MOS管封裝分類

按照安裝在PCB板上的方式來劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。

插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有：雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網格陣列封裝(PGA)三種樣式。

插入式封裝

表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形(D-PAK)、小外形晶體管(SOT)、小外形封裝(SOP)、方形扁平式封裝(QFP)、塑封有引線芯片載體(PLCC)等。

表面貼裝式封裝

隨著技術的發展，目前主板、顯卡等的PCB板采用直插式封裝方式的越來越少，更多地選用了表面貼裝式封裝方式。

1、雙列直插式封裝(DIP)

DIP封裝有兩排引腳，需要插入到具有DIP結構的芯片插座上，其派生方式為SDIP(Shrink DIP)，即緊縮雙入線封裝，較DIP的針腳密度高6倍。

DIP封裝結構形式有：多層陶瓷雙列直插式DIP、單層陶瓷雙列直插式DIP、引線框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封結構式、陶瓷低熔玻璃封裝式)等。DIP封裝的特點是可以很方便地實現PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。

但由于其封裝面積和厚度都比較大，而且引腳在插拔過程中很容易被損壞，可靠性較差;同時由于受工藝的影響，引腳一般都不超過100個，因此在電子產業高度集成化過程中，DIP封裝逐漸退出了歷史舞臺。

2、晶體管外形封裝(TO)

屬于早期的封裝規格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封裝設計。

TO-3P/247：是中高壓、大電流MOS管常用的封裝形式，產品具有耐壓高、抗擊穿能力強等特點。

TO-220/220F：TO-220F是全塑封裝，裝到散熱器上時不必加絕緣墊;TO-220帶金屬片與中間腳相連，裝散熱器時要加絕緣墊。這兩種封裝樣式的MOS管外觀差不多，可以互換使用。

TO-251：該封裝產品主要是為了降低成本和縮小產品體積，主要應用于中壓大電流60A以下、高壓7N以下環境中。

TO-92：該封裝只有低壓MOS管(電流10A以下、耐壓值60V以下)和高壓1N60/65在采用，目的是降低成本。

近年來，由于插入式封裝工藝焊接成本高、散熱性能也不如貼片式產品，使得表面貼裝市場需求量不斷增大，也使得TO封裝發展到表面貼裝式封裝。TO-252(又稱之為D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面貼裝封裝。

TO封裝產品外觀

TO252/D-PAK是一種塑封貼片封裝，常用于功率晶體管、穩壓芯片的封裝，是目前主流封裝之一。

采用該封裝方式的MOSFET有3個電極，柵極(G)、漏極(D)、源極(S)。

其中漏極(D)的引腳被剪斷不用，而是使用背面的散熱板作漏極(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于輸出大電流，一方面通過PCB散熱;所以PCB的D-PAK焊盤有三處，漏極(D)焊盤較大。其封裝規范如下：

TO-252/D-PAK封裝尺寸規格

TO-263是TO-220的一個變種，主要是為了提高生產效率和散熱而設計，支持極高的電流和電壓，在150A以下、30V以上的中壓大電流MOS管中較為多見。

除了D2PAK(TO-263AB)之外，還包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等樣式，與TO-263為從屬關系，主要是引出腳數量和距離不同。

TO-263/D2PAK封裝尺寸規格

3、插針網格陣列封裝(PGA)

PGA(Pin Grid Array Package)芯片內外有多個方陣形的插針，每個方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列，根據管腳數目的多少，可以圍成2～5圈。安裝時，將芯片插入專門的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的優勢，能適應更高的頻率。

PGA封裝樣式

其芯片基板多數為陶瓷材質，也有部分采用特制的塑料樹脂來做基板，在工藝上，引腳中心距通常為2.54mm，引腳數從64到447不等。

這種封裝的特點是，封裝面積(體積)越小，能夠承受的功耗(性能)就越低，反之則越高。這種封裝形式芯片在早期比較多見，且多用于CPU等大功耗產品的封裝，如英特爾的80486、Pentium均采用此封裝樣式;不大為MOS管廠家所采納。

