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濕處理過程中硅介質上污染物的沉積

華林科納半導體設備制造 ? 來源:華林科納半導體設備制造 ? 作者:華林科納半導體設 ? 2022-02-18 13:24 ? 次閱讀

摘要

光伏制造濕法工藝步驟的評估表明雜質可能沉積在硅介質上。在取出晶片時,液體層保留在硅表面上。

當液體蒸發時,液體中的任何污染物都會沉積在硅上。該數據表明,影響雜質沉積的最大因素是熔池中雜質的濃度。

濕法加工中的污染源

將硅片加工成光伏電池涉及多個步驟。該過程從生長硅錠開始,并通過各種包括晶片鋸切、清洗、蝕刻、擴散、絲網印刷和最后測試的步驟。在整個過程中,保持硅晶片的純度是至關重要的, 因為已經表明污染會對細胞的效率和有效壽命產生負而前濕法工藝是制造過程中的一個污染源。這些濕法工藝通常使用高純度化學物質,如氫氟酸和鹽酸,以及18兆歐厘采的去離子水。當化學物質開始時低雜質,化學品暴露于化學品分配系統中使用的材料,如管道閥門和容器,會將液體污染到不可接受的程度??商崛⌒詼y試表明,用于油濕部件的材料類型,如聚氯乙烯、聚丙烯或全氟烷氧基(PFA)對流體介質中存在的污染水平有顯著影響。

濕處理過程中硅介質上污染物的沉積

金屬污染物對載流子的壽命有顯著影響。金屬污染物可以作為硅的蝕刻紋理化的副產品被引入到浴缸中,也可以通過工藝被引入。許多研究已經進行來測量金屬污染物對細胞性能的影響。其中大多數集中在硅基底中的鐵塊污染上。平面(或表面)濃度為1011個原子/cm2的金屬污染物已被證明會改變載流子的壽命超過一個數量級。大多數但不是全部,這些損失可以通過適當的熱處理來恢復。因此,最小化金屬污染是實現最大載流子壽命和電池效率至關重要。

計算硅片的污染利用浸涂過程中常見的技術和理論,可以計算從液浴中去除后硅片上殘留的化學厚度層。液層的厚度(h)可以用朗道-萊維奇方程來估計。

研究表明,在光伏電池中發現的雜質會降低電池的效率。例如,鐵污染將減少少數載體的壽命,從而降低電池效率。因此,它在功能上都是有限的在制造過程中,這對保護硅晶片免受污染非常重要。本文的數據表明,由于濕過程中發現的雜質硅片的污染增加。這將使光伏制造商能夠評估他們自己的濕工藝浴,并了解他們對其晶片純度水平的影響。

審核編輯:湯梓紅

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