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光耦 繼電器適用特性參數介紹

逆變器電源-適用光耦篇 ? 來源:逆變器電源-適用光耦篇 ? 作者:逆變器電源-適用光 ? 2022-03-24 09:16 ? 次閱讀

光耦以光信號為媒介來實現電信號的耦合與傳遞,輸入與輸出完全隔離,實現高壓和低壓的電氣隔離(低壓的控制器||高壓的馬達等高壓裝置),

達到抗干擾目的。

一般的Photo-TransistorCoupler因芯片結構影響,傳輸速度慢(100Kbps以下),在大量傳輸數據的場合不敷使用。

高速傳輸常透過計算機或控制器輸出信號,因此發展出高速傳輸場合使用的高速光耦,更復雜的IC結構,不只有模擬,也能做數字信號的輸出,速度也提升到10Mbps以上。

電源最常用到817系列,注意參數CTR(電流轉換比)高速光耦傳輸速度分:6n136-1mb6n137-10mb/EL071L/15MB傳輸速度越快機器執行度更加靈敏

IGBT光耦非常適合于驅動功率igbt和mosfet,用于電機控制逆變器應用和逆變器供電系統。它包含一個AlGaAsLED光學耦合到集成電路與功率輸出級。1.0A~2.5A峰值輸出電流能夠直接驅動大多數igbt,額定電壓高達1200V/50A。對于額定功率較高的IGBT,可用于驅動驅動IGBT門的離散功率級。

特性

1.0~2.5A最大輸出電流峰值

軌到軌輸出電壓

最大傳播延遲200ns

最大傳播延遲差為100ns

在VCM=1500v時,35kv/us最小共模抑制(CMR)

工作范圍:15~30伏(VCC)

在-40℃~+105℃溫度下保證性能。

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