4、小外形晶體管封裝(SOT)

SOT(Small Out-Line Transistor)是貼片型小功率晶體管封裝，主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25(即SOT23-5)等，又衍生出SOT323、SOT363/SOT26(即SOT23-6)等類型，體積比TO封裝小。

SOT封裝類型

SOT23是常用的三極管封裝形式，有3條翼形引腳，分別為集電極、發射極和基極，分別列于元件長邊兩側，其中，發射極和基極在同一側，常見于小功率晶體管、場效應管和帶電阻網絡的復合晶體管，強度好，但可焊性差，外形如下圖(a)所示。

SOT89具有3條短引腳，分布在晶體管的一側，另外一側為金屬散熱片，與基極相連，以增加散熱能力，常見于硅功率表面組裝晶體管，適用于較高功率的場合，外形如下圖(b)所示。

SOT143具有4條翼形短引腳，從兩側引出，引腳中寬度偏大的一端為集電極，這類封裝常見于高頻晶體管，外形如下圖(c)所示。

SOT252屬于大功率晶體管，3條引腳從一側引出，中間一條引腳較短，為集電極，與另一端較大的引腳相連，該引腳為散熱作用的銅片，外形如下圖(d)所示。

常見SOT封裝外形比較

主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。其規格尺寸如下：

SOT-89 MOSFET尺寸規格(單位：mm)

5、小外形封裝(SOP)

SOP(Small Out-Line Package)是表面貼裝型封裝之一，也稱之為SOL或DFP，引腳從封裝兩側引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。

SOP封裝標準有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP后面的數字表示引腳數。MOSFET的SOP封裝多數采用SOP-8規格，業界往往把“P”省略，簡寫為SO(Small Out-Line)。

SOP-8封裝尺寸

SO-8為PHILIP公司率先開發，采用塑料封裝，沒有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFET。

后逐漸派生出TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)等標準規格;其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。

常用于MOS管的SOP派生規格

6、方形扁平式封裝(QFP)

QFP(Plastic Quad Flat Package)封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細，一般在大規模或超大型集成電路中采用，其引腳數一般在100個以上。

用這種形式封裝的芯片必須采用SMT表面安裝技術將芯片與主板焊接起來。該封裝方式具有四大特點：

①適用于SMD表面安裝技術在PCB電路板上安裝布線;

②適合高頻使用;

③操作方便,可靠性高;

④芯片面積與封裝面積之間的比值較小。

與PGA封裝方式一樣，該封裝方式將芯片包裹在塑封體內，無法將芯片工作時產生的熱量及時導出，制約了MOSFET性能的提升;而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半導體向輕、薄、短、小方向發展的要求;另外，此類封裝方式是基于單顆芯片進行，存在生產效率低、封裝成本高的問題。

因此，QFP更適于微處理器/門陳列等數字邏輯LSI電路采用，也適于VTR信號處理、音響信號處理等模擬LSI電路產品封裝。

7、四邊無引線扁平封裝(QFN)

QFN(Quad Flat Non-leaded package)封裝四邊配置有電極接點，由于無引線，貼裝表現出面積比QFP小、高度比QFP低的特點;其中陶瓷QFN也稱為LCC(Leadless Chip Carriers)，采用玻璃環氧樹脂印刷基板基材的低成本塑料QFN則稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC等。

是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術。

QFN主要用于集成電路封裝，MOSFET不會采用。不過因Intel提出整合驅動與MOSFET方案，而推出了采用QFN-56封裝(“56”指芯片背面有56個連接Pin)的DrMOS。

需要說明的是，QFN封裝與超薄小外形封裝(TSSOP)具有相同的外引線配置，而其尺寸卻比TSSOP的小62%。根據QFN建模數據，其熱性能比TSSOP封裝提高了55%，電性能(電感和電容)比TSSOP封裝分別提高了60%和30%。最大的缺點則是返修難度高。

