今天我們來(lái)講講，下面這個(gè)“電平轉(zhuǎn)換”電路，理解后令人心情愉快。電路設(shè)計(jì)其實(shí)也可以很有趣。先說(shuō)一說(shuō)這個(gè)電路的用途：當(dāng)兩個(gè)MCU在不同的工作電壓下工作(如MCU1 工作電壓5V;MCU2 工作電壓3.3V)，那么MCU1 與MCU2之間怎樣進(jìn)行串口通信呢?很明顯是不能將對(duì)應(yīng)的TX、RX引腳直接相連的，否測(cè)可能造成較低工作電壓的MCU燒毀!下面的“電平雙向轉(zhuǎn)換電路”就可以實(shí)現(xiàn)不同VDD(芯片工作電壓)的MCU之間進(jìn)行串口通信。

該電路的核心在于電路中的MOS場(chǎng)效應(yīng)管(2N7002)。他和三極管的功能很相似，可做開(kāi)關(guān)使用，即可控制電路的通和斷。不過(guò)比起三極管，MOS管有挺多優(yōu)勢(shì)，后面將會(huì)詳細(xì)講起。下圖是MOS管實(shí)物3D圖和電路圖。簡(jiǎn)單的講，要讓他當(dāng)做開(kāi)關(guān)，只要讓Vgs(導(dǎo)通電壓)達(dá)到一定值，引腳D、S就會(huì)導(dǎo)通，Vgs沒(méi)有達(dá)到這個(gè)值就截止。

那么如何將2N7002應(yīng)用到上面電路中呢，又起著什么作用呢?下面我們來(lái)分析一下。

如果沿著a、b兩條線(xiàn)，將電路切斷。那么MCU1的TX引腳被上拉為5V，MCU2的RX引腳也被上拉為3.3V。2N7002的S、D引腳(對(duì)應(yīng)圖中的2、3引腳)截止就相當(dāng)于a、b兩條線(xiàn)，將電路切斷。也就是說(shuō)，此電路在2N7002截止的時(shí)候是可以做到，給兩個(gè)MCU引腳輸送對(duì)應(yīng)的工作電壓。

下面進(jìn)一步分析：

數(shù)據(jù)傳輸方向MCU1-->MCU2。

1. MCU1 TX發(fā)送高電平(5V)，MCU2 RX配置為串口接收引腳，此時(shí)2N7002的S、D引腳(對(duì)應(yīng)圖中的2、3引腳)截止，2N7002里面的二極管3-->2方向不通。那么MCU2 RX被VCC2上拉為3.3V。相關(guān)推薦：MOS管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)。

2. MCU1 TX發(fā)送低電平(0V)，此時(shí)2N7002的S、D引腳依然截止，但是2N7002里面的二極管2-->3方向通，即VCC2、R2、2N7002里的二極管、MCU1 TX組成一個(gè)回路。2N7002的2引腳被拉低，此時(shí)MCU2 RX為0V。該電路從MCU1到MCU2方向，數(shù)據(jù)傳輸，達(dá)到了電平轉(zhuǎn)換的效果。

接下來(lái)分析

數(shù)據(jù)傳輸方向MCU2-->MCU1

1. MCU2 TX發(fā)送高電平(3.3V)，此時(shí)Vgs(圖中1、2引腳電壓差)電壓差約等于0，2N7002截止，2N7002里面的二極管3-->2方向不通，此時(shí)MCU1 RX引腳被VCC1上拉為5V。

2. MCU2 TX發(fā)送低電平(0V)，此時(shí)Vgs(圖中1、2引腳電壓差)電壓差約等于3.3V，2N7002導(dǎo)通，2N7002里面的二極管3-->2方向不通，VCC1、R1、2N7002里的二極管、MCU2 TX組成一個(gè)回路。2N7002的3引腳被拉低，此時(shí)MCU1 RX為0V。

該電路從MCU2到MCU1方向，數(shù)據(jù)傳輸，達(dá)到了電平轉(zhuǎn)換的效果。

到此，該電路就分析完了，這是一個(gè)雙向的串口電平轉(zhuǎn)換電路。

MOS的優(yōu)勢(shì)：

1、場(chǎng)效應(yīng)管的源極S、柵極G、漏極D分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似，圖一所示是N溝道MOS管和NPN型晶體三極管引腳，圖二所示是P溝道MOS管和PNP型晶體三極管引腳對(duì)應(yīng)圖。

2、場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由VGS控制ID，普通的晶體三極管是電流控制電流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系數(shù)是(跨導(dǎo)gm)當(dāng)柵極電壓改變一伏時(shí)能引起漏極電流變化多少安培。晶體三極管是電流放大系數(shù)(貝塔β)當(dāng)基極電流改變一毫安時(shí)能引起集電極電流變化多少。

