三星電子李在镕副會長于10月13日緊急訪問了荷蘭的半導體設備廠家——ASML,并與ASML的CEO Peter Wennink先生、CTO Martin van den Brink先生進行了會談,且媒體《Business Korea》對此進行了報道。ASML是全球唯一一家能夠提供尖端光刻設備(EUV)的廠家,半導體廠商能夠購買到的EUV設備數量是近期半導體微縮化競爭的焦點所在。
《Business Korea》在報道中指出,“雙方就EUV設備(能否利用7納米或者7納米以下尖端工藝生產出尖端半導體,EUV設備是關鍵所在)的供給計劃交換了意見”、雙方還就AI芯片等未來半導體的新技術研發方面的合作、新冠肺炎之后的市場預測半導體技術戰略進行了會談”。
但是,筆者認為李副會長拜訪ASML的目的不僅僅是交換意見、會談。那么,真正的目的是什么呢?筆者認為有以下兩點。
1. 希望ASML給三星電子提供更多的EUV設備。
2. 希望ASML協助三星電子更加順利地使用已經購買的EUV設備。
在采用了EUV的半導體微縮化方面,臺積電(TSMC)全球領先。作為存儲半導體的“冠軍”——三星電子計劃在2030年之前在邏輯半導體的生產方面趕上臺積電。但是,從目前的狀況來看,ASML無法按照計劃為三星提供EUV設備,此外,對于三星已經引進的EUV量產設備,似乎使用的也不是很順利。結果,導致三星電子與臺積電的差距愈來愈大。
因此,筆者預測,覺察到危機的三星電子的李副會長與ASML的高層會晤,就EUV的供給、已購入的EUV設備的使用,向ASML尋求幫助。
在本文中,筆者首先敘述一下當下最尖端的半導體微縮化情況。其次,再說明ASML的EUV設備供給不足的情況。此外,再論述三星電子對EUV設備的使用熟練程度不及臺積電。另外,筆者再論述李副會長訪問ASML是否有效。最后,筆者指出,在EUV方面,三星電子的優勢不及臺積電,即使李副會長訪問ASML,也很難挽回現狀。
一、尖端邏輯半導體的現狀
下圖1是邏輯半導體、Foundry微縮化加工技術的藍圖。圖中的○△ x 是筆者添加的,代表的意思如下:
○:其微縮化加工技術的R&D(研究、開發)已經完成,且已經開始量產,此外,預計量產會順利進行。
△:其微縮化加工技術的R&D(研究、開發)在某種程度上完成了,但并沒有完全進入量產。
×:其微縮化加工技術的R&D(研究、開發)并未完成,此外,雖然R&D的目標明確,但仍未確立量產體制。
圖片出自:biz-journal
臺積電是全球微縮化加工技術最先進的廠家,2019年量產了7nm+(將EUV技術應用于孔中),且在2020年已經開始量產將EUV應用于排線層的5納米。此外,已經完成3納米的研發,計劃在2021年開始風險量產。同時,臺積電計劃在2024年實現2納米的量產,如今正在順利地為之選擇設備、材料。如此可以看出,新冠肺炎不僅沒有對臺積電的微縮化造成影響,反而促進了臺積電的研發。
相比之下,三星電子的情況如何呢?三星電子在2019年7月2日公布說新款Galaxy Note上的處理器——Exynos 9825是用7納米(采用EUV)制造的。后來,2019年下半年公布6納米、今年公布5納米,僅從數字來看,三星電子絕不亞于臺積電。
筆者這么說的依據是三星電子的EUV技術不及臺積電成熟、良率也不及臺積電,因此很難說三星電子的EUV批量生產技術很順利。其證據是三星沒有成功獲得NVIDIA的7納米業務(其圖像處理器GPU席卷全球)。
綜上所述,我們可以得知三星電子和臺積電的技術差異,而技術差異產生的原因是什么呢?
二、臺積電做了什么籌備來實現EUV的量產呢?
要熟練使用新設備,需要花費相當長的時間。尤其是使用全球最尖端的設備——EUV光刻機設備進行量產半導體產品,直到避免Bug的出現,需要花費的時間極其漫長。
比方說,筆者記得,在九十年代初從事半導體技術員的時候,從水銀燈的i線曝光設備切換到KrF 量體(Excited Dimer)激光光源時,花費了5年~6年的時間。也就是說要熟練使用新設備,這些時間是必須的。
圖片出自:biz-journal
此外,歷經KrF、ArF干蝕、ArF液浸,2019年迎來了EUV。要熟練使用EUV設備,臺積電到底做了什么準備呢?臺積電應該沒有5年-6年的時間去為EUV的量產做準備,那么,臺積電到底做了什么?