采用QFN-56封裝的DrMOS

傳統的分立式DC/DC降壓開關電源無法滿足對更高功耗密度的要求，也不能解決高開關頻率下的寄生參數影響問題。

隨著技術的革新與進步，把驅動器和MOSFET整合在一起，構建多芯片模塊已經成為了現實，這種整合方式同時可以節省相當可觀的空間從而提升功耗密度，通過對驅動器和MOS管的優化提高電能效率和優質DC電流，這就是整合驅動IC的DrMOS。

瑞薩第2代DrMOS

經過QFN-56無腳封裝，讓DrMOS熱阻抗很低;借助內部引線鍵合以及銅夾帶設計，可最大程度減少外部PCB布線，從而降低電感和電阻。

另外，采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導、開關和柵極電荷損耗;并能兼容多種控制器，可實現不同的工作模式，支持主動相變換模式APS(Auto Phase Switching)。

除了QFN封裝外，雙邊扁平無引腳封裝(DFN)也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。

8、塑封有引線芯片載體(PLCC)

PLCC(Plastic Quad Flat Package)外形呈正方形，尺寸比DIP封裝小得多，有32個引腳，四周都有管腳，引腳從封裝的四個側面引出，呈丁字形，是塑料制品。

其引腳中心距1.27mm，引腳數從18到84不等，J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優點。

PLCC封裝是比較常見，用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路，主板BIOS常采用的這種封裝形式，不過目前在MOS管中較少見。

PLCC封裝樣式

主流企業的封裝與改進

由于CPU的低電壓、大電流的發展趨勢，對MOSFET提出輸出電流大，導通電阻低，發熱量低散熱快，體積小的要求。MOSFET廠商除了改進芯片生產技術和工藝外，也不斷改進封裝技術，在與標準外形規格兼容的基礎上，提出新的封裝外形，并為自己研發的新封裝注冊商標名稱。

1、瑞薩(RENESAS)WPAK、LFPAK和LFPAK-I封裝

WPAK是瑞薩開發的一種高熱輻射封裝，通過仿D-PAK封裝那樣把芯片散熱板焊接在主板上，通過主板散熱，使小形封裝的WPAK也可以達到D-PAK的輸出電流。WPAK-D2封裝了高/低2顆MOSFET，減小布線電感。

瑞薩WPAK封裝尺寸

LFPAK和LFPAK-I是瑞薩開發的另外2種與SO-8兼容的小形封裝。LFPAK類似D-PAK，但比D-PAK體積小。LFPAK-i是將散熱板向上，通過散熱片散熱。

瑞薩LFPAK和LFPAK-I封裝

2、威世(Vishay)Power-PAK和Polar-PAK封裝

Power-PAK是威世公司注冊的MOSFET封裝名稱。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8兩種規格。

威世Power-PAK1212-8封裝

威世Power-PAK SO-8封裝

Polar PAK是雙面散熱的小形封裝，也是威世核心封裝技術之一。Polar PAK與普通的so-8封裝相同，其在封裝的上、下兩面均設計了散熱點，封裝內部不易蓄熱，能夠將工作電流的電流密度提高至SO-8的2倍。目前威世已向意法半導體公司提供Polar PAK技術授權。

威世Polar PAK封裝

3、安森美(Onsemi)SO-8和WDFN8扁平引腳(Flat Lead)封裝

安美森半導體開發了2種扁平引腳的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引腳被很多板卡采用。安森美新近推出的NVMx和NVTx功率MOSFET就采用了緊湊型DFN5(SO-8FL)和WDFN8封裝，可最大限度地降低導通損耗，另外還具有低QG和電容，可將驅動器損耗降到最低的特性。

安森美SO-8扁平引腳封裝

安森美WDFN8封裝

4、恩智浦(NXP)LFPAK和QLPAK封裝

恩智浦(原Philps)對SO-8封裝技術改進為LFPAK和QLPAK。其中LFPAK被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝;而QLPAK具有體積小、散熱效率更高的特點，與普通SO-8相比，QLPAK占用PCB板的面積為6*5mm，同時熱阻為1.5k/W。

