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      臺(tái)積電已大規(guī)模生產(chǎn)第六代晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)

      姚小熊27 ? 來源：中關(guān)村在線 ? 作者：中關(guān)村在線 ? 2020-11-24 17:01 ? 次閱讀

      臺(tái)積電處于芯片加工技術(shù)的前沿。他制造了蘋果、AMD、英偉達(dá)和其他重要的全球芯片品牌，最近有報(bào)道稱，臺(tái)積電已開始大規(guī)模生產(chǎn)第六代CoWoS晶圓級(jí)芯片封裝技術(shù)，可集成到192GB的內(nèi)部芯片中。

      CoWoS的全名是將芯片和基板封裝在一起，可以降低制造難度和成本。這一技術(shù)經(jīng)常用于HBM高帶寬存儲(chǔ)器的集成封裝，而以前的AMD Radeon VII顯卡、NVIDIA V100計(jì)算卡使用這種封裝技術(shù)。目前，這一技術(shù)僅由臺(tái)積電掌握，技術(shù)細(xì)節(jié)屬于商業(yè)機(jī)密。

      由于這是一個(gè)商業(yè)秘密，臺(tái)積電不披露第六代CoWoS的細(xì)節(jié)，只知道多達(dá)12個(gè)HBM內(nèi)存可以集成在一個(gè)軟件包中。

      而最新SK海力士的HBM2E內(nèi)存利用TSV硅穿孔技術(shù)垂直堆疊八顆2GB芯片，從而做到單顆容量16GB，理論上更是可以做到十二顆堆疊、單顆容量24GB。也就說，臺(tái)積電實(shí)際可做到將192GB高速內(nèi)存封裝在芯片內(nèi)，理論上限是封裝288GB內(nèi)存。

      在芯片封裝技術(shù)方面，產(chǎn)業(yè)鏈人士透露，臺(tái)積電的第六代CoWoS封裝技術(shù)有望在2023年大規(guī)模投入生產(chǎn)。
      責(zé)任編輯：YYX

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