今年 7月份，中科院發表的一則《超分辨率激光光刻技術制備5納米間隙電極和陣列》的研究論文引起了廣泛的關注。 當時，華為正被美國打壓，中國芯片產業成為了國人的心頭憂慮。

因此，中科院此新聞一出，遭部分媒體夸張、誤解之后，立刻引起了一片沸騰。有媒體將其解讀為“中國不用EUV***，便能制造出5nm芯片”，但事實并非如此。

近日，該論文的通訊作者劉前在接受《財經》記者采訪時，作出了解答。

劉前表示，論文介紹的新型5nm超高精度激光光刻加工方法，主要用在光掩膜制作上，并非是極紫外光光刻技術，部分媒體混淆了兩者的概念。

在光刻過程中，光源通過激光將電路設計圖寫在光掩膜版上，然后照射在硅片的表面，之后便會進行刻蝕工藝。

可見，光掩膜是集成電路***制造中，不可或缺的重要部分，其對集成電路線寬也起到了一定限制作用。人們常提到的12nm、5nm等，便是集成電路線寬。

長時間來，中國只能制造中低端光掩膜，并且還要依賴海外技術、材料等。

而高端光掩膜版更是成為我國“卡脖子”技術之一。全球高端光掩膜市場主要被美國Photronics、日本印刷株式會社、日本Toppan三者所壟斷，余下的市場份額很少。

因此，中科院所攻克的這項新技術，雖然沒有部分媒體表述的那樣夸張，但對我國高端光掩膜市場的突破，依然具有重要意義。該技術具有完全自主知識產權，并且有成本更低的優點。

但是，該技術仍處在實驗室階段，想要實現商用并非是一件容易事。

而且，我國***技術也有十分漫長的路要走。據AI財經社消息，有半導體產業資深人士表示：目前我國可以實現180nm制程，但仍在試用階段，還需要攻克。

為何中國***技術發展如此緩慢，有半導體業界人士表示：是產業環境的問題。此前，國產設備不被看好，客戶不愿意配合使用與測試。這阻礙了我國***產業的發展。

但是，華為被美國制裁事件發生后，許多相關廠商改變了看法，意識到將關鍵技術、設備等掌握在自己手中的重要性，中國集成電路產業的發展速度有明顯加快。

不過，在中國落后頗多的情況下，想要實現突破并非是一件易事。但即便如此，國產芯片仍要抱有信心，不斷追趕。

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