環(huán)境和能源問(wèn)題是一個(gè)重要的全球性問(wèn)題。同時(shí),隨著電力需求持續(xù)升高,對(duì)節(jié)能的呼聲以及對(duì)高效、緊湊型電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求也迅速增加。而在這其中,功率半導(dǎo)體扮演著極為重要的角色。
功率半導(dǎo)體具有將直流電轉(zhuǎn)換成交流電的逆變器功能,將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的轉(zhuǎn)換器功能,還具有改變交流電頻率的變頻器功能,是幫助各類器件實(shí)現(xiàn)節(jié)能的重要器件。
相比于傳統(tǒng)的硅(Si)MOSFET和IGBT產(chǎn)品,基于全新碳化硅(SiC)材料的功率MOSFET具有耐高壓,高速開(kāi)關(guān),低導(dǎo)通電阻性能。除減少產(chǎn)品尺寸外,該類產(chǎn)品可極大降低功率損耗,從而大幅提升系統(tǒng)的能源效率。SiC MOSFET適用于大功率且高效的各類應(yīng)用,包括工業(yè)電源、太陽(yáng)能逆變器和UPS等。
東芝SiC MOSFET參考設(shè)計(jì)為您的設(shè)計(jì)添磚加瓦
電動(dòng)汽車電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)參考設(shè)計(jì)
隨著電動(dòng)汽車的日益普及,對(duì)于高效、緊湊型的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的需求不斷提高。基于東芝TW070J120B的3相400V交流輸入功率因數(shù)校正(PFC)電路的參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了97%的功率轉(zhuǎn)換效率,功率因數(shù)可達(dá)0.99或更高。該參考設(shè)計(jì)為諸如電動(dòng)汽車(EV)充電站等大功率轉(zhuǎn)換器的PFC(柵極驅(qū)動(dòng)電路、傳感器電路、輸出功率開(kāi)關(guān))的提供了一個(gè)很好的起點(diǎn),它可用作原型設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)應(yīng)用程序的基礎(chǔ),有助于發(fā)揮全部潛能。
特點(diǎn):
具有3相圖騰柱配置的無(wú)橋配置,可直接切換每一相。
通過(guò)將SiC MOSFET用于功率開(kāi)關(guān),實(shí)現(xiàn)了高功率轉(zhuǎn)換效率。
可以通過(guò)調(diào)整柵極驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)速度來(lái)優(yōu)化權(quán)衡效率和EMI。
輸入電壓:3相AC 312V至528V
輸出電壓:DC 750V
輸出功率:4.0kW
電動(dòng)汽車充電站及太陽(yáng)能發(fā)電機(jī)逆變器參考設(shè)計(jì)
5kW隔離式雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器
基于東芝TW070J120B的5KW隔離式雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)采用雙有源橋(DAB)法,是此類大功率轉(zhuǎn)換器的最受歡迎拓?fù)渲弧AB拓?fù)涞膬蓚?cè)均有全橋,以便通過(guò)調(diào)節(jié)左右側(cè)橋電路之間的相位差來(lái)控制功率方向和大小。這種高度通用的參考設(shè)計(jì)是開(kāi)發(fā)諸如電動(dòng)汽車充電站和太陽(yáng)能發(fā)電機(jī)逆變器等大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用及原型設(shè)計(jì)的起點(diǎn)。
特點(diǎn):
通過(guò)DAB方法實(shí)現(xiàn)雙向大功率轉(zhuǎn)換。
在高壓側(cè)使用SiC MOSFET實(shí)現(xiàn)高功率轉(zhuǎn)換效率。
包括低壓側(cè)MOSFET(TK49N65W5)和柵極驅(qū)動(dòng)IC(TLP5214A)的整體解決方案。
規(guī)格:
高壓側(cè):DC 732V至768V
低壓側(cè):DC 396V至404V
額定功率:5.0kW
東芝TW070J120B—適用于高效率電源的新款1200V碳化硅MOSFET—
TW070J120B采用第2代芯片設(shè)計(jì)(內(nèi)嵌SiC SBD),具有高耐壓、低輸入電容、低總柵電荷、低導(dǎo)通電阻、低二極管正向電壓、高柵極電壓閥值閾電壓等特性。在大容量AC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變器、大容量雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器等工業(yè)應(yīng)用中,這種新型MOSFET不僅將通過(guò)降低功率損耗來(lái)達(dá)到提高效率的目的,而且也將為縮小設(shè)備尺寸做出貢獻(xiàn)。
TW070J120B可提供-10V至25V的高柵極電壓閥值(Vth),可預(yù)防故障;-10V至25V的柵極-源極電壓(VGSS),支持更簡(jiǎn)單的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。
隨著東芝在功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)不斷深入,未來(lái)將有更多優(yōu)質(zhì)的電子器件推向市場(chǎng),助力電子產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。
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SiC MOSFET
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原文標(biāo)題:內(nèi)含福利|東芝SiC MOSFET為您開(kāi)啟電源新大門
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