核心觀點

汽車“四化”趨勢明確，對半導體需求價值量倍增

汽車行業向電動化、智能化、數字化及聯網化方向發展，直接帶動汽車 含硅量提升。新能源電動汽車的出現意味著傳統汽車的核心競爭要素將 被取代，產品價值鏈被重塑。新能源車中對于電力控制的需求大幅增加，功率器件中特別是 IGBT 是 工業控制及自動化領域的核心元器件，其通過信號指令來調節電路中的 電壓、電流等以實現精準調控的目的，保障電子產品、電力設備正常運 行，同時降低電壓損耗，使設備節能高效。汽車半導體作為汽車電動化 關鍵載體之一，需求價值成倍增長，據估算純電動車單車的半導體總價 值量相比傳統汽車提升 70%以上。新能源汽車行業銷量將快速增長

新能源汽車具有成本、效率和環保等優勢，2020 年 11 月國務院印發《新 能源汽車產業發展規劃（2021－2035 年）》，提出 2025 年新能源汽車新 車銷售量達到汽車新車銷售總量的 20%左右，年總銷量將達到 500-600 萬輛，相比 2020 年 120 萬輛銷量，未來 5 年新能源汽車每年增速約 40%， 意味著未來汽車行業景氣度將持續高企。按照我國新能源汽車產量有望 在 2025 年實現 600 萬輛左右估算，預計國內新能源車功率器件市場空 間將增至 160 億元。

新能源汽車帶來功率半導體量價齊升

價值量上，新能源車半導體價值量從傳統的 450 美元提升至 750 美元。其中功率半導體價值量提升最多，占比從傳統汽車的 10%左右提升至純 電動汽車的 55%，提升幅度達到 9 倍，單車價值量將達到 455 美元。例 如特斯拉的三相交流異步電機，每相用 28 個 IGBT 累計 84 個，其他電機 12 個 IGBT，特斯拉總共用到 96 個 IGBT，單車 IGBT 價值約 400 美 元左右。

功率半導體持續創新升級，國產化龍頭企業替代空間大

目前車規級功率半導體國產化程度不高，替代空間大。汽車功率半導體 前 5 大企業主要為英飛凌、STM 等外資企業，全球市占率達到 63%。技 術上，功率半導體處于第二代 Si 基往第三代 SiC/GaN 等襯底材料升級 過程中，產品還在持續創新。在國內整體市場需求快速增長的同時，技 術創新還在持續升級，給國產企業帶來較好的彎道超車機會。推薦：三 安光電、斯達半導、華潤微等龍頭公司。

新能源汽車時代，汽車半導體迎來大機會

新能源汽車對能量轉換需求有望推動功率器件大發展

隨著汽車電動化、智能化、網聯化等發展，汽車電子迎來結構性變革大機會。在傳統燃料汽車中，汽車電子主要分布于動力傳動系統、車身、安全、娛樂等 子系統中。按照功能劃分，汽車半導體可大致分為功率半導體（IGBT 和 MOSFET 等）、MCU、傳感器及其他等元器件。對于新能源汽車而言，汽車不再使用汽油發動機、油箱或變速器，“三電系統” 即電池、電機、電控系統取而代之，新增 DC-DC 模塊、電機控制系統、電池 管理系統、高壓電路等部件。相應地實現能量轉換及傳輸的核心器件功率半導 體含量大大增加。因此從半導體種類上看，傳統燃料汽車中 MCU 含量最高 （23%），而新能源汽車中功率半導體含量最高（55%）。

新能源汽車市場概況

目前，我國 2020 年前三季度整體乘用車銷量 1337.6 萬輛，其中新能源車銷量 為 65 萬輛，而假設每個月 200 萬輛銷量，占比不到 5%。預計 2020 年新能源 銷量在 120 萬輛左右，市場滲透率 4.8%。2025 年滲透率目標為 20%，要實現 該目標意味著接下來 5 年新能源汽車占比要提升 15%，每年滲透率平均提升約 3%，對應約 75 萬輛的增量。展望 2021 年，我國將成為拉升新能源車增量的主要地區：一方面，多項政策 拉動車輛銷售與充電站設立；另一方面，對外牌車施行嚴格限行措施的一線城 市如上海，新能源車牌不在限行規范內等，在多方面的刺激下，新能源車的銷 售將回升至全球平均值之上。

