在今年的內(nèi)存與存儲(chǔ)日活動(dòng)上，Intel不但推出了基于144層QLC NAND閃存的企業(yè)級(jí)SSD D7-P5510/D5-P5316、消費(fèi)級(jí)SSD 670p，基于新一代傲騰介質(zhì)的企業(yè)級(jí)SSD P5800X、混合式SSD H20，還帶來(lái)了新一代傲騰持久內(nèi)存（PMem）的消息。

傲騰持久內(nèi)存條的誕生并非為了取代傳統(tǒng)DRAM DDR系列內(nèi)存，現(xiàn)在不會(huì)未來(lái)也不會(huì)，而是聯(lián)合傲騰SSD，共同作為DRAM DDR內(nèi)存條與NAND閃存固態(tài)盤之間的橋梁，填補(bǔ)二者之間在容量、性能上的空檔，構(gòu)成一個(gè)完整的存儲(chǔ)體系。

其中，傲騰持久內(nèi)存通過(guò)雙倍數(shù)據(jù)速率總線連接CPU，能夠以DRAM內(nèi)存的速度直接加載和存儲(chǔ)訪問(wèn)，同時(shí)兼具非易失性，融合了DRAM內(nèi)存、NAND存儲(chǔ)的最佳特性。

今年6月份，Intel發(fā)布了第二代傲騰持久內(nèi)存PMem 200系列，繼續(xù)兼容DDR4 DIMM形態(tài)，單條容量128/256/512GB，熱設(shè)計(jì)功耗分別為15/18/18W（比上代降低約3W），內(nèi)存可選1866/2133/2400/266MHz，帶寬比上代提升25％，數(shù)據(jù)訪問(wèn)速度比NAND閃存高出225倍。

第二代傲騰持久內(nèi)存主要搭檔第三代可擴(kuò)展至強(qiáng)（已發(fā)布的Copper Lake和將發(fā)布的Ice Lake），每路六通道12條插槽，可以安裝最多6條，再加上6條DDR4內(nèi)存，單路系統(tǒng)內(nèi)存總?cè)萘烤涂梢赃_(dá)到驚人的6TB。

二代傲騰持久內(nèi)存，形態(tài)和DDR4保持一致

Intel現(xiàn)在宣布，即將推出代號(hào)“Crow Pass”的第三代傲騰持久內(nèi)存，全球第一個(gè)引入DDR總線，將在代號(hào)“Sapphire Rapids”的未來(lái)可擴(kuò)展志強(qiáng)平臺(tái)中提供。

Intel沒有披露第三代傲騰持久內(nèi)存的具體特性，不過(guò)此前已宣布，Sapphire Rapids（第四代可擴(kuò)展至強(qiáng)）平臺(tái)將在2021年下半年出貨，基于10nm SuperFin工藝，并引入DDR5內(nèi)存、PCIe 5.0總線、CXL 1.1異構(gòu)互聯(lián)協(xié)議、AMX先進(jìn)矩陣擴(kuò)展加速指令集。

這么來(lái)看，第三代傲騰內(nèi)存條將兼容DDR5 DIMM形態(tài)，并與之聯(lián)手。

根據(jù)傳聞，Sapphire Rapids將會(huì)擁有全新的Golden Cove CPU架構(gòu)，最多56核心112線程（不排除60核心120線程），MCM多芯片封裝設(shè)計(jì)，同時(shí)集成HBM2e高帶寬內(nèi)存，最大容量64GB，最高帶寬1TB/s，提供最多80條PCIe 4.0，最高支持八通道DDR5-4800，熱設(shè)計(jì)功耗最高400W。

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