SK海力士宣布18GB LPDDR5 移動端DRAM開始量產
SK海力士宣布開始量產業界最高容量的18GB LPDDR5 移動端DRAM產品。此次實現量產的產品將搭載于最高配置的旗艦智能手機，為高分辨率游戲與視頻處理需求提供最佳的性能體驗。公司預測此產品的適用范圍隨后將通過超高性能的攝像軟件與人工智能等最新技術的支持陸續擴大。
SK海力士相關人士表示：“18GB LPDDR5 移動端DRAM與此前16GB產品相比具備更大的容量，有效提升了數據臨時存儲空間。”
此次量產的產品處理速度高達6400Mb/s，與至今搭載于智能手機的移動端DRAM(LPDDR5, 5500Mb/s)相比提升約20%。6400Mb/s的傳輸速率意味著能夠在1秒內傳輸十部全高清(Full-HD, FHD)電影。
SK海力士期待移動端廠商通過此產品將能夠發布相較前一代產品具備更高性能的智能手機。
SK海力士計劃將此產品供應于華碩(ASUS)即將發布的"ROG(Republic of Gamers) 5"游戲智能手機產品，由此正式開始量產。
據OMDIA市場調查機構數據顯示，現在LPDDR5 DRAM的需求量已占據整個移動端DRAM市場的10%，通過持續擴大尖端技術終端領域的適用范圍預估LPDDR5 DRAM的市占率在2023年將有望超過50%。
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
智能手機
+關注
關注
66文章
18434瀏覽量
179873 -
DRAM
+關注
關注
40文章
2303瀏覽量
183319 -
人工智能
+關注
關注
1791文章
46872瀏覽量
237606 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
948瀏覽量
38434 -
LPDDR5
+關注
關注
2文章
88瀏覽量
12033
發布評論請先 登錄
相關推薦
SK海力士開始先進人工智能芯片生產
SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產的新階段，批量生產業界領先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內存技術上的重
SK海力士開發出第六代10納米級DDR5 DRAM
SK海力士宣布了一項重大技術突破，成功開發出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5
SK海力士M16晶圓廠擴產，DRAM產能將增18%
SK 海力士，作為全球知名的半導體巨頭，近期宣布了一項重要的擴產計劃，旨在通過擴大M16晶圓廠的生產規模，顯著提升其DRAM內存產能。據韓媒報道，S
SK海力士轉向4F2 DRAM以降低成本
SK海力士近日宣布了一項重要計劃，即開發采用4F2結構（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對手三星的步伐，標志著SK
Introspect DDR5/LPDDR5總線協議分析儀
,DDR5 RCD/DB測試解決方案，DDR5 DRAM測試解決方案，DDR5誤碼測試儀，DDR5 DIMM測試解決方案，DDR
發表于 08-06 12:03
三星開始量產其最薄LPDDR5X內存產品，助力端側AI應用
深圳2024年8月6日?/美通社/ -- 2024年8月6日，三星電子今日宣布其業內最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM（內存）開始量
SK海力士5層堆疊3D DRAM制造良率已達56.1%
在全球半導體技術的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發實力與創新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布
SK海力士引入創新MOR技術于DRAM生產
SK海力士在半導體領域再次邁出創新步伐，計劃在其第6代（1c工藝，約10nm）DRAM的生產中，首次采用Inpria的下一代金屬氧化物光刻膠（MOR）。這一突破性的應用標志著MOR技術正式進入
SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上，由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士
SK海力士HBM4E內存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產
值得注意的是，目前全球三大內存制造商都還未開始量產1c nm（第六代10+nm級）制程DRAM內存顆粒。早前報道，三星電子與SK海力士預計今
SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0
今日，SK海力士公司宣布了一項革命性的技術突破，他們成功研發出了面向端側（On-Device）AI應用的全新移動
SK海力士考慮新建DRAM工廠
SK海力士，作為全球領先的內存芯片制造商，正在積極考慮建設一家新的DRAM工廠。這一決策源于其現有的龍仁芯片集群投產計劃的推遲，以及對今年內存芯片需求大幅增長的預測。
剛剛！SK海力士出局！
在基礎晶圓上通過硅通孔（TSV）連接多層DRAM，首批HBM3E產品均采用8層堆疊，容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達發送了樣品。此前有消息稱，英偉達已經向
傳三星/SK海力士已開始訂購DRAM機群工藝和HBM相關設備
數據顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力，并啟動大規模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強
中國長鑫存儲自主研發 LPDDR5 完成
長鑫存儲最近在其官網上宣布，已研發出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12
工商網監
評論