多重因素驅動下，新能源汽車景氣度高企

全球汽車市場規模超過 3.5 億美元，年均銷量 9000 萬輛左右，汽車行業成為一 個龐大的支柱性產業。2009 年中國汽車銷量首次超越美國，至今已連續 11 年 穩居全球第一大汽車市場，近幾年汽車銷量穩定在 2500 萬輛/年左右。2010 年新能源汽車被國務院確定為七大戰略性新興產業之一，行業于 2014 年 后開始進入高速增長通道，從 2015 年開始國內新能源車銷量穩居全球第一。2019 年中國新能源汽車銷量共計 120.6 萬輛，占全球 221 萬輛的一半以上。2020 年 11 月，國務院辦公廳印發了《新能源汽車產業發展規劃（2021-2035）》（以下簡稱《規劃》），提出到 2025 年，新能源汽車新車銷量將達到汽車總銷 量的 20%，預計 500-600 萬輛。未來 5 年中國的新能源汽車行業將迎來近 40% 的復合增速，顯示行業超高的景氣度。

多角度因素考慮，新能源汽車優勢明顯

在成本、效率和環保的驅動下，新能源汽車注定成為未來汽車的主流形態：

從成本角度看，目前國家補貼和地方政府補貼相對較高，同時新能源汽車能耗 費用以及保養費用較低，從車輛的全生命周期角度看， 新能源汽車的全生命周期成本低于燃油汽車。

從技術角度看，在汽車智能化大趨勢下，電動汽車在承接自動駕駛性能方面更 具優勢。和燃油車相比，電動車整體結構更加簡化，計算機和其他電子設備更 易與汽車控制器接口銜接，與智能網聯汽車相結合更具能耗優勢。

從環保角度看，歐美繼續推行嚴格的排放標準，美國加州政府要求 2035 年起， 加州銷售的每輛新車必須實現零排放。我國新能源汽車產業發展規劃中提出到 2025 年，新能源汽車新車銷售量達到汽車新車銷售總量的 20%左右。

汽車電動化推動功率半導體量價齊升

汽車電子拉動半導體整體需求

從傳統燃料汽車到新能源汽車，半導體在汽車領域的占比逐年增加，汽車含硅 量大大提升。2019 年全球半導體行業市場規模為 4121 億美元，其中汽車行業 貢獻 12.3%的營收。2010-2019 年汽車成為半導體行業需求增長最快的行業， 年復合增速高達 9.2%，遠高于半導體行業整體 3.7%的增速水平。

汽車電動化，半導體價值倍增從單車半導體價值量看，混動汽車和純電動車半導體價值分別為 735 美元和 750 美元，相比傳統燃油汽車 450 美元大大增加。在傳統燃油汽車中，功率半導體主要用在啟動、停止和行車安全等領域。按照 傳統汽車中半導體價值 450 美元，功率器件為 50 美元，占比 10%左右。由于 新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比增 至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。按照純電動汽車半導體單車價 值 750 美元計算，功率半導體單車價值量約為 455 美元，相比傳統汽車新能源車隊功率半導體需求提升接近 9 倍。

新能源汽車半導體主賽道：功率半導體

相較于燃油汽車，電動車新增功率器件的需求主要有三個方面：逆變器中的 IGBT 模塊；OBC、DC/DC 中的高壓 MOSFET；輔助電器中的 IGBT 分立器件。功率半導體是新能源汽車價值量提升最多的部分，需求端主要為 IGBT、 MOSFET 及多個 IGBT 集成的 IPM 模塊等產品，核心用于大電流和大電壓的環 境。根據英飛凌介紹，從器件對應功率看，當功率從 100kW 增加到 200kW 以上， 對應的器件從 IGBT 到 SiC MOSFET 過渡。根據應用場景不同，具體對應不同 的功率器件。

