目錄
什么是死區(qū)時間?
數據手冊的參數
如何計算合理的死區(qū)時間?
STM32中配置死區(qū)時間
什么是死區(qū)時間?
PWM是脈沖寬度調制,在電力電子中,最常用的就是整流和逆變。這就需要用到整流橋和逆變橋。
對三相電來說,就需要三個橋臂。以兩電平為例,每個橋臂上有兩個電力電子器件,比如IGBT。大致如下圖所示;
這兩個IGBT不能同時導通,否則就會出現短路的情況,從而對系統(tǒng)造成損害。
那為什么會出現同時導通的情況呢?
因為開關元器件的和嚴格意義并不是相同的。
所以在驅動開關元器件門極的時候需要增加一段延時,確保另一個開關管完全關斷之后再去打開這個開關元器件,通常存在兩種情況;
上半橋關斷后,延遲一段時間再打開下半橋;
下半橋關斷后,延遲一段時間再打開上半橋;
這樣就不會同時導通,從而避免功率元件燒毀;死區(qū)時間控制在通常的單片機所配備的PWM中都有這樣的功能,下面會進一步介紹。
互補PWM的死區(qū)時間
相對于PWM來說,死區(qū)時間是在PWM輸出的這個時間,上下管都不會有輸出,當然會使波形輸出中斷,死區(qū)時間一般只占百分之幾的周期。但是當PWM波本身占空比小時,空出的部分要比死區(qū)還大,所以死區(qū)會影響輸出的紋波,但應該不是起到決定性作用的。
另外如果死區(qū)設置過小,但是仍然出現上下管同時導通,因為導通時間非常非常短,電流沒有變得很大,不足以燒毀系統(tǒng),那此時會導致開關元器件發(fā)熱嚴重,所以選擇合適的死區(qū)時間尤為重要,過大過小都不行。
數據手冊的參數
這里看了一下NXP的IRF540的數據手冊,柵極開關時間如下所示;
IRF540
然后找到相關的,,,的相關典型參數;
典型參數
:門極的開通延遲時間
:門極的關斷延遲時間
:門極上升時間
:門極下降時間
下面是一個IGBT的數據手冊;
IGBT
下圖是IGBT的開關屬性,同樣可以找到,,,等參數,下面計算的時候會用到;
開關屬性
如何計算合理的死區(qū)時間?
這里用表示死區(qū)時間,因為門極上升和下降時間通常比延遲時間小很多,所以這里可以不用考慮它們。則死區(qū)時間滿足;
:最大的關斷延遲時間;
:最小的開通延遲時間;
:最大的驅動信號傳遞延遲時間;
:最小的驅動信號傳遞延遲時間;
其中和正如上文所提到的可以元器件的數據手冊中找到;和一般由驅動器廠家給出;
如果是MCU的IO驅動的話,需要考慮IO的上升時間和下降時間,另外一般會加光耦進行隔離,這里還需要考慮到光耦的開關延時。
STM32中配置死區(qū)時間
STM32的TIM高級定時器支持互補PWM波形發(fā)生,同時它支持插入死區(qū)時間和剎車的配置。
直接看參考手冊里的寄存器TIMx_BDTR,這是配置剎車和死區(qū)時間的寄存器;
TIMx_BDTR
可以看到死區(qū)時間DT由**UTG[7:0]**決定,這里還有一個問題是是什么?在TIMx_CR1的寄存器可以得知,由TIMx_CR1寄存器的CKD決定;
如果這里配置成00,那么和內部定時器的頻率相同,為8M;
CKD
結合代碼做一下計算;系統(tǒng)頻率為72M,下面是時基單元的配置;
#definePWM_FREQ((u16)16000)//inHz(N.b.:patterntypeiscenteraligned) #definePWM_PRSC((u8)0) #definePWM_PERIOD((u16)(CKTIM/(u32)(2*PWM_FREQ*(PWM_PRSC+1))))TIM_TimeBaseStructInit(&TIM1_TimeBaseStructure); /*TimeBaseconfiguration*/ TIM1_TimeBaseStructure.TIM_Prescaler=0x0; TIM1_TimeBaseStructure.TIM_CounterMode=TIM_CounterMode_CenterAligned1; TIM1_TimeBaseStructure.TIM_Period=PWM_PERIOD; TIM1_TimeBaseStructure.TIM_ClockDivision=TIM_CKD_DIV2;
PWM的頻率是16K,注意這里的PWM是中央對齊模式,因此配置的時鐘頻率為32K;
下面時剎車和死區(qū)時間,BDTR寄存器的配置,因此這里的CK_INT為32M
#defineCKTIM((u32)72000000uL)/*Siliconrunningat72MHzResolution:1Hz*/ #defineDEADTIME_NS((u16)500)//innsec;rangeis[0...3500] #defineDEADTIME(u16)((unsignedlonglong)CKTIM/2 *(unsignedlonglong)DEADTIME_NS/1000000000uL)TIM1_BDTRInitStructure.TIM_OSSRState=TIM_OSSRState_Enable; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_OSSIState=TIM_OSSIState_Enable; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_LOCKLevel=TIM_LOCKLevel_1; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_DeadTime=DEADTIME; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_Break=TIM_Break_Disable; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_BreakPolarity=TIM_BreakPolarity_High; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_AutomaticOutput=TIM_AutomaticOutput_Disable;
例:若TDTS = 31ns(32MHZ),可能的死區(qū)時間為:0到3970ns,若步長時間為31ns;4000us到8us,若步長時間為62ns;8us到16us,若步長時間為250ns;16us到32us,若步長時間為500ns;
如果需要配置死區(qū)時間 1000ns,系統(tǒng)頻率72,000,000Hz,那么需要配置寄存器的值為;
直接寫成宏定義的形式;
#defineDEADTIME(u16)((unsignedlonglong)CKTIM/2 *(unsignedlonglong)DEADTIME_NS/1000000000uL)
用示波器驗證了一下;具體如下圖所示;
責任編輯:lq
-
PWM
+關注
關注
114文章
5153瀏覽量
213447 -
IGBT
+關注
關注
1265文章
3762瀏覽量
248363 -
逆變橋
+關注
關注
1文章
10瀏覽量
10919
原文標題:炸機后才去注意PWM的死區(qū)時間
文章出處:【微信號:mcu168,微信公眾號:硬件攻城獅】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
評論