本篇文章將為您介紹思睿達CR6855升級為CR6889B后，到底有什么過人之處呢？讓我們慢慢揭曉！

先來了解下思睿達主推CR6889B芯片和CR6855芯片有什么特性吧！

CR6889B芯片特性

●低待機功耗（<75mW）；

●低啟動電流 (約3μA)；

●能效 ：DOE VI；

●SOT23-6封裝的副邊PWM反激功率開關(guān)；

● 內(nèi)置軟啟動，減小MOSFET的應力，斜坡補償電路；

● 65kHz開關(guān)頻率，具有頻率抖動功能，使其具有良好的EMI特性；

● 具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OVP自動恢復等保護功能；

CR6855芯片特性

● 低待機功耗（<100mW）；

●低啟動電流 (約5μA)；

●能效 ：CoC V5_T2；

●SOT23-6L、DIP-8L封裝的副邊PWM反激功率開關(guān)；

● 內(nèi)置軟啟動，減小MOSFET的應力，斜坡補償電路；

● 65kHz開關(guān)頻率，具有頻率抖動功能，使其具有良好的EMI特性；

● 具有“軟啟動、OCP、SCP、OTP、OLP等保護功能；

一、升級芯片

CR6855升級CR6889B 需更改以下元件：

1.SENSE 電阻值0.375 歐調(diào)整為0.26 歐左右；（供參考）

二、電性對比如下

此電源基本特性為一電池充電電源（18V2.15A）加上一路DCDC12V1A 降壓模塊，綜合考慮測試方式，由于電源輸出肖特極端電壓為23V（OCP 在3.6A 左右，所以此電源大概按照23V2.8A(64.4W)對比評估相關(guān)數(shù)據(jù)如下：

注：

1.以上效率為板端測試

2.測試儀器為：

示波器：泰克MDO3014

功率計：WT210

負載機：IT8511A

萬用表：FLUKE 15BEMI

測試儀：KH3939

三、關(guān)鍵波形對比如下

CR6855 264V 啟動時 VDS 波形 肖特基波形

CR6855 264V 短路保護時 VDS 波形 肖特基波形

CR6889B 264V 啟動時 VDS 波形 肖特基波形

CR6889B264V 短路保護時 VDS 波形 肖特基波形

從測試波形上可以了解到在整機開啟和發(fā)生保護的時候 MOS 管以及次級肖特基上所受應力基本一 致，不過需要注意在 VAC264 極端條件下發(fā)生短路保護時肖特基上所受應力超過額定值。

老化溫升數(shù)據(jù)對比如下：

各個輸入電壓下老化條件負載 2.8A，從 VAC90 時間 2 小時開始每半小時逐步電壓提升一個級別，室 溫 15℃；

結(jié)論：

1、CR6889B與CR6855 對比測試電性基本一致（效率略高 0.1~0.3%，功耗略小）（各數(shù)據(jù)僅供參考）

2、能效由歐盟CoC V5（五級能效標準）升級到美國DoE VI(六級能效標準)，CR6889B的能效標準變得更嚴格。

3、CR6889B智能交互優(yōu)于CR6855智能交互。

4、CR6889B的待機功耗（<75mW）范圍比CR6855的待機功耗（<100mW）范圍更小。

5、CR6889B的啟動電流 (約3μA)小于CR6855的啟動電流 (約5μA)；

所以綜上所述，升級后的思睿達CR6889B更具有優(yōu)勢。

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