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01OCL電路的組成及工作原理

為了消除基本OCL電路所產生交越失真，應當設置合適的靜態工作點，使兩只放大晶體三極管均工作在臨界導通或微導通狀態。能夠消除交越失真的OCL電路如圖1所示。

圖（1）消除交越失真的OCL電路

在上圖中，靜態時，從+12V經過R5、R6、D1、D2、R7、R8到GND有一個直流電流，它在Q1和Q2管兩個基極之間所產生的電壓為Ub1b2=UR6+UD1+UD2+UR7，使Ub1b2略大于Q1管發射結和Q2管發射結開啟電壓之和，從而使兩只管子均處于微導通態，即都有一個微小的基極電流，分別為Ib1和Ib2。調節R6和R7，可使發射極靜態電位Vout為0V，即輸出電壓Vo為0V.

當所加信號Ui按正旋規律變化時，由于二極管D1、D2的動態電阻很小，而且R6和R7的阻值也比較小，因而可以認為Q1管基極電位的變化與Q2管基極電位的近似相等，即Ub1≈Ub2≈Ui。

也就是說，可以認為兩管基極之間電位差基本是一個恒定值，兩個基極的電位隨Ui產生相同變化。這樣，當Ui》2.5V且逐漸增大時Vbe1逐漸變大，Q1的基極電流Ib1隨之增大，發射極電流Ie1也必然增大，負載電阻RL上得到正方向的電流；

與此同時，Ui的增大使Veb2減小，當減小到一定數值時，Q2管截至。同樣道理，當Vi《2.5v且逐漸減小時， Veb2逐漸增大，Q2的基極電流Ib2隨之增大，發射極電流Ie2必然也會增大，負載電阻RL上得到負方向的電流；

與此同時，Ui的減小，使Vbe1減小，當減小到一定數值時，Q1管截至。這樣，即使Ui很小，總能保證至少有一個晶體三極管導通，因此消除了交越失真。Q1和Q2管在Ui的作用下，其輸入特性的中的圖解分析如圖3所示：

圖（1.1） 輸入特性的中的圖解分析

Q1和Q2靜態工作點以下，輸入信號越大到越小，到Q1截至，Ui無信號，Q1又回到了靜態工作點電流。

輸入信號越小到越大，到Q2截至，Ui很小的時候（無信號），Q2又回到了靜態工作點電流。

綜上所述，輸入信號的正半周主要是Q1管發射極驅動負載，負半周主要是Q2管發射極驅動負載，而且兩管的導通時間都比輸入信號的半個周期要長，即在輸入電壓很小的時候，兩只管子同時導通，因而他們工作在甲乙類狀態。

值得注意的是，若靜態工作點失調，例如R6、D1、D2、R7中的任意一個元器件虛焊，則從12V經過R5、Q1管的發射結，R9R10，Q2的發射結到R8到GND形成一條通路，有較大的基極電流Ib1和Ib2流過，從而導致Q1和Q2有很大的集電極電流Ic1和Ic2，且每只管子的最大管壓降VCE都約等于12V，以至于Q1和Q2管可能因為功耗過大而損壞。因此，R9和R10的作用就非常重要了，可以分擔Q1Q2 的VCE的壓降。

02OCL電路的的輸出功率及效率

功率放大電路最重要的技術指標是電路的最大輸出功率Pom及效率η （ 伊塔）。為了求解Pom，需首先求出負載上能夠得到的最大輸出電壓幅值。當輸入電壓足夠大，且有不產生飽和失真時，電路的分析如圖3.2所示。

圖中的I區為Q1的輸出特性，II區為Q2的輸出特性。因兩只管子的靜態電流很小，所以可以認為靜態工作點在橫軸上，如上圖所標注的，因而最大輸出電壓幅值等于電源電壓減去晶體管的飽和壓降，即（Vcc-Vces1）。

實際上，即使不畫出圖形，也能得到同樣的結論。可以想象，在正旋波的正半周，Ui從0逐漸增大，輸出電壓也隨之逐漸增大，Q1管的CE管壓降必然逐漸減小，當管壓降下降到飽和壓降時，輸出電壓達到最大值，其值為（Vcc-Vces1），因此最大不失真輸出電壓的有效值：

