半導體硅基板的蝕刻方法簡介
本文是為了在Si基板蝕刻制造金剛石時提高制造收率，為此，將半導體Si基板接入陽極，將Pt電極接入陰極后，在pt電極用跳汰機內放入氮氣泡泡器，旋轉對向的正電極上外部認可電壓，泡泡器內吹入氮氣，在加溫的蝕刻溶液內進行蝕刻。（圖3、圖4）
在連接到陽兢的半導體硅基板上，將連接到陰極的鉑線纏繞在夾子上的鉑電極對向，在夾子中放入氮氣泡泡，通過該泡泡注入地素的半導體硅基板的蝕刻方法，一種半導體硅基板的蝕刻方法，使氮氣泡沫器與氮氣注入一起旋轉。
審核編輯：符乾江
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