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應用材料新布線技術為3nm工藝做出突破

E4Life ? 來源:電子發燒友整合 ? 作者:Leland ? 2021-06-19 12:23 ? 次閱讀
應用材料公司說,它已經在芯片布線方面取得了突破,這將使半導體芯片生產小型化到芯片,使電路之間的寬度可以只有30億分之一米。目前的芯片工廠生產7納米和5納米芯片,因此3納米芯片代表了下一代技術。

這些3納米生產線將成為造價超過220億美元的晶圓廠的一部分,但帶來的收入也將遠超這一數字。該公司表示,芯片布線的突破將使邏輯芯片的擴展至3納米及以以下。
芯片制造公司可以在其大型工廠中使用布線工具,從5納米工廠向3納米工廠的過渡有助于緩解困擾整個電子行業的半導體芯片短缺問題。但芯片要投入生產還需要一段時間。除了互連擴展挑戰外,還有其他問題與晶體管( FinFET 晶體管的擴展使用和過渡到GAA晶體管)以及圖案工藝(EUV和多重圖案)有關。

據應用材料介紹,其開發了一種名為Endura? Copper Barrier Seed IMS?的全新材料工程解決方案。這個整合材料解決方案在高真空條件下將ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計量這七種不同的工藝技術集成到一個系統中。

應用材料半導體產品集團高級副總裁兼總經理Prabu Raja表示:"智能手機芯片擁有數百億的銅互連,而線路已經消耗了芯片三分之一的電量。通過集成多種工藝技術,應用材料可以重新設計材料和結構,使消費者享受更有能力的設備和更長的電池壽命。Raja 說,這種集成解決方案旨在加快客戶的性能、功率和區域成本路線圖。

圖文內容來自應用材料和Venturebeat,轉載請注明以上來源。
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