匯合多方信息,臺積電在2018年,在7~8臺EUV設備上每月投入了約6萬~8萬顆晶圓,邊處理Bug問題、邊進行量產前的準備。假設每月最大投入量為8萬個,臺積電每年在EUV設備上投入了約100萬顆晶圓,且全部報廢了。基于以上這些巨量的準備工作,終于在2019年量產了7nm+工藝(僅在孔部位實施EUV),因此成功地將尖端工藝技術用在了華為的手機上。
三、三星電子的EUV情況
要量產使用EUV設備,需要花費大批量的時間和晶圓,三星電子的情況如何呢?2018年三星電子旗下華城半導體工廠(三星的Foundry據點)引進了八臺EUV設備。
但是,從Foundry的規模來看,用12英寸晶圓來換算,相對臺積電的月產120萬個(甚至更多)而言,三星電子月產僅有30萬個(雖然筆者不了解準確數字)。此外,按照這種規模來計算,如果突然要量產使用EUV設備,很有可能導致邏輯半導體全軍覆滅。
此外,多位相關人士表示,三星電子為了量產使用EUV設備,已經挪用了多個DRAM的量產工廠。三星電子擁有月產能約為50萬個的大型DRAM工廠。其中,將月產3000個~1萬個(最大)的工廠暫時用來EUV的“量產練習”。
有多家媒體報道指出,三星電子已經將EUV應用于最尖端的DRAM生產,三星電子本身也在2020年5月20日的新聞中公布說,“用EUV生產的第四代10納米級別的DRAM的出貨數量達到了100萬個”。
但是,我們不能完全相信!如今,一個12英寸晶圓可以同時生產出約1500個DRAM。因此,晶圓數量為:100萬個DRAM/1500=667個,假設良率為80%,晶圓數量為:100萬個DRAM/(1500*80%)=833個。也就是說,100萬個DRAM是在月產為50萬的大型DRAM產線上、以不足1000個的規模生產出來的。因此,三星電子提出的“已經生產了采用EUV技術的DRAM”雖然沒有錯,但從業界常識來看,很難得出“將EUV應用在了DRAM的量產上”這一結論。
這種情況,筆者認為“三星電子希望將EUV應用于邏輯半導體,但無法確保實驗場所,于是暫時借用了大型的DRAM的產線,很偶然做出了100萬個DRAM”。與臺積電相比,差距還很遠。
四、EUV設備數量差距持續拉大
如上所述,在使用EUV的熟練程度上,三星電子與臺積電有很大的差距。然而,三星電子卻提出了要在2030年之前在Foundry方面趕上臺積電的目標,且在為之努力。因此,三星在存儲半導體的生產據點——平澤建設了EUV專用廠房(不是在Foundry的據點——華成),據說三星電子的目標是在2025年之前引進約100臺EUV設備。
然而,三星電子的這一計劃卻“觸礁” 了。理由是ASML的EUV設備產能完全趕不上半導體廠家的訂單數量。(如下圖3)
圖片出自:biz-journal
全球唯一的EUV設備生產商——ASML在2015年出貨了6臺、2017年10臺,2018年18臺,2019年26臺,預計2020年出貨36臺。然而,Open PO數量在不斷增長,在2020年的第二季度已經達到了56臺。
筆者認為,在ASML 2020年出貨的36臺設備中大部分都是出給臺積電的。如果三星電子也購買了EUV設備,最多也就是1~2臺(如下圖4)。可以推測,在2020年年末各家廠家持有的EUV設備數量如下,臺積電為61臺,三星電子最多為10臺左右。
圖片出自:biz-journal
后續臺積電每年會引進約20-30臺EUV設備,預計在2025年末會擁有約185臺EUV設備(甚至更多)(注),另一方面,三星電子的目標是在2025年末擁有約100臺EUV設備,從ASML的生產產能來看,相當困難。
(注):本稿發行后,筆者又進行了調查發現,2025年年末時間點,臺積電所持有的EUV光刻機數量遠遠多于185臺。
五、未來的展望
如上所述,三星電子無法熟練操作使用EUV設備、且照此發展下去,很難確保其引進的設備數量。如果三星電子維持現狀,那么與臺積電的差距將會越來越大。為了打破這一危機情況,如文章開頭的《Business Korea》所述,三星電子的真正Top——李副會長與ASML的CEO&CTO進行了直接會談。其會談內容應該是“希望給三星電子提供更多的EUV設備”、“請協助三星電子熟練使用已經引進的EUV量產設備”。
但是,對于ASML而言,其重要客戶是臺積電。在2018年一整年,臺積電花費一年的時間、投入100萬個晶圓,不斷試錯,并反饋給ASML,并進行改善、改良,才使7nm+、5nm得以量產。未來還要量產3納米、2納米。蘋果、AMD、高通、NVIDIA(未來也許還有英特爾)都在依賴著臺積電的尖端工藝。ASML的EUV設備肯定適用于尖端工藝、且會繼續進步和發展。
雖然三星電子的高層突然訪問ASML,ASML也不會忽視臺積電而“親近”三星電子。但是,這世界在何時、發生何事,也都不好預測。未來我們將繼續關注臺積電、三星電子、ASML的動向。
責編AJX
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