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三星電子加速DRAM產能擴張 年度DRAM投片量增加到7萬片

21克888 ? 來源:電子發燒友 ? 作者:綜合報道 ? 2021-03-03 09:36 ? 次閱讀

三星電子近期調整了今年的DRAM投資計劃。據悉,該公司位于韓國平澤的P2工廠第一季度12英寸晶圓的投片量從3萬/月提升至4萬/月,年度DRAM投片量即將從6萬片增加到7萬片。


韓媒指出,三星在第一季度的投片量約為年度規劃的60%左右。該公司將大部分投入集中在一季度,意味著將加速產能擴張。

三星在2019年末大批量生產了100萬顆采用1x-nm工藝和EUV技術的DRAM。緊接著在去年年初,三星電子首次宣布將研發分別使用了ArF-i技術和EUV技術的1z-nm DRAM。如今,三星已經在量產的1z-nm DRAM上應用了EUV技術。

目前三星對采用1z-nm工藝的8GB DDR4、12GB LPDDR5和16GB LPDDR5進行了EUV技術升級。

12GB LPDDR5和16GB LPDDR5 DRAM已經應用在三星Galaxy S21 5G系列的手機中,其中S21、S21+和S21 Ultra 三款手機于2021年1月發布。

三星Galaxy S21 Ultra的RAM中使用的是12GB LPDDR5芯片,而S21和S21+手機的RAM組件中使用了16GB LPDDR5芯片。

三星1z-nm工藝的生產效率比以前的1y-nm工藝高出15%以上。D/R(Design Rule)從1y-nm工藝的17.1nm降低到1z-nm工藝的15.7nm,核心尺寸也從53.53mm2減小到43.98mm2,比之前縮小了約18%。

三星電子將其最先進的1z-nm工藝與EUV光刻技術集合在了12GB LPDDR5芯片上,而同樣基于1z-nm工藝的16 GB LPDDR5芯片則使用了非EUV光刻技術。

與此同時,三星電子也考慮擴大對NAND閃存的投資。近日,西安市2021年市級重點建設項目計劃發布,其中包括三星(中國)半導體有限公司12英寸閃存芯片二期二階段項目。

另外,三星還計劃擴張代工產能。據悉,該公司決定將平澤P2工廠的5納米生產線規模從現有的2.8萬片增加到4.3萬片。值得一提的是,三星將原本引入的計劃用于DRAM制造的EUV光刻機改為代工使用,以因應5納米代工迅速增長的需求。

本文由電子發燒友綜合報道,內容參考自三星電子、TechInsights,轉載請注明以上來源。

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