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韓國(guó)企業(yè)在EUV光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展

中國(guó)半導(dǎo)體論壇 ? 來源:中國(guó)半導(dǎo)體論壇 ? 作者:中國(guó)半導(dǎo)體論壇 ? 2020-11-19 14:13 ? 次閱讀

11 月 16 日消息據(jù)韓國(guó)媒體上周報(bào)道,韓國(guó)本土企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展。但并沒有提到是哪一家企業(yè),合理推測(cè)應(yīng)指代韓國(guó)整個(gè)半導(dǎo)體光刻產(chǎn)業(yè)。

EUV 光刻技術(shù)是多種先進(jìn)技術(shù)的復(fù)合體,例如多層反射鏡,多層掩模,防護(hù)膜,光源和注冊(cè)表(registries)。

在過去的十年中,包括三星電子在內(nèi)的全球公司進(jìn)行了深入的研究和開發(fā),以確保技術(shù)處于領(lǐng)先地位。最近,代工公司(意指三星)開始使用 5 納米 EUV 光刻技術(shù)來生產(chǎn)智能手機(jī)的應(yīng)用處理器(AP)。

按公司劃分,全球六大公司的專利申請(qǐng)數(shù)占了總數(shù)的 59%,卡爾蔡司(德國(guó))占 18%,三星電子(韓國(guó))占 15%,ASML(荷蘭)占 11%,S&S Tech(韓國(guó))占 8%,臺(tái)積電(臺(tái)灣)為 6%,SK 海力士(韓國(guó))為 1%。

從具體的技術(shù)項(xiàng)目來看,曝光裝置技術(shù)申請(qǐng)專利占 31%,掩膜技術(shù)申請(qǐng)專利占 28%,其他申請(qǐng)專利占 9%。在工藝技術(shù)領(lǐng)域,三星電子占 39%,臺(tái)積電占 15%。在光罩領(lǐng)域,S&S 科技占 28%,Hoya(日本)占 15%,漢陽大學(xué) (韓國(guó))占 10%,朝日玻璃 (日本)占 10%,三星電子占 9%。

據(jù)了解,韓媒還提到了韓國(guó)專利數(shù)量,據(jù)韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局 (KIPO)發(fā)布的《近 10 年 (2011-2020 年)專利申請(qǐng)報(bào)告》顯示,2019 年,韓國(guó)提交的專利申請(qǐng)數(shù)量為 40 件,超過了國(guó)外企業(yè)的 10 件。

韓媒稱這是韓國(guó)提交的專利申請(qǐng)量首次超過國(guó)外企業(yè)。到 2020 年,韓國(guó)提交的專利申請(qǐng)也將是國(guó)外企業(yè)申請(qǐng)的兩倍以上。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:韓媒:韓國(guó)本土企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)方面取得重大進(jìn)展

文章出處:【微信號(hào):CSF211ic,微信公眾號(hào):中國(guó)半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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