恩智浦LFPAK封裝

恩智浦QLPAK封裝

5、意法(ST)半導體PowerSO-8封裝

意法半導體功率MOSFET芯片封裝技術有SO-8、PowerSO-8、PowerFLAT、DirectFET、PolarPAK等，其中PowerSO-8正是SO-8的改進版，此外還有PowerSO-10、PowerSO-20、TO-220FP、H2PAK-2等封裝。

意法半導體Power SO-8封裝

6、飛兆(Fairchild)半導體Power 56封裝

Power 56是Farichild的專用稱呼，正式名稱為DFN 5×6。其封裝面積跟常用的TSOP-8不相上下，而薄型封裝又節約元件凈空高度，底部Thermal-Pad設計降低了熱阻，因此很多功率器件廠商都部署了DFN 5×6。

Fairchild Power 56封裝

7、國際整流器(IR)Direct FET封裝

Direct FET能在SO-8或更小占位面積上，提供高效的上部散熱，適用于計算機、筆記本電腦、電信和消費電子設備的AC-DC及DC-DC功率轉換應用。與標準塑料分立封裝相比，DirectFET的金屬罐構造具有雙面散熱功能，因而可有效將高頻DC-DC降壓式轉換器的電流處理能力增加一倍。

Direct FET封裝屬于反裝型，漏極(D)的散熱板朝上，并覆蓋金屬外殼，通過金屬外殼散熱。Direct FET封裝極大地改善了散熱，并且占用空間更小，散熱良好。

國際整流器Direct FET封裝

IR Direct FET封裝系列部分產品規格

內部封裝改進方向

除了外部封裝，基于電子制造對MOS管的需求的變化，內部封裝技術也在不斷得到改進，這主要從三個方面進行：改進封裝內部的互連技術、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導方向。

1、封裝內部的互連技術

TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內部互連封裝技術，當CPU或GPU供電發展到低電壓、大電流時代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結到PCB和外殼熱阻等因素的限制。

SO-8內部封裝結構

這四種限制對其電學和熱學性能有著極大的影響。隨著電流密度的提高，MOSFET廠商在采用SO-8尺寸規格時，同步對焊線互連形式進行了改進，用金屬帶、或金屬夾板代替焊線，以降低封裝電阻、電感和熱阻。

標準型SO-8與無導線SO-8封裝對比

國際整流器(IR)的改進技術稱之為Copper Strap;威世(Vishay)稱之為Power Connect技術;飛兆半導體則叫做Wireless Package。新技術采用銅帶取代焊線后，熱阻降低了10-20%，源極至封裝的電阻降低了61%。

國際整流器的Copper Strap技術

威世的Power Connect技術

飛兆半導體的Wirless Package技術

2、增加漏極散熱板

標準的SO-8封裝采用塑料將芯片包圍，低熱阻的熱傳導通路只是芯片到PCB的引腳。而底部緊貼PCB的塑料外殼是熱的不良導體，故而影響了漏極的散熱。

技術改進就是要除去引線框下方的塑封化合物，方法是讓引線框金屬結構直接或加一層金屬板與PCB接觸，并焊接到PCB焊盤上，這樣就提供了更多的散熱接觸面積，把熱量從芯片上帶走;同時也可以制成更薄的器件。

威世Power-PAK技術

威世的Power-PAK、法意半導體的Power SO-8、安美森半導體的SO-8 Flat Lead、瑞薩的WPAK/LFPAK、飛兆半導體的Power 56和Bottomless Package都采用了此散熱技術。

3、改變散熱的熱傳導方向

Power-PAK的封裝雖然顯著減小了芯片到PCB的熱阻，但當電流需求繼續增大時，PCB同時會出現熱飽和現象。所以散熱技術的進一步改進就是改變散熱方向，讓芯片的熱量傳導到散熱器而不是PCB。

