mos管工作原理

MOS管（MOSFET）名為金屬-氧化物半導體場效應晶體管，是一種電壓控制器件，也是單極型器件。場效應管分為PMOS管和NMOS管，兩者都屬于絕緣柵場效應管。

MOS管的Source（源極）和Drain（耗盡層）可對調(diào)，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

增強型：當VGS=0時，漏源沒有導電溝道，在VDS作用下沒有iD

耗盡型：當VGS=0時，漏源有導電溝道，在VDS作用下有iD

N溝道增強型MOS管：

VGS=0，存在一個PN結(jié)反偏，不存在導電溝道，則iD=0，VGS》0，管子才能工作。

VGS》0，P區(qū)表面將形成導電溝道，反型層變厚導致VDS上升，iD隨之上升

N溝道耗盡型MOS管：

制造時在柵極絕緣層中有大量正離子，當VSG=0，兩個N區(qū)仍存在導電溝道

P溝道增強型MOS管：

VGS=0時，iD=0，開啟電壓《0，當VGS《0時，管子才能工作

P溝道耗盡型MOS管：

制造時在柵極絕緣層中有大量負離子，當VSG=0，兩個N區(qū)仍存在導電溝道

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