目標

本活動的目的是研究BJT的共發射極配置。

背景知識

共發射極放大器是三種基本單級放大器拓撲之一。BJT共發射極放大器一般用作反相電壓放大器。晶體管的基極端為輸入，集電極端為輸出，而發射極為輸入和輸出共用（可連接至參考地端或電源軌），所謂“共射”即由此而來。

材料

●ADALM2000主動學習模塊

●無焊面包板

●五個電阻

●一個50 kΩ可變電阻、電位計

●一個小信號NPN晶體管（2N3904）

指導

圖1所示配置展現了用作共發射極放大器的NPN晶體管。選擇適當的輸出負載電阻RL，用于產生合適的標稱集電極電流IC，VCE電壓約為VP （5 V）的一半。通過可調電阻RPOT與RB來設置晶體管（IB）的標稱偏置工作點，進而設置所需的IC。選擇適當的分壓器R1／R2，以便通過波形發生器W1提供足夠大的輸入激勵衰減?？紤]到在晶體管VBE的基極上會出現非常小的信號，這樣做更容易查看發生器W1信號。衰減波形發生器W1信號通過4．7 uF電容交流耦合到晶體管基極，以免干擾直流偏置條件。

圖1．共發射極放大器測試配置。

硬件設置

波形發生器輸出W1配置為1 kHz正弦波，峰峰值幅度為3 V，偏移為0 V。并將其連接在示波器通道1＋上，以顯示發生器輸出的信號W1。示波器通道2 （2＋）用于交替測量Q1基極和集電極的波形。

圖2．共發射極放大器測試配置面包板連接。

程序步驟

打開連接到BJT晶體管集電極（VP ＝ 5 V）的電源。

配置示波器以捕獲多個周期的輸入信號和輸出信號。

圖3和圖4是使用LTspice? 得到的仿真電路波形圖示例。

圖3．共發射極放大器測試配置，VIN和VCE。

圖4．共發射極放大器測試配置，VIN和VBE。

共發射極放大器的電壓增益A可以表示為負載電阻RL與小信號發射極電阻re的比值。晶體管的跨導gm是集電極電流IC和所謂的熱電壓kT／q的函數，在室溫下其近似值約為25 mV或26 mV。

小信號發射極電阻為1／gm且可視為與發射極串聯?，F在，在基極上施加電壓信號，相同的電流（忽略基極電流）會流入re和集電極負載RL。因此，由RL與re的比值可得到增益A。

圖5所示為另一種共發射極放大器測試電路方案。除了兩個小優勢之外，所有屬性基本相同。其中一個優勢是基極電流偏置不再取決于指數基極電壓（VBE）。第二個優勢是AWG1衰減后輸出的交流小信號與基極偏置電路無關，并且無需交流耦合。當把交流小信號接在運算放大器的同相端子時，由于負反饋的作用，它也會出現在晶體管的基極端（反相運算放大器輸入）。

圖5．替代方案的共發射極放大器測試配置。

圖6．替代方案的共發射極放大器測試配置面包板連接。

圖7．替代方案的共發射極放大器測試配置，VIN和VBE。

圖8．替代方案的共發射極放大器測試配置VBE縮放。