據美媒Anandtech報道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產品擁有破紀錄的176層構造。報道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出的第二代產品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲單元設計轉變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。

美光公司的上一代3D NAND采用的是128層設計，這是它們的短暫過渡節(jié)點，可幫助他們解決向陷阱閃存切換碰到的任何問題。美光的128L閃存在市場上的占有率極低，因此在許多情況下，他們的新型176L閃存也將替代其96L 3D NAND。

根據報道，美光并沒有披露其176L NAND的更多技術細節(jié)。但就目前而言，我們知道他們的第一個176L部件是使用兩個88層平臺的字符串堆疊（string stacking ）構建的512Gbit TLC芯片，就可以制造多少層NAND閃存單元而言，美光現(xiàn)在似乎僅次于三星。

報道進一步指出，在使用電荷陷阱單元設計替代柵極設計之后，美光似乎已大大降低了閃存每一層的厚度。數據顯示，176L裸片的厚度僅為45μm，總厚度與美光公司的64L浮柵3D NAND相同。

而一個16 die堆疊式封裝的厚度不到1.5mm，這適合大多數移動和存儲卡使用場景。與上一代的Micron 3D NAND一樣，芯片的外圍邏輯大部分是在NAND存儲單元堆棧下制造的，Micron將該技術稱為“CMOS under Array”（CuA）。這幫助美光帶來了一些最小的裸片尺寸，美光估計他們的176L 512Gbit裸片比其競爭對手目前提供的最佳裸片小約30％。

從報道我們還可以看到，美光的176L NAND支持的接口速度為1600MT / s，高于其96L和128L閃存的1200MT / s。比其他解決方案高33％。就容量而言，176層管芯可以容納20-30小時的1920x1080p視頻，。

與96L NAND相比，讀（寫）延遲改善了35％以上，與128L NAND相比，改善了25％以上。與使用96L NAND的UFS 3.1模塊相比，美光科技的總體混合工作負載改善了約15％。

美光公司的176L 3D NAND目前其新加坡工廠制造，并已經開始批量生產，并且已經在一些Crucial品牌的消費類SSD產品中發(fā)貨。但是，美光尚未說明哪些特定Crucial產品現(xiàn)在正在使用176L NAND（就此而言，則使用其128L NAND），因此我們希望目前這是一個相當小批量的產品。

盡管如此，在明年，我們應該能看到美光176L NAND的產量提高到比其128L工藝所能達到的更高的水平，并且我們可以期望發(fā)布基于此176L NAND的各種各樣的產品，并取代大多數使用其96L NAND的產品。

美光方面表示，公司的176層NAND具有里程碑式的意義，這有幾個原因。一方面，該技術的密度是早期3D NAND設計的近10倍，這就意味著智能手機可以做更多的事情，可以存儲更多的東西；其次，對于更多的人來說價格甚至更低，從而改善了他們的日常生活。

他們進一步支持，這種新型176層器件不僅比以前的器件密度更高，而且還通過創(chuàng)新的電路設計融合了業(yè)界最高的數據傳輸速率。美光公司的工程師設計并建造了這種超高密度存儲，同時對NAND進行了重大的架構更改，這將使下游設備的創(chuàng)新在未來數年內得以實現(xiàn)。
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