瑞薩LFPAK-i封裝

瑞薩的LFPAK-I封裝、國際整流器的Direct FET封裝均是這種散熱技術的典型代表。

總結

未來，隨著電子制造業繼續朝著超薄、小型化、低電壓、大電流方向的發展，MOS管的外形及內部封裝結構也會隨之改變，以更好適應制造業的發展需求。另外，為降低電子制造商的選用門檻，MOS管向模塊化、系統級封裝方向發展的趨勢也將越來越明顯，產品將從性能、成本等多維度協調發展。

而封裝作為MOS管選型的重要參考因素之一，不同的電子產品有不同的電性要求，不同的安裝環境也需要匹配的尺寸規格來滿足。實際選用中，應在大原則下，根據實際需求情況來做抉擇。

有些電子系統受制于PCB的尺寸和內部的高度，如通信系統的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝;在有些ACDC的電源中，使用超薄設計或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產品;也有些超薄設計需要將器件管腳折彎平放，這會加大MOS管選用的復雜度。

如何選取MOSFET

一位工程師曾經對我講，他從來不看MOSFET數據表的第一頁，因為“實用”的信息只在第二頁以后才出現。事實上，MOSFET數據表上的每一頁都包含有對設計者非常有價值的信息。但人們不是總能搞得清楚該如何解讀制造商提供的數據。本文概括了一些MOSFET的關鍵指標，這些指標在數據表上是如何表述的，以及你理解這些指標所要用到的清晰圖片。像大多數電子器件一樣，MOSFET也受到工作溫度的影響。所以很重要的一點是了解測試條件，所提到的指標是在這些條件下應用的。還有很關鍵的一點是弄明白你在“產品簡介”里看到的這些指標是“最大”或是“典型”值，因為有些數據表并沒有說清楚。

電壓等級

確定MOSFET的首要特性是其漏源電壓VDS，或“漏源擊穿電壓”，這是在柵極短路到源極，漏極電流在250μA情況下，MOSFET所能承受的保證不損壞的最高電壓。VDS也被稱為“25℃下的絕對最高電壓”，但是一定要記住，這個絕對電壓與溫度有關，而且數據表里通常有一個“VDS溫度系數”。你還要明白，最高VDS是直流電壓加上可能在電路里存在的任何電壓尖峰和紋波。例如，如果你在電壓30V并帶有100mV、5ns尖峰的電源里使用30V器件，電壓就會超過器件的絕對最高限值，器件可能會進入雪崩模式。在這種情況下，MOSFET的可靠性沒法得到保證。

在高溫下，溫度系數會顯著改變擊穿電壓。例如，一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數是正的，在接近最高結溫時，溫度系數會讓這些MOSFET變得象650V MOSFET。很多MOSFET用戶的設計規則要求10%～20%的降額因子。在一些設計里，考慮到實際的擊穿電壓比25℃下的額定數值要高5%~10%，會在實際設計中增加相應的有用設計裕量，對設計是很有利的。

對正確選擇MOSFET同樣重要的是理解在導通過程中柵源電壓VGS的作用。這個電壓是在給定的最大RDS(on)條件下，能夠確保MOSFET完全導通的電壓。這就是為什么導通電阻總是與VGS水平關聯在一起的原因，而且也是只有在這個電壓下才能保證器件導通。一個重要的設計結果是，你不能用比用于達到RDS(on)額定值的最低VGS還要低的電壓，來使MOSFET完全導通。例如，用3.3V微控制器驅動MOSFET完全導通，你需要用在VGS= 2.5V或更低條件下能夠導通的MOSFET。

導通電阻，柵極電荷，以及“優值系數”

MOSFET的導通電阻總是在一個或多個柵源電壓條件下確定的。最大RDS(on)限值可以比典型數值高20%～50%。RDS(on)最大限值通常指的25℃結溫下的數值，而在更高的溫度下，RDS(on)可以增加30%～150%，如圖1所示。由于RDS(on)隨溫度而變，而且不能保證最小的電阻值，根據RDS(on)來檢測電流不是很準確的方法。

