精品国产人成在线_亚洲高清无码在线观看_国产在线视频国产永久2021_国产AV综合第一页一个的一区免费影院黑人_最近中文字幕MV高清在线视频

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件

意法半導(dǎo)體PDSA ? 來源:意法半導(dǎo)體PDSA ? 作者:意法半導(dǎo)體PDSA ? 2022-04-09 13:28 ? 次閱讀

VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件。得益于650 V GaN器件,VIPERGAN50在自適應(yīng)間歇工作模式(burstmode) 開啟的情況下,待機(jī)功耗低于30 mW。此外,該器件的保護(hù)功能可提高穩(wěn)健性并有助于減少所用的物料。QFN5x6 mm封裝也使其成為業(yè)內(nèi)同等功率輸出中封裝最小的器件之一。VIPERGAN50已批量供貨,配有USB-PD供電端口的開發(fā)板也即將面世。

為何選擇QR ZVS反激式轉(zhuǎn)換器?

應(yīng)用不斷需求更高的功率密度

在2002年11月的應(yīng)用筆記AN1326 中,我們解釋了工程師經(jīng)常在電視和其他電器的開關(guān)電源(SMPS)中使用準(zhǔn)諧振(QR)零電壓開關(guān)(ZVS),也稱為谷底開通。這在今天仍然適用,該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)正出現(xiàn)在更多產(chǎn)品中。其原因在于,功率密度每過十年就變得越來越高。例如,電視現(xiàn)在像素更高,功耗要求也更嚴(yán)格。同樣,雖然50 W充電器并非新產(chǎn)品,但消費(fèi)者需要的是從外觀和感覺上都不像板磚一樣巨大,且能給筆記本電腦、平板電腦、手機(jī)和其他設(shè)備快速充電的產(chǎn)品。 QR ZVS反激式轉(zhuǎn)換器不斷需求更高效率業(yè)界經(jīng)常選用準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器主要是因?yàn)樗男瘦^高。傳統(tǒng)PWM轉(zhuǎn)換器中,在電壓最高時(shí)開啟器件,這會(huì)導(dǎo)致功率損耗隨開關(guān)頻率的增加而增加。工程師可使用緩沖電路緩解此類情況,但提高效率的最佳方法是軟開關(guān),這意味著在電壓或電流為零時(shí)進(jìn)行開關(guān)。為此,通過諧振(電感-電容或LC)將方波信號(hào)轉(zhuǎn)換為正弦波形。在ZVS中,啟動(dòng)發(fā)生在曲線底部或谷底。多年來,工程師試圖提高QR ZVS反激式轉(zhuǎn)換器效率,而GaN正好給出一個(gè)新答案。

現(xiàn)在為何選擇VIPERGAN50?

GaN晶體管

VIPERGAN50使用與MASTERGAN系列相同的650 V GaN晶體管,因此具有類似優(yōu)勢(shì)。例如,GaN高電子遷移率意味著該器件可適用于高開關(guān)頻率。因此,該器件可承受更大負(fù)載,同時(shí)減少損耗。有鑒于此,GaN可用于制造可輸出更高功率,同時(shí)整體尺寸更小的電源。作為此類別的首款產(chǎn)品,VIPERGAN50還具有高度象征意義。隨著意法半導(dǎo)體持續(xù)將GaN視為重點(diǎn),我們將使用具有更高規(guī)格的晶體管。因此,業(yè)界可期待未來的VIPERGAN型號(hào)具有更高的輸出功率。 多模式操作新器件可通過多模式操作優(yōu)化其性能。簡(jiǎn)而言之,VIPERGAN50可根據(jù)其負(fù)載調(diào)整其開關(guān)頻率。在重負(fù)載期間,準(zhǔn)諧振電路可將GaN的導(dǎo)通與變壓器去磁(ZCD引腳)同步,最大限度地減少損耗。同樣,重負(fù)載載或中等負(fù)載會(huì)觸發(fā)跳谷底。概括而言,負(fù)載降低時(shí),晶體管可跳過一個(gè)或多個(gè)谷底。在這種情況下,開關(guān)頻率會(huì)降低以限制損耗。 同樣,頻率折返模式可在中等和輕負(fù)載期間降低頻率,但確保其保持在某個(gè)閾值以上以防止噪聲。最后,在輕載或空載時(shí),間歇工作模式可將開關(guān)頻率限制在幾百赫茲,同時(shí)保持恒定峰值電流以防止噪聲。在最后一種模式下,VIPERGAN50功耗低于30mW,靜態(tài)電流僅為900 μA。因此,新器件可助力滿足要求更高能效以節(jié)省全球資源的新環(huán)境法規(guī)。