Uom=（Vcc-Vces1）/，假設三極管參數等一樣，飽和壓降也一樣，即Vces1=-Vces2=Vces。

最大輸出功率：Pom=Uom^2/R=（Vcc-Vces）^2/2RL+2R9 或R10 一個周期內回路阻抗2RL+2R9

在忽略基極回路電流的情況下，電源Vcc提供的電流：

Ic=（Vcc-Vces）/RLsinwt

電源在負載獲得最大交流功率時，所消耗的的平均功率等于平均電流于電源電壓之積，

Pv=1/Π（Vcc-Vces）/RLsinwt*Vcc dwt=2/Π*Vcc（Vcc-Vces）/RL

整理后得到，轉換效率

η。=Pom/Pv=Π/4*（Vcc-Vces）/Vcc

在理想情況下，即飽和管的壓降可忽略不計，R9和R10比較小忽略不計（Q1和Q2射極負反饋電阻），的情況下

Pom=Uom^2/RL=Vcc^2/2RL

Pv=2/Π*Vcc^2/RL

η。=Pom/Pv=Π/4=78.5%

這里應當注意，大功率飽和管壓降為2-3v，因而一般情況下不能忽略飽和管的壓降，即不能用上面的三個式子。

03OCL電路中晶體管的選擇

在功率放大電路中，應根據晶體管所承受的最大管壓降Vces、集電極最大的電流Icm和最大的功耗來選擇晶體管。

1、最大的管壓降

從OCL電路工作原理的分析可知，兩只功放管中Q1和Q2處于截至狀態的管子將承受較大的管壓降。假設輸入電壓Ui為正半周，Q1導通，Q2截至，當Ui從0開始增加到峰值時，Q1和Q2管的發射極電位Ve逐漸增加到（VCC-Vces1），因為Q2管的管壓降Vec2的數值 Vec2=（Ve-0）=Ve，Vce2max=Vcc-Vces1，由于Ie平均電流比較小，R9R10阻值比較小，所以先忽略這兩個電阻產生的壓降。。利用同樣的分析方法去分析，可得：

當Ui為下半周值時，Q1管承受最大的管壓降，數值為VCC-Vces2.所以考慮要預留一定的余量，管子承受最大的壓降為/Vcemax/=Vcc。

2、集電極最大電流

從電路最大輸出功率的分析可知，晶體管的發射極電流等于負載電流，負載電阻上的的最大電壓為Vcc-Vces1，故集電極電流的最大值為：

Ic≈Iemax=（Vcc-Vces1）/RL

考慮留有一定余量

Icmax=Vcc/RL

3、集電極最大功率

在功率放大電路中，電源提供的功率，除了轉換輸出功率外，其余部分主要消耗在功率管Q1和Q2上，可以認為晶體管所損耗的功率Pq=Pv-Po。當激勵信號輸入電壓為2.5v時，即輸出功率最小時，由于集電極電流非常小，使管子的損耗很小；當輸入電壓最大時，即輸出功率最大，由于管子壓降很小，使管子的損耗也很小；可見，管耗最大既不會發生在電壓電壓最小時，也不會發生在輸入電壓最大時。下面列出了晶體管的集電極功耗Pq與輸出電壓峰值Vom的關系，然后對Vom求管壓降和集電極電流瞬時值的表達式：

Vce=（Vcc-Vomsinwt），Ic=Vom/R

L*sinwt

功耗Pq為功放管Q1和Q2管所損耗的平均功率，所以每只晶體管的集電極功耗表達式為：

瞬時最大的管壓降*瞬時的電流 再求平均

Pq=1/2Π（Vcc-Vomsin wt）*Vom/RL*sin wt*dwt

=1/RL（Vcc*Vom/Π-Vom^2/4）

假設dPq/dVom=0，可以求得，Vom=2/Π*Vcc≈0.6Vcc。

以上分析表明，當Vom≈0.6Vcc時，Pq=Pqmax。 將Uom代入Pq==1/RL（VccVom/Π-Vom^2/4）

Pqmax=Vcc^2/Π^2RL

當Vces=0時，根據Pom=Vom^2/RL=Vcc^2/2RL

Pqmax=2*Pom/Π^2≈0.2Pom/Uces=0

可見，晶體管集電極最大功耗僅為理想（飽和壓降為0）時最大輸出功率的五分之一。

查詢手冊選擇晶體管時，應使用極限參數

Vbrceo》Vcc

Icm》Vcc/RL

Pcm》0.2Pom/Vces=0， Pcm集電極功耗

這里仍需要強調的，在選擇晶體管時，其極限參數，特別是Pcm應留一定的余量，并且嚴格按照手冊PCBlayout或安裝散熱片。
編輯：jq