一、英特爾:2022 年SSD 取代 HDD成為市場主流
目前傳統機械硬盤(HDD)仍是許多企業的儲存選項,因其總擁有成本(Total Cost of Ownership,TCO)低于固態硬盤(SSD),因而可以花費較少的費用。不過,英特爾近日表示,隨著 SSD 整體成本逐漸下降,到了 2022 年時,SSD 與 HDD 的 TCO 將會黃金交叉,意味采購 SSD 的花費將更少,且看到更多 PLC NAND 的應用。
根據外國媒體 Blocks & files 報導,英特爾 NAND 產品和解決方案主管 Rob Crooke 在「Intel Memory and Storage Moment 2020」論壇表示,多層數 3D NAND 的持續開發,將會使得 SSD 的總擁有成本在約一年后趕上 HDD;這將會使得 SSD 在儲存市場更廣泛使用,以取代 HDD。
Rob Crooke 補充,特別是 PLC NAND,有比其他儲存技術密度更高、單位容量存儲成本更低的優勢,因此,英特爾將積極朝 PLC 發展,并已制定相關計劃。
二、英特爾對NAND閃存的未來持樂觀態度
今年10月20日,英特爾和SK海力士同時在官網上更新公告,SK海力士將支付90億美元收購英特爾NAND閃存級存儲業務,本次收購包括英特爾NAND SSD業務、NAND部件和晶圓業務、以及其在中國大連的NAND閃存制造工廠,預計在2021年底移交給海力士。
另外,英特爾將繼續在大連內存工廠生產NAND晶圓,并保留其NAND晶圓制造和設計相關的知識產權,一直到2025年3月交易最終完成。而對于傲騰業務,英特爾將繼續保留。
不過,出售NAND閃存業務的英特爾依然在內存存儲日上展示了自己的NAND實力水平,推出了3款業界領先的全新NAND SSD,包括英特爾固態盤670p、英特爾固態盤D7-P5510以及英特爾固態盤D5-P5316,這三款NAND SSD都是采用了144層存儲單元,但面向不同的使用場景。
對于3D NAND而言,閃存層數是衡量其閃存先進性最直觀的維度。英特爾方面表示:“所有3D NAND廠商都在增加層數,以便在每平方毫米NAND晶圓上存儲更多數據,提升每個晶圓的容量,最終降低成本。”
根據英特爾的介紹,670p是在客戶端用于主流計算的英特爾下一代144層QLC 3D NAND固態盤,提供具備Pyrite 2.0安全性和支持斷電通知的端到端數據保護,以幫助提高IT效率并提高PC客戶端中實際使用情況和應用程序的可管理性。
SSD D7-P5510是全球首個推向市場的144層TLC NAND固態盤,主要針對云存儲的大容量替代性產品,能夠幫助加速各種云數據中心工作負載。擁有U.2外形和3.84 TB或7.68 TB容量,在健康狀況的監控方面有所提升。
SSD D5-P5316是業界首個采用144層QLC NAND的數據中心級固態盤,可優化和加速傳統存儲容量,擁有U.2和E.1L兩種外形。與硬盤相比,讀性能提升200%,隨機隨機讀取性能提高了38%,延遲降低了48%。值得一提的是,這也是首款30.72TB PCle固態盤,可在一個機架單位中實現完整PB,或在1U中實現1 PB。
對于NAND閃存的未來,英特爾持樂觀態度。NAND產品與解決方案事業部高級副總裁兼總經理Rob Crooke表示,從總體擁有成本的角度來看,每GB(千兆字節)固態盤的成本與硬盤驅動器的成本非常接近,預計兩者最早在2022年將達到一致。
“我們將兩家具有存儲器戰略意圖的合作公司合并在一起,NAND總收入將超過每年100億美元,而且具有驚人的增長前景。”Rob Crooke說到。
首先是 SSD 670p,為 144 層 QLC 3D NAND 型 SSD,于消費端為主流運算使用,提供端到端資料保護與支援 Pyrite 2.0 安全性和斷電通知,于 PC 消費端有助于提升 IT 效率,以及實際使用應用程式的裝置可管理性。
SSD D7-P551 則采用 144 層 TLC NAND 設計,有助于全方位加速云端資料中心工作負載,以 U.2 外型規格提供 3.84TB 或是 7.68TB 空間容量。具改進后的裝置健康監控,于多租戶(multi-tenant)和虛擬化環境提供更高的靈活彈性,更具備專為云端工作負載而調整的新版演算法與功能,預計 2020 年底開始提供。
最后 SSD D5-P531,同樣采用 144 層 QLC 設計,是針對傳統大容量儲存裝置最佳化與提升速度所研發,預計 2021 上半年開始提供。每個晶粒(Die)具備 128GB 容量,最高可提升 200% 的讀取效能,以及提升 38% 隨機讀取效能,相較傳統硬盤更可降低 48% 存取延遲;將提供 15.36TB 及 30.72TB 容量,并具 U.2 和 E1.L 外型規格。
本文由電子發燒友綜合報道,內容參考自英特爾、it之家,轉載請注明以上來源。
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