新能源汽車功率半導體市場空間測算

根據全球新能源乘用車銷售量預計 2025 年約 2100 萬輛推算，按微混（525 元）、 插電混動（2100 元）和純電（3185 元）三類車型功率器件成本估算，2025 年全 球新能源汽車功率半導體市場空間約 370 億元。按照我國新能源汽車產量有望在 2025 年實現 600 萬輛左右估算，考慮功率半 導體價格漲幅，按純電動車 EV 功率器件 800-3500 元/輛，插電混動車 PHEV （燃油動力系統上外掛電動系統）功率器件均為 2100 元/輛，預計國內新能源 車功率器件市場空間 2025 年將增至 160 億元。

細分賽道一：IGBT，汽車動力系統的“CPU”

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）即絕緣柵雙極型晶體管，是國際上 公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品。IGBT 是工業控制及自動化 領域的核心元器件，其作用類似于人類的心臟，能夠根據工業裝置中的信號指 令來調節電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的。保障 電子產品、電力設備正常運行，同時降低電壓損耗，使設備節能高效。

IGBT 是由 MOSFET 和 BJT 組成的復合功率半導體器件，既具備 MOSFET 輸 入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關速度快的優勢，也具備 BJT 通態 電流大、通電壓低、損耗小等優點。其在高壓、高速、大電流等方面相比其他 功率半導體器件具備明顯優勢，是未來功率半導體應用的主要發展方向。從上世紀 80 年代至今，IGBT 經歷了數代更新發展，從平面穿通型（PT）到溝 槽型電場—截止型（FS-Trench），芯片面積、工藝線寬、通態飽和壓降、關斷 時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優化，斷態電壓也從 600V 提高到 6500V 以上。

IGBT 技術不斷更新是提高耐壓水平和減小損耗以達到下游領域 的需求。采用新架構的 IGBT 通過降低關斷時間和通態壓降來減少功率損耗， 提高斷態電壓水平，同時新工藝使得面積更小，工作溫度更高，成本更低。IGBT 未來發展趨勢主要薄片工藝，目的在于減小襯底電阻和較少熱阻而達到進 一步減少損耗。在管芯上主要增加器件面積，提高電流密度。同時為了進一步 降低制造成本，硅片也從一開始的 5 英寸到現在主流的 8 英寸和 12 英寸，折 算后每顆芯顆成本可進一步降低。

技術方面。

在新能源汽車中 IGBT 應用范圍一般在電壓 600V 以上，電流 10A 以上或頻率 1KHz 以上的區域，主要對應高電壓環境的電力驅動系統，電機控 制系統及車載充電器，單車 IGBT 價值約 400 美元左右。電力驅動系統主要用在逆變器 DC-AC 中，將充電電池 12V 的直流電轉換成為 驅動電機 220V 的交流電驅動電機工作。電機控制系統上需要用到幾十個 IGBT， 從電池輸出高電壓后，需通過 DC-DC 變化為低電壓后供汽車低壓網絡使用， 例如特斯拉的三相交流異步電機，每相用 28 個 IGBT 累計 84 個，其他電機 12個 IGBT，特斯拉總共用到 96 個 IGBT。

電控系統是電動車價值量第二大單個部件，單個電動車中電控采購成本約為 3000-5000 元，其中 IGBT 在電控成本中占比高達 41%，是電控核心部件，其 功能主要是完成車載充電器上電流變化。除此之外，IGBT 亦用于空調系統， PCT 加熱器等小功率逆變部分。IGBT 市場規模空間較大，全球 IGBT 市場 2018 年規模約為 62.24 億美元，預計 2025 年達到 95 億美元。

我國 IGBT 市場規模 2019 年達 155 億元，根據 Trendforce 預測，受益于新能源汽車和工業領域的需求大幅增加，中國 IGBT 市場規模將持續增長，預計到 2025 年中國 IGBT 市場規模將達到 526 億元（75 億美金），年復合增長率達 19.11%。競爭格局。目前 IGBT 芯片基本都被外資壟斷，我國 IGBT 高度依賴進口。根據 英飛凌對 2018 年全球市場格局的統計，模組端斯達半導作為唯一國產公司躋 身前十位，市場占比 2.2%。

從汽車功率半導體公司上看，前 5 大企業主要為英 飛凌、STM 等外資企業，市占率達到 63%，整體市場還是被海外壟斷。除斯達半導外，中車時代電氣及比亞迪為國內 IGBT 自主研發領軍企業。根據 2019 年國內車規級 IGBT 市場統計，前 10 名供應商中三家中國企業（比亞迪、 斯達半導、中車時代電氣）的市場份額合計僅 20.4％，國產化程度低。相對全 球整體市場，國內市場生態相對寬松，國產品牌獲得相對更高的市場份額。

