近期，南方科技大學(xué)電子與電氣工程系（下簡稱“電子系”）副教授王愷課題組在鈣鈦礦發(fā)光二極管領(lǐng)域取得系列研究進(jìn)展，先后在信息材料和光學(xué)領(lǐng)域高水平期刊Advanced Materials，ACS Energy Letters，Communications Materials， Optics Express累計發(fā)表4篇論文。

鈣鈦礦發(fā)光二極管（Perovskite Light-Emitting Diode， PeLED）是用鈣鈦礦材料作為發(fā)光層進(jìn)行電光轉(zhuǎn)換的器件。相比其它發(fā)光材料，鈣鈦礦具有發(fā)光峰窄、色域廣、波長易調(diào)、制備方法靈活兼顧低成本等特點，因而PeLED在顯示領(lǐng)域極具應(yīng)用前景。

得益于準(zhǔn)二維鈣鈦礦獨特的多量子阱結(jié)構(gòu)，近年來基于準(zhǔn)二維鈣鈦礦制備的藍(lán)光PeLED引起了廣泛的關(guān)注。然而傳統(tǒng)的準(zhǔn)二維鈣鈦礦相分布較寬，尤其是大量低階相組分（n=1， 2），阻礙了鈣鈦礦相之間有效的能量傳遞，導(dǎo)致較低的器件發(fā)光性能。此外，鈣鈦礦在結(jié)晶成膜的過程中會不可避免的產(chǎn)生一些缺陷態(tài)，使得電子-空穴對的非輻射復(fù)合幾率上升，進(jìn)一步制約著器件性能的提升。

在發(fā)表于ACS Energy Letters的研究中，課題組提出了準(zhǔn)二維鈣鈦礦與二維鈣鈦礦結(jié)合的方法，發(fā)現(xiàn)雙配體制備的準(zhǔn)二維鈣鈦礦可以有效抑制低階相鈣鈦礦的生長，提高了鈣鈦礦的相純度，從而有效改善了鈣鈦礦相之間的能量傳遞，并實現(xiàn)穩(wěn)定的電致發(fā)光峰位。與此同時，研究還發(fā)現(xiàn)過量的PEABr可以填補鈣鈦礦結(jié)晶過程中產(chǎn)生的離子空位，降低鈣鈦礦的缺陷態(tài)密度。最終，基于鈣鈦礦相分布調(diào)節(jié)以及缺陷鈍化的策略制備出高效（EQE=7.51%）的鈣鈦礦藍(lán)光器件，比對照樣PeLED（EQE=3.46%）提高了117%。課題組訪問博士后任振偉為該論文第一作者，王愷、南科大電子系教授陳銳和香港大學(xué)教授Wallace C. H. Choy為共同通訊作者。研究工作得到了南科大電子系講席教授孫小衛(wèi)的大力支持。

圖 1. PeLED器件結(jié)構(gòu)與性能，以及PeLED在恒定電流驅(qū)動下電致發(fā)光光譜（ACS Energy Lett. 2020， 5， 2569）

雖然通過提高準(zhǔn)二維鈣鈦礦的相純度可以提高相間能量傳遞過程，但是基于單一官能團（有機胺離子）制備的準(zhǔn)二維鈣鈦礦，有機鏈之間的堆疊使得不同相之間存在范德華力，從而使得相之間不可避免地產(chǎn)生范德華間隙，制約著能量更加有效地傳遞。在發(fā)表于Advanced Materials的研究論文中，課題組在準(zhǔn)二維鈣鈦礦中引入含有雙官能團（氨基和羧基）的配體，促進(jìn)了不同鈣鈦礦相間的耦合作用，從而有效提高了鈣鈦礦相間的能量傳遞，顯著提升器件性能。研究結(jié)果表明，基于ABABr配體修飾的藍(lán)光PeLED獲得了超過10% 的外量子效率（EQE=10.11%），比未修飾樣PeLED（EQE=7.07%）提高了40%，相應(yīng)地器件工作壽命也從32.1 min提高到81.3 min，使得器件性能位于目前藍(lán)光PeLED報道的最高性能之列。課題組訪問博士后任振偉為該論文第一作者，王愷、陳銳和香港大學(xué)Wallace C. H. Choy為共同通訊作者。

