的數據表。進行廣泛的器件和電路級表征以確保模型的準確性。例如，行業標準的雙脈沖測試電路用于驗證模型的精度，如圖3所示。模型的電熱精度通過實際電路工作條件下的器件操作（圖4）來驗證，而不僅僅是數據表。冷卻曲線。具有啟用電熱符號的完整電熱仿真功能（圖5）允許進行系統級電熱優化。

現在，新開發的基于物理的，可擴展的SPICE模型封裝了工藝技術，處于設計周期的最前沿。設計人員可以通過SPICE模型在設備制造之前模擬產品性能，從而減少設計和制造周期，從而降低成本并加快產品上市時間。SPICE模型可與新的HV技術開發同時使用，從而實現虛擬產品原型設計。在一項成熟的技術中，設計人員可以擴展到不存在的設備尺寸，以通過這些新開發的SPICE模型來優化性能。

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