整體上看 IGBT 市場空間大，且目前國產化程度低，車規級 IGBT 國產化替代空 間大。目前國產龍頭已進入頭部市場，且技術發展較快，在政策和資本大力支 持下，國內廠商有望打開市場缺口占領部分市場份額。

細分賽道二：第三代半導體 SiC 等器件嶄露頭角

硅是半導體行業第一代基礎材料，目前全球 95%以上的集成電路元器件是以硅 為襯底制造的。半導體材料經過幾十年的發展，可以分為三代：第一代半導體材料：鍺、硅等單晶半導體材料，硅擁有 1.1eV 的禁帶寬度以及 氧化后非常穩定的特性。第二代半導體材料：砷化鎵、銻化銦等化合物半導體材料，砷化鎵擁有 1.4 電 子伏特的禁帶寬度以及比硅高五倍的電子遷移率。第三代半導體材料：以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，有更高飽 和漂移速度和更高的臨界擊穿電壓等突出優點，適合大功率、高溫、高頻、抗 輻照應用場合。

半導材料發展至今，第一代硅材料半導體已經接近完美晶體。基于硅材料上器 件的設計和開發也經過了許多代的結構和工藝優化和更新，正在逐漸接近硅材 料的極限，基于硅材料的器件性能提高的潛力愈來愈小。以氮化鎵、碳化硅為 代表的第三代半導體具備優異的材料物理特性，為進一步提升電力電子器件的 性能提供了更大的空間。

第三代半導體由于在物理結構上具有能級禁帶寬的特點，又稱為寬禁帶半導體， 主要是以氮化鎵和碳化硅為代表，其在半導體性能特征上與第一代的硅、第二 代的砷化鎵有所區別，使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、 高電子飽和漂移速率等優勢，從而能夠開發出更適應高溫、高功率、高壓、高 頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導體器件，可有效突破傳統硅基功率 半導體器件及其材料的物理極限。

SiC 與 Si 相比，在耐高壓、耐高溫、高頻等方面具備碾壓優勢，是材料端革命 性的突破。在耐高壓方面，SiC 擊穿場強是 Si 的 10 倍，這意味著同樣電壓等 級的 SiC MOSFET 晶圓的外延層厚度只需要 Si 的十分之一，對應的漂移區阻抗大大降低，且 SiC 禁帶寬度是 Si 的 3 倍，導電能力更強。在耐高溫方面， SiC 熱導率及熔點非常高，是 Si 的 2-3 倍。在高頻方面，SiC 電子飽和速度是 Si 的 2-3 倍，能夠實現 10 倍的工作頻率。

根據 Rohm 對 SiC MOSFET 在汽車應用中的進度預測，隨著技術成熟，SiC MOSFET 將逐漸替代部分 Si MOSFET。通過采用全 SiC 功率模塊制造的逆變 器可以使開關損耗降低 75％（芯片溫度為 150°C），逆變器尺寸下降 43%， 重量輕 6kg，最終汽車連續續航距離增加 20-30%。目前 SiC 市場滲透率相對較低，根據 Cree 對 SiC 器件的預測，18 年全球 SiC 的器件銷售額 4.2 億美元，預計在 2024 年達到 50 億美元。特斯拉 2018 年將 SiC 用于 Model 3 后，超過 90%電動車廠決定要用 SiC，整個電動汽車產業鏈 出現 SiC 缺貨。

從競爭格局上看，Cree、Rohm、ST 都已形成了 SiC 襯底-外延-器件-模塊垂直 供應的體系，而 Infineon、Bosch、On Semi 等廠商則購買 SiC 襯底，隨后自 行進行外延生長并制作器件及模塊。目前 SiC 市場的供給牢牢把控在襯底廠商 手里，Cree、II-VI 及 Si-Crystal（Rohm 旗下）合計占據了 90%的出貨量，而 器件及模組的供應商中 Cree、Rohm、Infineon 及 ST 合計占據了超過 70%的 市場份額，但總體上由于市場目前還處于初期階段，滲透率較低，未來幾年的 競爭格局還有較大不確定性。