圖2. 準(zhǔn)二維鈣鈦礦層間相互作用，藍(lán)光PeLED電致發(fā)光CIE坐標(biāo)及其器件性能（Adv. Mater. 2020， 2005570）

同時，在鈣鈦礦發(fā)光二極管中，還存在電子注入過剩、空穴注入不足的問題。過剩的電子容易在界面積累，引發(fā)激子猝滅等問題，不利于器件性能提高。因此，增強器件中空穴的注入，促進(jìn)載流子的注入平衡，對于提高PeLED性能十分必要。在發(fā)表于Communications Materials的研究成果，課題組提出了一種基于電偶極層的空穴注入增強策略。首先，通過引入電荷輸運的跳躍模型分析，研究團隊證實了介于空穴注入層與空穴傳輸層之間的電偶極層對空穴注入的增強作用。而MoO3具備深能級特性，極易與相鄰空穴注入層及空穴傳輸層產(chǎn)生電荷轉(zhuǎn)移，從而形成大量電偶極子，極大增強空穴注入速率。器件內(nèi)部的電場分布、載流子密度分布和復(fù)合速率分布的仿真計算結(jié)果從理論上證明了MoO3電偶極層對空穴注入的增強效果。器件的低頻電容-電壓特性分析結(jié)果也驗證了這一結(jié)論。在理論分析與仿真計算的基礎(chǔ)上，課題組基于MoO3電偶極層制備出的綠光PeLED外量子效率從8.7%顯著提升至16.8%，且電流效率高達(dá)72.7cd A-1，電流效率是已知同類器件中的最高值。課題組2017級南科大-港大聯(lián)合培養(yǎng)博士生肖翔天和2019級南科大-新加坡國大聯(lián)合培養(yǎng)博士生葉泰康為該論文共同第一作者，王愷和Wallace C. H. Choy為共同通訊作者。研究工作得到了孫小衛(wèi)的大力支持。

圖3. （a）電偶極層結(jié)構(gòu)示意圖；（b）器件載流子密度分布；（c）器件內(nèi)電場分布；（d）對照組器件復(fù)合速率分布；（e）引入MoO3電偶極層后器件復(fù)合速率分布；（f）外量子效率-電流密度特性曲線；（g）電流效率-電流密度特性曲線；（h）電容-電壓特性曲線。（Communications Materials 2020， 1， 81）

較高工作溫度會對QLED/PeLED壽命產(chǎn)生嚴(yán)重影響，因此課題組進(jìn)一步研究了不同因素對QLED/PeLED工作溫度的影響。在發(fā)表于Optics Express的工作中，課題組建立了得到實驗驗證的QLED/PeLED熱學(xué)模型，系統(tǒng)地分析了電光轉(zhuǎn)換效率、工作電壓、電流密度、有效工作面積、襯底尺寸、襯底材料以及環(huán)境條件等各種不同因素對器件工作溫度的影響規(guī)律，明晰了處于安全工作溫度的條件邊界，為發(fā)展高穩(wěn)定性QLED/PeLED提供了有效指導(dǎo)。課題組2018級南科大-澳大聯(lián)合培養(yǎng)博士生張?zhí)扃鶠樵撜撐牡牡谝蛔髡撸鯋鸷桶拈T大學(xué)副教授邢貴川為共同通訊作者。

圖4. QLED/PeLED中：（a）電能轉(zhuǎn)化為光能與熱能的示意圖；（b）實際工作溫度和 （c）在同等工作條件下仿真的溫度結(jié)果；（d）-（i）不同影響因素對工作溫度的影響。（Opt. Express. 2020， 28， 34167）

以上研究還得到了孫小衛(wèi)、微電子學(xué)院副教授汪飛、蘇州大學(xué)教授尹萬健、華中科技大學(xué)教授羅小兵、香港科技大學(xué)教授Kam Sing Wong、香港中文大學(xué)助理教授路新慧和南方科技大學(xué)分析測試中心，以及國家自然基金、國家重點研發(fā)計劃、廣東省自然科學(xué)杰出青年基金等項目和廣東省普通高校量子點先進(jìn)顯示與照明重點實驗的支持。

責(zé)任編輯：PSY