板子莫名其妙就不能進(jìn)行調(diào)試了；燒錄芯片經(jīng)常出現(xiàn)壞片；良品率太低；是芯片太過脆弱還是我們的操作不當(dāng)，我想大家或多或少遇到過這樣的問題；對于開發(fā)者來說，雖然也就是多花幾兩銀子換芯片的事，但對于大批量生產(chǎn)來說，經(jīng)常出現(xiàn)這種情況可就不是問題了，也許看了下面，你就能找到問題的真正原因。

由于供電電壓，芯片燒寫程序的兩種方式：在板燒錄和座燒。對于個(gè)人用戶或是某些特定的行業(yè)，如汽車電子，大部分都是用在板燒錄；對于很多開發(fā)板或者我們自己設(shè)計(jì)的系統(tǒng)板，調(diào)試接口的VCC一般都是直接從芯片供電引腳拉出，如果編程器供電不穩(wěn)，則很容易造成芯片的過壓損壞。

另外一種比較有意思的情況發(fā)生在大批量生產(chǎn)中，由于各種各樣的因素影響，芯片有時(shí)候燒到一半就被中斷了，而有些芯片的加密位恰恰是在燒錄文件的前段，對于有些燒錄器，可能會(huì)直接按燒錄文件順序燒錄，就會(huì)造成芯片已經(jīng)被KILL了，但是由于燒錄中斷造成后半段的程序還沒燒進(jìn)去，那這個(gè)芯片就真的廢了。一種比較可靠的燒錄方案是在最后燒錄加密位，這樣就可以有效避免燒錄中斷造成的芯片意外鎖死。

由于編程高壓，這種情況當(dāng)然也存在，但前提條件是給芯片供電電源太高，或電流過大，都會(huì)導(dǎo)致芯片內(nèi)部電路由于超過其極限工作電流電壓而導(dǎo)致芯片損壞。

由于芯片實(shí)際電路中發(fā)生故障而導(dǎo)致芯片瞬間大電流與大電壓而產(chǎn)生的損壞。

由于做工有瑕疵，而導(dǎo)致芯片在一上電的過程中損壞。

由于操作不當(dāng)，防靜電措施沒有做好，導(dǎo)致芯片由于受靜電而損壞。在生活中處處有靜電，且靜電的危害很大。如果沒有做好防靜電措施，很多芯片器件的損壞很難查找到原因。

測量芯片好壞方法

真實(shí)性檢驗(yàn)，通過化學(xué)腐蝕及物理顯微觀察等方法，來檢驗(yàn)鑒定器件是否為原半導(dǎo)體廠商的器件。

直流特性參數(shù)測試，通過專用的IC測試機(jī)臺(tái)來測量記錄器件的直流特性參數(shù)，并比較分析器件的性能參數(shù)，又稱靜態(tài)度測試法。

關(guān)鍵功能檢測驗(yàn)證，根據(jù)原廠器件產(chǎn)品的說明或應(yīng)用筆記或者終端客戶的應(yīng)用電路，評(píng)估設(shè)計(jì)出可行性專用測試電路，通過外圍電路或端口，施加相應(yīng)的有效激勵(lì)給輸入PIN腳，再通過外圍電路的調(diào)節(jié)控制、信號(hào)放大或轉(zhuǎn)換匹配等，使用通用的測量儀器或指示形式，來檢測驗(yàn)證器件的主要功能是否正常。

全部功能及特性參數(shù)測試，根據(jù)原廠提供的測試向量或自己仿真編寫的測試向量，使用IC測試機(jī)臺(tái)來測試驗(yàn)證器件的直流特性參數(shù)、器件的所有功能或工作運(yùn)行的狀態(tài)，但不包括AC參數(shù)特性的驗(yàn)證分析。換句話說，完全囊括了級(jí)別II和級(jí)別III的測試項(xiàng)目。

交流參數(shù)測試及分析，在順利完成了級(jí)別V之后，且所有的測試項(xiàng)目都符合標(biāo)準(zhǔn)，為了進(jìn)一步驗(yàn)證器件信號(hào)傳輸?shù)奶匦詤?shù)，及邊沿特性、而進(jìn)行AC參數(shù)的測試。

用萬用表測量芯片的好壞

• 如果壞的話最常見的也是擊穿損壞，你可以用萬用表測量一下芯片的供電端對地的電阻或電壓，一般如果在幾十歐姆之內(nèi)或供電電壓比正常值低，大部分可以視為擊穿損壞了，可以斷開供電端，單獨(dú)測量一下供電是否正常。如果測得的電阻較大，那很可能是其他端口損壞，也可以逐一測量一下其他端口。看是否有對地短路的端口。

• 專門具有檢測IC的儀器，萬用表沒有這個(gè)能力。一般使用萬用表都是檢測使用時(shí)的引腳電壓做大約的判斷，沒有可靠性。并且是在對于這款I(lǐng)C極其熟悉條件下做判斷。

文章整合自：個(gè)人圖書館、電工屋、hqew

審核編輯：鄢夢凡