測量放大器的失調電壓、偏置電流參數(shù)，可根據(jù)所設計的電路簡易調整就能完成測試。而共模抑制比參數(shù)的測試方法卻相對復雜，本篇分析幾種常被誤用的放大器共模抑制比測量方法的不足之處，以及提供一種有效測量共模抑制比電路以及提供仿真。

如圖2.56所示的4組共模抑制比測試電路，測試原理沒有異議，但是在實際測量中無法得到有效測量結果，主要原因在于對電路配套器件的規(guī)格要求極其苛刻，使這些測量方法缺乏可操作性，如下詳細分析。

圖2.56（a）直接定義測量法是測量差模增益和共模增益，再根據(jù)定義計算共模抑制比。電路使用電感和電容形成低通濾波器，用作通直流、阻交流的功能。在CMOS放大器電路中，常使用１ＧΩ電阻代替電感，如果雙極型晶體管作為輸入級的放大器，較大的基極電流在反饋電阻上的壓降會導致整個環(huán)路產生很大直流點漂移，影響測量結果。

圖2.56 不適用的共模抑制比測量方法

如圖2.56（b）為匹配信號源法，使用兩個信號源分別加載于被測放大器的同相、反相輸入端，由于放大器的差模增益遠遠大于共模增益，共模抑制比近似為式2-37。

但是在實際測試中，難以實現(xiàn)兩個幅值絕對相等，相位嚴格同步的信號作為激勵信號。而在失配的信號源激勵下，所得到的測量結果不能體現(xiàn)放大器真實的共模抑制性能。

如圖2.56（c）為電壓測量法，保持放大器的供電電壓范圍不變，即Vcc與Vee之差為常量，調節(jié)Vcc、Vee的絕對電壓，由二者的分壓中心值電壓作為共模電壓(Vcm)提供到同相輸入端,根據(jù)對應的輸出電壓（Vout）計算共模抑制比。該方法的漏洞在于將共模抑制比作為導致直流誤差的唯一因素，忽略電源抑制比等其他因素的影響，測試結果失去意義。

如圖2.56（d）為匹配電阻法，也是部分工程師習慣使用的測量方法，該法的電路原理工作原理與測量誤差分析已在《電阻誤差對電路共模抑制比的影響與蒙特卡洛分析》闡述，本節(jié)不再累述。如果使用該法測量CMRR大于100dB的放大器，需要誤差小于1ppm的電阻進行匹配才能實現(xiàn)。

相比上述測量方法的不足，圖2.57增加一款高開環(huán)增益、低失調電壓、低偏置電流的輔助放大器AMP，無需精密電阻就能實現(xiàn)放大器的共模抑制比的準確測量。

圖2.57 輔助運放-電源法測量共模抑制比電路

待測放大器（DUT）工作電壓范圍保持30V不變，但是Vcc,Vee的絕對電壓，通過開關S1,S2控制由-25~+5V切換到-5~+25V。由此為DUT提供±10V輸入共模電壓，分別測量開關S1,S2切換前后的輸出電壓Vout,并標記為Vout1、Vout2,結合電路的噪聲增益計算共模抑制比如式2-38。

對圖2.57共模抑制比測試電路，將ADA4077作為待測放大器（DUT），輔助放大器使用LT1012AI，電阻誤差為1%。

如圖2.58，在25℃環(huán)境中，±15V電壓工作時，LT1012IA失調電壓最大值為25uV，偏置電流最大值為100pA,開環(huán)電壓增益典型值為2000 V/mV。

圖2.58 LT1012失調電壓，偏置電流，開環(huán)增益參數(shù)

使用LTspice進行仿真,當DUT使用 Vcc為+5V，Vee為-25V供電時，瞬態(tài)分析結果如圖2.59。電路輸出Vout1為3.535mV。

圖2.59ADA4077共模抑制比測試Vout1瞬態(tài)分析結果

當DUT使用Vcc為+25V，Vee為-5V供電時，瞬態(tài)分析結果如圖2.60。電路輸出Vout2為3.609mV。

圖2.60ADA4077共模抑制比測試Vout2瞬態(tài)分析結果

將上述仿真結果代入式2-38，計算ADA4077的共模抑制比為:

如圖2.2，仿真計算結果為148.7dB，接近ADA4077數(shù)據(jù)手冊中共模抑制比的典型值150dB。

圖2.2ADA4077直流性能參數(shù)

責任編輯：xj

原文標題：盤點放大器共模抑制比參數(shù)測量方法

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