去年年底,在一輪缺貨行情的推動下,多類芯片如車用MCU、電源管理IC等的價格均出現上漲,然而在半導體細分產品中銷售占比最大的DRAM,價格卻一直保持穩定,甚至在去年年中還有小幅下降。不過,美光科技執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana日前表示,2021年DRAM產業將受惠5G帶動相關應用,加上車用快速回溫,DRAM將供不應求。韓國NH證券分析師也稱1月份的DRAM合約價格同比上漲了5%,這是自2020年5月以來的首次上漲。隨著價格上漲,DRAM產業有望在2021年掀起一輪新的競爭。
DRAM市場有望觸底反彈
ICInsights近日發布2021年版《麥克林報告》(The McClean Report),預計DRAM將成為2021年增長最快的產品領域之一,銷售額將增長18%。值得注意的是,在2013年、2014年、2017年和2018年,DRAM均為增長最快的半導體細分產品。而在經過2019和2020的兩年調整之后,2021年DRAM市場有望迎來高增長。
2021年IC市場增長預測
集邦咨詢同樣表示,在歷經超過兩個季度的庫存調整之后,2021年第一季度預計買方將開始提高庫存水位,使DRAM的價格獲得支撐。整體DRAM的平均銷售單價將止跌回穩,甚至有微幅上漲的可能。
來自存儲芯片廠商的信息同樣樂觀。SK海力士在財報會上預測,2021年企業在數據中心上的投資將推動服務器用DRAM需求的增加。同時,2021年5G智能手機的出貨量將會擺脫新冠肺炎疫情的影響,推動移動端DRAM需求增長。
其實,利基型(定制化、高毛利)DRAM的價格早有上漲。在供給吃緊下,利基型DRAM需求在去年第四季度便迎來調整,業者相繼漲價,部分現貨產品漲幅達到15%。據報道,2021年第一季度利基型DRAM的現貨價格漲幅進一步擴大至兩成。
1Q21 DRAM 價格預測表
之所以DRAM價格出現上漲,與2021年市場需求回暖有著重要關系。美光科技移動產品事業部高級副總裁兼總經理Raj Talluri表示,2021年,豐富的移動應用將產生海量的數據,對高帶寬、低功耗內存(如LPDDR5)的需求不斷增長,而低功耗內存對于以低功耗實現計算密集型的應用非常重要。未來幾年,人們將看到5G技術帶來新的、更優化的遠程醫療、遠程學習和虛擬娛樂等應用。而這些應用都對內存提出更高的需求。
美光科技企業副總裁兼消費類產品和元件部門總經理DineshBahal則看好VR、游戲等新興應用對存儲市場的帶動作用。“在未來幾年中,得益于5G網絡廣泛普及,以及下一代VR頭盔中嵌入式計算和內存的推動,我們預計VR將獲得廣泛應用。這將使VR體驗擺脫PC束縛,為用戶提供高清、全沉浸式體驗。隨著云計算和多人游戲的日益流行,PCIe將從小眾走向主流,其采用率將翻番。固態硬盤的平均容量將會翻倍,而隨著游戲玩家希望固態硬盤能夠帶來更好的性能和速度,傳統機械硬盤將被邊緣化,甚至被棄用。”Dinesh Bahal說。
更重要的是,在需求增長的同時,主要DRAM廠商三星、SK海力士和美光科技等庫存回到合理水位,原買盤趨緩的數據中心市場開始增備庫存,使得DRAM供應吃緊,帶動了DRAM合約價的提升。整體而言,集邦咨詢認為,價格落底、產能趨緊等因素導致市場對于提前備貨的共識顯著提高。
DRAM 技術將有重大突破
隨著DRAM價格的企穩回漲,新一輪競爭也將在在2021年展開。日前,美光科技宣布批量出貨基于1α(10-11nm) 節點的 DRAM產品。這是目前世界上最為先進的DRAM 技術,在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。對比上一代的1z DRAM工藝,1α技術將內存密度提升了40%。SK海力士經營支援擔當兼CFO盧鐘元表示:“鑒于去年新冠肺炎疫情及國際貿易糾紛的激化,存儲器市況展現了較為低迷的趨勢。然而SK海力士成功保障了1z納米級DRAM及128層NAND閃存等主力產品的穩定生產。”展望2021年的DRAM市場,SK海力士同樣計劃在年內投資生產性更高的1α節點DRAM,以提高公司的成本競爭力。另據報道,SK海力士已開始在韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機,為量產1α節點DRAM做準備。海力士計劃從2021年起將EUV應用于1αDRAM,2022年將EUV應用于更新一代的1βDRAM。
在導入新技術的同時,三星、海力士和美光科技在投資擴產上則持謹慎態度。據悉,三星2021年面向DRAM的資本支出計劃與2020年持平,但會將一些DRAM產線轉為圖像傳感器產線。這意味著,三星實際上削減了2021年的DRAM資本支出。SK海力士也同樣持保守態度,不會增加DRAM晶圓資本支出。加快新技術的導入,卻保持產能不會過快增長,這為DRAM的價格上漲提供了基礎。
中國DRAM廠商或有大機會
DRAM市場回升也給中國DRAM帶來更多機會。IC Insights的報告顯示,2021年增長最快的產品領域就是存儲,其中DRAM更是拔得頭籌,預計銷售額增長18%。從本土存儲廠商的布局來看,長鑫存儲于2019年第三季度成功量產19nm(1x)節點的DDR4/LPDDR4X芯片。預計長鑫存儲接下來將推出17nm DDR5/LPDDR5等產品。集邦咨詢研究副總經理郭祚榮在“2020-2021年全球內存廠商晶圓投片量”中預估,長鑫存儲2020年第一季度投片量為1萬片/月,第四季度投片量已提升到4.5萬片/月,至2021年第四季度,預計長鑫存儲的投片量將達到8.5萬片/月。
長鑫存儲晶圓投片量預估
此外,兆易創新于2月8日發布關于擬簽署框架采購協議公告,預計2021年度采購DRAM產品、產品聯合開發平臺合作額度分別為3億美元、3000萬元人民幣。兆易創新表示,預計上半年公司會有自研DRAM產品推出。兆易創新將研發1x(19nm、17nm)工藝下的DRAM技術,設計和開發DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。
在這一輪市場趨漲的行情推動下,國內存儲芯片無疑將有更多機會,更加容易進入目標市場。集微咨詢高級分析師陳躍楠認為:“未來的3到5年十分關鍵。隨著5G驅動下智能手機迎來換機周期,智能手機的單機內存搭載量提升,再疊加考慮服務器需求景氣度提高,下半年游戲機新產品帶來的增量需求,以及物聯網快速落地衍生出大量的終端需求,未來存儲行業需求容量增速有望提升。”
責任編輯:tzh
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