圖1 RDS(on)在最高工作溫度的30%～150%這個范圍內隨溫度增加而增加

導通電阻對N溝道和P溝道MOSFET都是十分重要的。在開關電源中，Qg是用在開關電源里的N溝道MOSFET的關鍵選擇標準，因為Qg會影響開關損耗。這些損耗有兩個方面影響：一個是影響MOSFET導通和關閉的轉換時間；另一個是每次開關過程中對柵極電容充電所需的能量。要牢記的一點是，Qg取決于柵源電壓，即使用更低的Vgs可以減少開關損耗。

作為一種快速比較準備用在開關應用里MOSFET的方式，設計者經常使用一個單數公式，公式包括表示傳導損耗RDS(on)及表示開關損耗的Qg：RDS(on) xQg。這個“優值系數”(FOM)總結了器件的性能，可以用典型值或最大值來比較MOSFET。要保證在器件中進行準確的比較，你需要確定用于RDS(on) 和Qg的是相同的VGS，在公示里典型值和最大值沒有碰巧混在一起。較低的FOM能讓你在開關應用里獲得更好的性能，但是不能保證這一點。只有在實際的電路里才能獲得最好的比較結果，在某些情況下可能需要針對每個MOSFET對電路進行微調。

額定電流和功率耗散

基于不同的測試條件，大多數MOSFET在數據表里都有一個或多個的連續漏極電流。你要仔細看看數據表，搞清楚這個額定值是在指定的外殼溫度下(比如TC = 25℃)，或是環境溫度(比如TA = 25℃)。這些數值當中哪些是最相關將取決于器件的特性和應用(見圖2)。

圖2 全部絕對最大電流和功率數值都是真實的數據

對于用在手持設備里的小型表面貼裝器件，關聯度最高的電流等級可能是在70℃環境溫度下的電流，對于有散熱片和強制風冷的大型設備，在TA = 25℃下的電流等級可能更接近實際情況。對于某些器件來說，管芯在其最高結溫下能夠處理的電流要高于封裝所限定的電流水平，在一些數據表，這種“管芯限定”的電流等級是對“封裝限定”電流等級的額外補充信息，可以讓你了解管芯的魯棒性。

對于連續的功率耗散也要考慮類似的情況，功耗耗散不僅取決于溫度，而且取決于導通時間。設想一個器件在TA= 70℃情況下，以PD=4W連續工作10秒鐘。構成“連續”時間周期的因素會根據MOSFET封裝而變化，所以你要使用數據表里的標準化熱瞬態阻抗圖，看經過10秒、100秒或10分鐘后的功率耗散是什么樣的。如圖3所示，這個專用器件經過10秒脈沖后的熱阻系數大約是0.33，這意味著經過大約10分鐘后，一旦封裝達到熱飽和，器件的散熱能力只有1.33W而不是4W，盡管在良好冷卻的情況下器件的散熱能力可以達到2W左右。

圖3 MOSFET在施加功率脈沖情況下的熱阻

實際上，我們可以把MOSFET選型分成四個步驟。

第一步：選用N溝道還是P溝道

為設計選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應用中，當一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構成了低壓側開關。在低壓側開關中，應采用N溝道MOSFET，這是出于對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側開關。通常會在這個拓撲中采用P溝道MOSFET，這也是出于對電壓驅動的考慮。

要選擇適合應用的器件，必須確定驅動器件所需的電壓，以及在設計中最簡易執行的方法。下一步是確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOSFET能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。設計人員必須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。設計工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備(如電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。不同應用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。

第二步：確定額定電流

第二步是選擇MOSFET的額定電流。視電路結構而定，該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設計人員必須確保所選的MOSFET能承受這個額定電流，即使在系統產生尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下，MOSFET處于穩態，此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。

選好額定電流后，還必須計算導通損耗。在實際情況下，MOSFET并不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOSFET在“導通”時就像一個可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOSFET施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會越小；反之RDS(ON)就會越高。對系統設計人員來說，這就是取決于系統電壓而需要折中權衡的地方。對便攜式設計來說，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業設計，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微上升。關于RDS(ON)電阻的各種電氣參數變化可在制造商提供的技術資料表中查到。