3、場(chǎng)效應(yīng)管柵極和其它電極是絕緣的，不產(chǎn)生電流;而三極管工作時(shí)基極電流IB決定集電極電流IC。因此場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高的多。

4、場(chǎng)效應(yīng)管只有多數(shù)載流子參與導(dǎo)電;三極管有多數(shù)載流子和少數(shù)載流子兩種載流子參與導(dǎo)電，因少數(shù)載流子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場(chǎng)效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好。

5、場(chǎng)效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用，且特性變化不大，而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí)，其特性差異很大，b 值將減小很多。

6、場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級(jí)及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應(yīng)管。

7、場(chǎng)效應(yīng)管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開(kāi)關(guān)電路，但是場(chǎng)效應(yīng)管制造工藝簡(jiǎn)單，并且又具有普通晶體三極管不能比擬的優(yōu)秀特性，在各種電路及應(yīng)用中正逐步的取代普通晶體三極管，目前的大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中，已經(jīng)廣泛的采用場(chǎng)效應(yīng)管。

8、輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率小：由于柵源之間是二氧化硅(SiO2)絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達(dá)100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對(duì)激勵(lì)信號(hào)不會(huì)產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅(qū)動(dòng)，所以驅(qū)動(dòng)功率極小(靈敏度高)。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動(dòng)集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動(dòng)是需要功率的(Vb×Ib)。

9、開(kāi)關(guān)速度快:MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系，由于輸入容性特性的存在，使開(kāi)關(guān)的速度變慢，但是在作為開(kāi)關(guān)運(yùn)用時(shí)，可降低驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻，加快開(kāi)關(guān)速度(輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動(dòng)，加快了容性的充放電的時(shí)間)。MOSFET只靠多子導(dǎo)電，不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，因而關(guān)斷過(guò)程非常迅速，開(kāi)關(guān)時(shí)間在10—100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，使開(kāi)關(guān)總有滯后現(xiàn)象，影響開(kāi)關(guān)速度的提高(目前采用MOS管的開(kāi)關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對(duì)于普通的大功率晶體三極管來(lái)說(shuō)是難以想象的)。

10、無(wú)二次擊穿：由于普通的功率晶體三極管具有當(dāng)溫度上升就會(huì)導(dǎo)致集電極電流上升(正的溫度～電流特性)的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會(huì)導(dǎo)致溫度進(jìn)一步的上升，溫度進(jìn)一步的上升，更進(jìn)一步的導(dǎo)致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降最終導(dǎo)致晶體三極管的擊穿，這是一種導(dǎo)致電視機(jī)開(kāi)關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱(chēng)為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當(dāng)管溫度(或環(huán)境溫度)上升時(shí)，溝道電流IDS反而下降。例如;一只IDS=10A的MOS FET開(kāi)關(guān)管，當(dāng)VGS控制電壓不變時(shí)，在250C溫度下IDS=3A，當(dāng)芯片溫度升高為1000C時(shí)，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導(dǎo)致溝道電流IDS下降的負(fù)溫度電流特性，使之不會(huì)產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象，可見(jiàn)采用MOS管作為開(kāi)關(guān)管，其開(kāi)關(guān)管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機(jī)開(kāi)關(guān)電源采用MOS管代替過(guò)去的普通晶體三極管后，開(kāi)關(guān)管損壞率大大降低也是一個(gè)極好的證明。

11、MOS管導(dǎo)通后其導(dǎo)通特性呈純阻性：普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通是，幾乎是直通，有一個(gè)極低的壓降，稱(chēng)為飽和壓降，既然有一個(gè)壓降，那么也就是;普通晶體三極管在飽和導(dǎo)通后等效是一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)等效的電阻是一個(gè)非線(xiàn)性的電阻(電阻上的電壓和流過(guò)的電流不能符合歐姆定律)，而MOS管作為開(kāi)關(guān)管應(yīng)用，在飽和導(dǎo)通后也存在一個(gè)阻值極小的電阻，但是這個(gè)電阻等效一個(gè)線(xiàn)性電阻，其電阻的阻值和兩端的電壓降和流過(guò)的電流符合歐姆定律的關(guān)系，電流大壓降就大，電流小壓降就小，導(dǎo)通后既然等效是一個(gè)線(xiàn)性元件，線(xiàn)性元件就可以并聯(lián)應(yīng)用，當(dāng)這樣兩個(gè)電阻并聯(lián)在一起，就有一個(gè)自動(dòng)電流平衡的作用，所以MOS管在一個(gè)管子功率不夠的時(shí)候，可以多管并聯(lián)應(yīng)用，且不必另外增加平衡措施(非線(xiàn)性器件是不能直接并聯(lián)應(yīng)用的)。

原文標(biāo)題：不同的電平信號(hào)的MCU怎么通信?

文章出處：【微信公眾號(hào)：STM32嵌入式開(kāi)發(fā)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

審核編輯：湯梓紅