目前我國 SiC 方面也有多個玩家加入，在材料端有多家公司進入賽道，例如天 科合達和山東天岳；在外延方面有瀚天天成、東莞天域、三安集成、中電科等。三安是目前第三代半導體布局最全的龍頭企業，下游有多家整車廠商及功率器 件廠商都加入到該賽道中。整體上看 SiC 功率器件市場滲透率較低，增速較快，目前行業內企業還處于跑 馬圈地階段，市場競爭格局存在不確定性，國內廠商有望在未來的增量市場中 獲得一定份額。

國內外功率半導體重點企業分析（參見原報告）

比亞迪

比亞迪半導體公司是比亞迪子公司，是中國最大的車規級 IGBT 廠商。公司主 要業務覆蓋功率半導體、智能控制 IC、智能傳感器及光電半導體的研發、生產 及銷售，以 IDM 模式，擁有包含芯片設計、晶圓制造、封裝測試和下游應用在 內的一體化經營全產業鏈。根據科創板日報消息，目前比亞迪車規級的 IGBT 已到 5 代，碳化硅 MOSFET 已到 3 代，自有 SiC 產線正在建設中。比亞迪旗 艦車型漢 EV 四驅版是國內首款批量搭載 SiC MOSFET 組件的車型，按照比亞迪公布的計劃，預計到 2023 年，其旗下電動車將實現碳化硅功率半導體全面 替代，整車性能在現有基礎上再提升 10％。

斯達半導

斯達半導自成立以來一直從事以 IGBT 為主的功率半導體芯片和模塊的設計研 發和生產，并以 IGBT 模塊形式對外實現銷售。根據 IHS Markit 的數據，2018 年公司在全球 IGBT 模塊市場排名第八，在國內企業中排名第一。目前已實現 自主設計并量產 IGBT 國際第六代芯片（FS-Trench），并掌握相應封裝工藝， 打破了國外功率半導體巨頭長期實現 IGBT 芯片的壟斷。除了 IGBT 之外，公司 產品同時還有 MOSFET 模塊、晶閘管、SiC 功率器件等。日前，公司發布投資 約 2.29 億元建設全碳化硅功率模組產業化項目公告，預計項目建設周期 2 年， 建成后項目將有年產 8 萬顆車規級全碳化硅功率模組生產線和研發測試中心。2019 年公司營收實現 7.79 億元，同比增長 15.41%，凈利潤實現 1.36 億元， 同比增長 40.74%。近五年公司營收和凈利潤復合增長率分別達 32.6%和 62.81%。2019 年 IGBT 模塊的銷售收入占營業收入的 97%，其中 1200V IGBT 模塊的銷售收入占營業收入的 73%，是公司的主要產品。其他電壓 IGBT 模塊收入占比 24%。其他產品占比較小，包括 MOSFET 模 塊、整流及快恢復二極管模塊等，占營業收入的 3%。公司 IGBT 模塊產品豐 富，種類齊全，覆蓋工業級、汽車級和家電領域的應用。目前，公司 IGBT 產 品種類超過 600 種，電壓等級涵蓋 100V～3300V，電流等級涵蓋 10A～3600A。

中車時代電氣

中車時代半導體是中車時代電氣子公司，主要生產大功率晶閘管、IGCT、IGBT 及 SiC 器件及其組件，以 IDM 模式，聚焦軌道交通、高壓輸配電和新能源市場， 著眼于推進新能源汽車組件配套建設項目，包括電控、電機、IGBT、傳感器在 內的系統集成。目前，公司功率器件產品要應用于軌道交通、新能源汽車、光 伏逆變器等領域，IGBT 已覆蓋 750 V-6500 V，SiC 器件已覆蓋 650 V-1700 V， 700V、3300V 混合 SiC 牽引變流器以及 3300V 全 SiC 牽引變流器已規模應用。

