聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
144文章
7088瀏覽量
212725 -
參數
+關注
關注
11文章
1785瀏覽量
32086 -
熱阻
+關注
關注
1文章
106瀏覽量
16411
原文標題:MOSFET參數弄不懂?那是你還沒看過這份講義!
文章出處:【微信號:gh_c472c2199c88,微信公眾號:嵌入式微處理器】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
影響MOSFET開關損耗的因素
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導體場效應晶體管)的開關損耗是電子工程中一個關鍵的性能參數,它直接影響到電路的效率、熱設計和可靠性。下面將詳
MOSFET超過耐壓值的原因、影響及檢測方法
。 一、MOSFET超過耐壓值的原因 設計不當 設計不當是導致MOSFET超過耐壓值的主要原因之一。在設計過程中,如果對MOSFET的參數選擇不當,或者對電路的電壓、電流等
MOSFET參數與工藝
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)作為現代電子工業中的核心元件之一,其參數與工藝對于電路的性能、效率及可靠性具有至關重要的影響。以下將從MOSFET的主要參數、不同工藝類型及
驅動電流對MOSFET性能有什么影響
驅動電流對MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)性能有著顯著的影響。MOSFET作為現代電子系統中常用的開關元件,其性能直接決定了系統的效率、穩定性和可靠性。以下將詳細分析驅動電流對MO
MOSFET驅動器的分類和應用
。為了有效地控制MOSFET的導通和截止,需要一種能夠產生適當電壓和電流信號的驅動器,這就是MOSFET驅動器的作用所在。以下是對MOSFET驅動器的詳細解析。
MOSFET的基本結構與工作原理
,電子流可以從漏極流向源極,即電流可以從源極流向漏極,這部分的電流-電壓特性關系可以看成圖5所示的輸出特性關于原點的對稱。但是只要MOSFET的壓降增加到一定程度,并聯的PN結正偏置向P區注入電子,結果
發表于 06-13 10:07
淺談影響MOSFET閾值電壓的因素
MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的閾值電壓(Vt)是其工作性能中的一個關鍵參數,它決定了晶體管從關閉狀態過渡到開啟狀態所需的柵極電壓大小。MOSFET的閾值電壓受到多種因素的影響,這些因素包括材料特性、結構設計、制造
關于電源性能的不同參數詳解
電源規格詳細說明了標題為“線路調整率”的參數的數字。結果發現,當線路或輸入電壓發生變化時,輸出端可能會出現微小的變化。線路調整率圖詳細說明了這一變化。
發表于 01-17 14:35
?1408次閱讀
怎么提高SIC MOSFET的動態響應?
怎么提高SIC MOSFET的動態響應? 提高SIC MOSFET的動態響應是一個復雜的問題,涉及到多個方面的考慮和優化。在本文中,我們將詳細討論如何提高SIC MOSFET的動態響應
關于MOSFET的DG極驅動
目前想設計一個關于MOSFET的DG極驅動方案,存在問題為MOSFET可以正常開通,但無法關斷,帶負載時GS極始終存在4V電壓無法關斷MOSFET 。
電路圖如下:
空載時,GS極兩端
發表于 12-17 11:22
MOSFET柵極電路常見作用有哪些?MOSFET柵極電路電壓對電流的影響?
是MOSFET的控制電路,它對于MOSFET的工作狀態和性能有著重要的影響。以下是關于MOSFET柵極電路常見的作用以及電壓對電流的影響的詳細
評論