2020年Intel TOP3技術創新：10nm工藝位列第二
2020年還有不到2周就過完了，年底又是一個回顧總結的季節了，Intel公司在這一年中有什么技術創新呢？芯片業內人士給點評了一下，10nm SuperFin工藝位列第二。推出這個評選的是推特用戶Witeken，他不僅經常爆料AMD/Intel最新信息，也是芯片行業的專業人士，評選的主要是芯片技術層面的，很專業。
根據他的選擇，2020年Intel第一大技術創新是Lakefield處理器上的Foveros 3D堆棧，這是一種新的3D封裝技術，可以把不通工藝的IP核心封裝在一起，Lakefield的5核心就是1個大4小，分別使用了10nm、22nm工藝的。
第二個創新是Tiger Lake上首發的10nm SuperFin工藝，這也是今年Intel在CPU工藝上最重要的一次進步，使用了全新的Super MIM器件，號稱實現了單節點內最大的性能提升，超過15%。
雖然很多人看工藝數字都覺得Intel的10nm SF工藝不如臺積電7nm、5nm先進，但是別忘了，Intel在半導體技術上的根底還在，10nm工藝的創新確實不少。
第三大創新就是硅基光電子，帶寬是PCIe 6.0的6倍，這也是Intel布局未來半導體技術的一個重點領域，光電子技術也很領先，只是現在還沒大規模商業化。
其他還有3條新技術，分別涉及低溫工藝、A，MX指令集及Statix 10 NX FPGA芯片等，相比前面三條更加專業。
責任編輯：haq
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