三安光電

三安集成是三安光電子公司，三安集成電路涵蓋微波射頻、高功率電力電子、 光通訊等領域的化合物半導體制造平臺，以 IDM 模式，具備襯底材料、外延生長、以及芯片制造能力。公司 2020 年以來銷售出貨大幅增長，實現銷售收入 3.75 億元，同比增長 680.48%。砷化鎵射頻出貨客戶累計將近 100 家、氮化鎵射頻產品重要客戶產能正逐步爬 坡；電力電子產品客戶累計超過 60 家，27 種產品已進入批量量產階段；光通 訊業務除擴大現有中低速 PD/MPD 產品的市場領先份額外，高端產品 10G APD/25G PD、VCSEL 和 DFB 發射端產品均已在行業重要客戶處驗證通過， 進入批量試產階段；濾波器產品開發性能優越，產線持續擴充及備貨中。

目前，公司已經完成 SIC MOSFET 器件量產平臺的打造，1200V 80mΩ產品 已完成研發并通過一系列產品性能和可靠性測試，可廣泛適用于光伏逆變器、 開關電源、脈沖電源、高壓 DC/DC、新能源充電和電機驅動等應用領域。

英飛凌（Infineon）

英飛凌科技公司于 1999 年在德國慕尼黑正式成立，是全球領先的半導體公司 之一。公司前身為西門子集團的半導體部門，于 1999 年獨立，2000 年上市。公司作為國際半導體產業創新的領導者，為有線和無線通信、汽車及工業電子、 內存、計算機安全以及芯片卡市場提供先進的半導體產品及完整的系統解決方 案。截止 2020 年 12 月 18 日，英飛凌科技公司市值為 405 億美金，靜態估值 為 42 倍。

作為功率半導體領導者，英飛凌是市場上唯一一家提供覆蓋硅、碳化硅和氮化 鎵等材料的全系列功率產品的公司，擁有高性價比的第七代 CoolMOS、基于 第三代寬禁帶半導體的高性能 CoolSiC與 CoolGaN、以及支持更高頻率應 用的第六代 OptiMOS等豐富產品組合，從芯片技術層面提升電源效率。同時 英飛凌也是 IGBT 技術領導者，根據 IHS Markit 最新數據，英飛凌在全球 IGBT 市場市占率達 34.5%。

公司在汽車半導體領域深耕多年，近 20 年公司汽車半導體收入逐年上升，復合 增速約為 10.1%。隨著 2015 年新能源汽車市場的增長，汽車半導體收入增幅 及市場份額逐年擴大，目前公司已成為汽車半導體最大的供應廠商。

2020 年第三季度汽車事業部收入 10 億歐元，環比增加 29.08% ， 同 比 增 加 17.81%。根據公司三季報說明，收入大幅增加主要源于電動車以及 MCU 銷量 的增加。從收入構成上看，2020 年公司功率半導體收入 55%，其中約一半來 自于新能源汽車和自動駕駛部分的需求。

從公司歷史估值情況看，2020 年公司 PE 倍數持續走高，在 2020 年 9 月后市 盈率大幅上升，究其原因主要是新能源車歐洲市場 2020 年的爆發。根據歐洲 汽車制造商協會（ACEA）的統計，歐洲新能源車注冊量在 2020 年明顯增加， 第三季度大幅增加至 27 萬輛左右，同比增加 221.6%，環比增加 111.69%。

根據英飛凌對未來新能源汽車市場預測，2023 年全球新能源市場滲透率將超過 23%，2027 年將超過 50%。未來公司重點布局 SiC 功率模組為基礎的升級版 電動車平臺，同時 SiC MOSFET 業務借由 IGBT 的大量客戶優勢將迅速增長， 預計汽車半導體整體銷量有大幅增加。

三菱電機

三菱電機株式會社是三菱集團的核心企業之一，成立于 1921 年。根據三菱電 機株式會社 2019 年年報，截至 2019 年 3 月 31 日，公司員工數量達 145，817 人。三菱電機在全球的電力設備、通信設備、工業自動化、電子元器件、家電 等市場占據著重要的地位。三菱電機的半導體產品包括功率模塊（IGBT、IPM、 MOSFET 等）、微波/射頻和高頻光器件、光模塊和標準工業用的 TFTLCD 等。

作為全球領先的 IGBT 企業，三菱電機在中等電壓、高電壓 IGBT 領域處于領 先地位。根據 IHSMarkit 2018 年報告，2017 年全球市場占有率為 17.90%， 僅次于英飛凌。

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