技術對器件的特性有著重大影響，因為有些技術在提高最大VDS時往往會使RDS(ON)增大。對于這樣的技術，如果打算降低VDS和RDS(ON)，那么就得增加晶片尺寸，從而增加與之配套的封裝尺寸及相關的開發成本。業界現有好幾種試圖控制晶片尺寸增加的技術，其中最主要的是溝道和電荷平衡技術。

在溝道技術中，晶片中嵌入了一個深溝，通常是為低電壓預留的，用于降低導通電阻RDS(ON)。為了減少最大VDS對RDS(ON)的影響，開發過程中采用了外延生長柱/蝕刻柱工藝。例如，飛兆半導體開發了稱為SuperFET的技術，針對RDS(ON)的降低而增加了額外的制造步驟。

這種對RDS(ON)的關注十分重要，因為當標準MOSFET的擊穿電壓升高時，RDS(ON)會隨之呈指數級增加，并且導致晶片尺寸增大。SuperFET工藝將RDS(ON)與晶片尺寸間的指數關系變成了線性關系。這樣，SuperFET器件便可在小晶片尺寸，甚至在擊穿電壓達到600V的情況下，實現理想的低RDS(ON)。結果是晶片尺寸可減小達35%。而對于最終用戶來說，這意味著封裝尺寸的大幅減小。

第三步：確定熱要求

選擇MOSFET的下一步是計算系統的散熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議采用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全余量，能確保系統不會失效。在MOSFET的資料表上還有一些需要注意的測量數據；比如封裝器件的半導體結與環境之間的熱阻，以及最大的結溫。

器件的結溫等于最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結溫=最大環境溫度+[熱阻×功率耗散])。根據這個方程可解出系統的最大功率耗散，即按定義相等于I2×RDS(ON)。由于設計人員已確定將要通過器件的最大電流，因此可以計算出不同溫度下的RDS(ON)。值得注意的是，在處理簡單熱模型時，設計人員還必須考慮半導體結/器件外殼及外殼/環境的熱容量；即要求印刷電路板和封裝不會立即升溫。

雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過最大值，并形成強電場使器件內電流增加。該電流將耗散功率，使器件的溫度升高，而且有可能損壞器件。半導體公司都會對器件進行雪崩測試，計算其雪崩電壓，或對器件的穩健性進行測試。計算額定雪崩電壓有兩種方法；一是統計法，另一是熱計算。而熱計算因為較為實用而得到廣泛采用。不少公司都有提供其器件測試的詳情，如飛兆半導體提供了“Power MOSFET Avalanche Guidelines”（ Power MOSFET Avalanche Guidelines--可以到Fairchild網站去下載）。除計算外，技術對雪崩效應也有很大影響。例如，晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力，最終提高器件的穩健性。對最終用戶而言，這意味著要在系統中采用更大的封裝件。

第四步：決定開關性能

選擇MOSFET的最后一步是決定MOSFET的開關性能。影響開關性能的參數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOSFET的開關速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過程中器件的總損耗，設計人員必須計算開通過程中的損耗(Eon)和關閉過程中的損耗(Eoff)。MOSFET開關的總功率可用如下方程表達：Psw=(Eon+Eoff)×開關頻率。而柵極電荷(Qgd)對開關性能的影響最大。

基于開關性能的重要性，新的技術正在不斷開發以解決這個開關問題。芯片尺寸的增加會加大柵極電荷；而這會使器件尺寸增大。為了減少開關損耗，新的技術如溝道厚底氧化已經應運而生，旨在減少柵極電荷。舉例說，SuperFET這種新技術就可通過降低RDS(ON)和柵極電荷(Qg)，最大限度地減少傳導損耗和提高開關性能。這樣，MOSFET就能應對開關過程中的高速電壓瞬變(dv/dt)和電流瞬變(di/dt)，甚至可在更高的開關頻率下可靠地工作。

原文標題：MOSFET廠商匯總！

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