英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業電源、充電器及伺服驅動器（不同的電流額定值）實現最高效率。

了解使用此 SMD 封裝從而提高應用性能的多種方法：被動冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。

CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術經過優化，將性能與可靠性相結合，并具有 3μs 的短路時間。由于采用 .XT 連接技術，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標準封裝的連接技術，.XT 連接技術可多消散 30%的額外損耗。該全新 CoolSiC? .XT 產品系列表現出一流的熱性能和循環能力：與標準連接技術相比，輸出電流最多提高 14％，開關頻率提高一倍，工作溫度則降低 10-15°C。

特 性

開關損耗極低

短路時間 3μs

完全可控 dV/dt

典型柵極閾值電壓，VGS(th) =4.5V

不易寄生導通，可選用 0V 關斷柵極電壓

堅固耐用的體二極管，實現硬開關

.XT 連接技術，實現一流的熱性能

為 1200V 優化的 SMD 封裝，其爬電距離和電氣間隙在 PCB 上>6.1mm

Sense 引腳，可優化開關性能

應用示意圖

優 勢

效率提升

實現更高頻率

增大功率密度

減少冷卻設計工作量

降低系統復雜性并降低成本

SMD 封裝能直接集成于 PCB，采用自然對流冷卻方式，無需額外的散熱器

目標應用

電機驅動

基礎設施 - 充電樁

發電 - 太陽能組串式逆變器和優化器

工業電源–工業 UPS

競爭優勢

無風扇驅動

實施被動冷卻

最高效率，無需散熱器

通過減少零件數量并減小外形尺寸實現緊湊型解決方案

SMD 集成于 PCB，采用自然對流冷卻方式，僅有熱通孔

電機和逆變器一體化

采用具備大爬電距離和電氣間隙的 SMD 封裝的 1200V 器件符合安全要求

編輯：hfy