據報道，虎年新春伊始，杭州青山湖科技城傳來佳音。由昕原半導體(杭州)有限公司(以下稱“昕原半導體”)主導建設的大陸首條28/22nm ReRAM(阻變存儲器)12寸中試生產線順利完成了自主研發設備的裝機驗收工作，實現了中試線工藝流程的通線，并成功流片。

01新型存儲器“錢景”廣闊

在國家“十四五”規劃綱要中，加強原創性引領性科技攻關方面，“先進存儲技術升級”被列入“科技前沿領域攻關”重點領域。且根據世界權威半導體市場研究機構Yole Development統計，存儲器總體市場空間將從2019年的1110億美元增長至2025年的1850億美元。

目前，我國正在大力發展存儲產業：一方面在傳統存儲器上努力實現追趕，如全力投入NAND Flash(Flash內存的一種)的長江存儲和專注于DRAM(動態隨機存取存儲器最為常見的系統內存)的長鑫存儲;另一方面也在提前布局新型存儲器。

隨著萬物智聯時代的到來，應未來人工智能(AI)，智能汽車、人工智能與物聯網(AIOT)及邊緣計算(Edge Computing) 等高計算能力的需求，如DRAM、NAND等高容量存儲器的閃存高耗電及速度問題已無法與時俱進。簡單來說，DRAM能算不能存(斷電后數據丟失)，NAND Flash能存不能算(讀寫速度低)，如果NAND+DRAM配合使用則會造成能耗過高，而另一常用存儲器Nor Flash因存儲密度低(存儲量低)，且無法嵌入28nm/22nm以下的工藝，很難在現有基礎上實現性能的突破。

在市場的迫切需求下，集高存儲密度，高速，低功耗，能嵌入28nm以下工藝等于一身的新一代存儲器的研發和生產，已勢在必行。

02材料簡單、成本低，性能卻不一般

目前，全球主流的新型存儲器技術主要有PCM(相變存儲器)、FeRAM(鐵電存儲器)、MRAM(磁性存儲器)及ReRAM(阻變存儲器)。相較于其他幾項新型存儲器技術而言，ReRAM的材料需求種類和額外的光罩數量更少，可以實現更低的生產成本。同時，業界普遍認為ReRAM能夠充分滿足神經形態計算和邊緣計算等應用對能耗、性能和存儲密度的要求，預期將在AIoT、智能汽車、數據中心、AI計算(存算一體)等領域獲得廣泛的運用。

“我們從密度、能效比、成本、工藝制程和良率各方面綜合衡量，非?？春肦eRAM存儲器的技術及商業發展前景，所以把它作為我們的研發重點!”昕原半導體相關負責人表示。

03國產存儲器有望“彎道超車”

新型存儲器的核心，是在其開發中需要在傳統CMOS(互補金屬氧化物半導體的縮寫，制造大規模集成電路芯片用的一種技術或用這種技術制造出來的芯片)工藝里增加一些特殊的材料或工藝，這些特殊材料或工藝的開發則需要經過大量實驗及測試驗證。

傳統CMOS代工廠或因囿于資源所限，迭代速度較慢，從而影響工藝開發進度，而國內各大科研院所雖可在實驗室階段加快迭代速度，但沒有標準的12寸量產產線，實驗成果往往很難走向量產。

昕原自行搭建的28/22nm ReRAM(阻變存儲器)12寸中試生產線就解決了上述問題。汲取了代工廠和實驗室的長處，迭代速度快， 產線靈活，擁有自主可控的知識產權，使得ReRAM相關產品的快速實現變成了可能。

“作為大陸首條28/22nm ReRAM12寸中試生產線，我們產線的順利導通并完成產品的驗證和實現量產，將極大帶動我國新型存儲行業發展?！标吭雽w相關負責人表示，“而在這一領域，目前國內外差距較小，壁壘尚未形成，為我國存儲器產業實現“彎道超車”提供了可能?！?/p>

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審核編輯：湯梓紅