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研究人員發(fā)現(xiàn)新型實(shí)用硅基LED 比以前的正向偏壓硅LED亮度高10倍

IEEE電氣電子工程師 ? 來源:IEEE電氣電子工程師學(xué)會(huì) ? 作者:IEEE電氣電子工程師 ? 2021-01-16 09:16 ? 次閱讀

十年來,研究人員一直試圖制造出一種有效的硅LED,這種LED可以與其芯片一起制造。在設(shè)備層面上,這種探索對(duì)于我們的移動(dòng)設(shè)備上沒有的所有應(yīng)用程序都很重要,這些應(yīng)用程序?qū)⒁蕾嚵畠r(jià)且易于制造的紅外線光源。

硅LED專門用于紅外光,使其適用于自動(dòng)對(duì)焦相機(jī)或測(cè)量距離的能力 -- 大多數(shù)手機(jī)現(xiàn)在都有的功能。但實(shí)際上沒有電子產(chǎn)品使用硅發(fā)光二極管,而是要選擇更昂貴的材料,必須單獨(dú)制造。

然而,這種難以捉摸的發(fā)光硅基二極管的前景可能正在發(fā)生改變。麻省理工學(xué)院的研究人員在博士生Jin Xue的帶領(lǐng)下,設(shè)計(jì)了一種帶有硅LED的功能性CMOS芯片,由新加坡GlobalFoundries公司制造。他們?cè)谧罱腎EEE International Electron Devices(IEDM)大會(huì)上介紹了他們的工作。

坦率地說,迄今為止的主要問題是,硅并不是一種很好的LED材料。

LED由一個(gè)n型區(qū)域組成,該區(qū)域富含激發(fā)的自由電子,與一個(gè)p型區(qū)域連接,該區(qū)域包含正電荷的“空穴”供這些電子填充。當(dāng)電子進(jìn)入這些空穴時(shí),它們會(huì)降低能級(jí),釋放出能量的差異。像氮化鎵或砷化鎵這樣的標(biāo)準(zhǔn)LED材料是直接帶隙材料,其電子是強(qiáng)大的光發(fā)射體,其導(dǎo)帶最小值和價(jià)帶最大值具有同一電子動(dòng)量,導(dǎo)帶底的電子與價(jià)帶頂?shù)目昭梢酝ㄟ^輻射復(fù)合而發(fā)光,復(fù)合幾率大,發(fā)光效率高。

然而,硅是一種間接帶隙半導(dǎo)體材料,其導(dǎo)帶最小值和價(jià)帶最大值的動(dòng)量值不同。因此,硅材料中的電子傾向于將能量轉(zhuǎn)化為熱,而不是光,使得硅基LED的能量轉(zhuǎn)換速度和效率均低于其同類產(chǎn)品。

因此,只有突破能隙問題,硅基LED才有可能真正投入使用。

針對(duì)能隙問題,目前的解決方案主要有兩種,一種是制造硅鍺合金,另一種是采用正偏/反偏方法。

第一種方法即制造硅鍺合金。通過改變硅晶格的形狀,使其從立方結(jié)構(gòu)變?yōu)榱浇Y(jié)構(gòu),再將硅鍺兩種材料按一定比例組合起來,可以得到直接帶隙的合金。

今年早些時(shí)候,荷蘭埃因霍芬理工大學(xué)Erik Bakkers領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)采用VLS生長(zhǎng)納米硅線成功制備出一種新型硅鍺合金發(fā)光材料,并研制出一款能夠集成到現(xiàn)有芯片中的硅基激光器。該團(tuán)隊(duì)表示,這款小小的激光器或許能在未來大幅降低數(shù)據(jù)傳輸?shù)某杀荆⑻岣咝省?/p>

這不乏是一種好方法,不過制備六方結(jié)構(gòu)硅材料并非易事,其晶像也難以控制。

第二種方法即正偏/反偏方法。其中反偏技術(shù)至今已有50余年的歷史。

什么是反偏呢?其全稱是反向偏置,這樣一來,電子無法立馬和空穴復(fù)合,當(dāng)電場(chǎng)達(dá)到臨界強(qiáng)度后,電子加速運(yùn)動(dòng),電流倍增,形成“電雪崩”。LED可以利用“雪崩”的能量發(fā)出明亮的光。不過反偏所需電壓通常比標(biāo)準(zhǔn)電壓高出好幾倍。

與反偏相對(duì)的便是正偏。在正向偏置模式下,電子可以盡情涌流。21世紀(jì)以來,一些研究人員也對(duì)正偏技術(shù)進(jìn)行了完善,讓硅基LED能在1伏特電壓下發(fā)光。盡管所需電壓已經(jīng)達(dá)到常規(guī)CMOS芯片中晶體管的水平,但這種硅基LED的亮度尚不能滿足日常所需。

麻省理工學(xué)院的研究人員之一Rajeev Ram說:“我們基本上是在壓制所有的競(jìng)爭(zhēng)過程,使之可行?!盧am說他們的設(shè)計(jì)比以前的正向偏壓硅LED亮度高10倍。這還不足以在智能手機(jī)上推廣,但Ram相信未來還會(huì)有更多進(jìn)步。

美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所(U.S. National Institute of Standards and Technology,NIST)的研究員Sonia Buckley不是麻省理工學(xué)院GlobalFoundries研究小組的成員,她說這些LED優(yōu)先考慮功率而不是效率。她說:“如果你有一些應(yīng)用程序可以忍受低效率和高功率驅(qū)動(dòng)你的光源,那么這比現(xiàn)在的LED要容易得多,而且很可能要便宜得多,因?yàn)長(zhǎng)ED沒有與芯片集成?!?/p>

Ram認(rèn)為,硅基LED的特性非常符合近程傳感的需求,并透露團(tuán)隊(duì)將針對(duì)智能手機(jī)平臺(tái)研發(fā)一個(gè)用于近距離測(cè)距的全硅基LED系統(tǒng)。他說道:“這可能是該技術(shù)近期的應(yīng)用方向之一,通過這個(gè)項(xiàng)目,我們和格羅方德的合作關(guān)系也會(huì)得以深化?!?/p>

責(zé)任編輯:xj

原文標(biāo)題:研究人員發(fā)現(xiàn)新型實(shí)用硅基LED 亮度提升近10倍

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