意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件

【VIPERGAN50多模式操作】

保護(hù)功能傳統(tǒng)上,工程師添加外部器件以提供安全功能并保護(hù)其電路。VIPERGAN50可極大提高效率,這意味著意法半導(dǎo)體有空間容納更多的安全功能。因此,設(shè)計(jì)師在電路板上需要更少的組件,從而減少所用物料。舉例而言,新器件是VIPer Plus系列中首款提供輸入過壓保護(hù)(iOVP)以防止突然電壓尖峰的器件。同理,brown-in/brown-out功能通過設(shè)置啟動(dòng)運(yùn)行和停止運(yùn)行的最小輸入電壓監(jiān)控電源電壓,以保護(hù)系統(tǒng)免受不可靠電源的影響。這些功能的優(yōu)先級(jí)高于更常見的過溫和過載/短路保護(hù)。

原文標(biāo)題:作為意法半導(dǎo)體首款氮化鎵準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,VIPERGAN50可完美搭配令人印象深刻的下一代50 W電源

文章出處:【微信公眾號(hào):意法半導(dǎo)體PDSA】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 意法半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3106

    瀏覽量

    108525
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    77

    文章

    9634

    瀏覽量

    137848
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    59

    文章

    1613

    瀏覽量

    116163

原文標(biāo)題:作為意法半導(dǎo)體首款氮化鎵準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,VIPERGAN50可完美搭配令人印象深刻的下一代50 W電源

文章出處:【微信號(hào):STM_IPGChina,微信公眾號(hào):意法半導(dǎo)體PDSA】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    TriQuint半導(dǎo)體推出具有卓越增益的新氮化晶體管

    TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT),推出四具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化GaN)HEMT射頻功率
    發(fā)表于 12-18 09:13 ?1336次閱讀

    放大器尺寸再減50%!TriQuint卓越增益新氮化晶體管

    TriQuint半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼:TQNT),推出四具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化GaN) HEMT 射頻功率
    發(fā)表于 12-19 10:19 ?1227次閱讀

    MACOM:硅基氮化器件成本優(yōu)勢(shì)

    `作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富,該公司的產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管,后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件(例如砷化
    發(fā)表于 09-04 15:02

    MACOM和半導(dǎo)體將硅上氮化推入主流射頻市場(chǎng)和應(yīng)用

    趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化產(chǎn)品的替代技術(shù)。我們期待這項(xiàng)合作讓這些GaN創(chuàng)新在硅供應(yīng)鏈內(nèi)結(jié)出碩果,最終服務(wù)于要求最高的客戶和應(yīng)用。”
    發(fā)表于 02-12 15:11

    GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

    寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅(Si)和第二代化合物
    發(fā)表于 06-25 07:41

    什么是GaN透明晶體管

    地,氮化晶體管以鎳和金的薄膜組配作為柵極金屬,并采用肖特基接觸或金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)。為確保透明,我們可以調(diào)整這種設(shè)計(jì),將這些不
    發(fā)表于 11-27 16:30

    CGHV96100F2氮化GaN)高電子遷移率晶體管

    `Cree的CGHV96100F2是氮化GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內(nèi)部匹配(IM)FET
    發(fā)表于 12-03 11:49

    SGN2729-250H-R氮化晶體管

    )1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化晶體管SGN1214-220H-R
    發(fā)表于 03-30 11:14

    用于大功率和頻率應(yīng)用的舍入 GaN晶體管

    )。WBG 板載電動(dòng)汽車充電器示意圖此外,這兩種寬帶隙化合物半導(dǎo)體(如氮化和碳化硅)的所用材料晶體管據(jù)說具有很高的擊穿電壓,可以在高溫下工作??紤]到這一點(diǎn),本文打算研究
    發(fā)表于 06-15 11:43

    迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管氮化器件

    ,因此我們能夠借用各種各樣的既有商業(yè)光刻和加工技術(shù)。借助這些方法,精確定義幾十納米的晶體管尺寸和產(chǎn)生各種各樣的器件拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得相對(duì)簡(jiǎn)單。其他寬帶隙的半導(dǎo)體材料不具備這種難以置信的有用特性,甚至
    發(fā)表于 02-27 15:46

    什么是氮化GaN)?

    具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì),氮化充電器的充電器件運(yùn)行速度,比傳統(tǒng)硅器件
    發(fā)表于 06-15 15:41

    有關(guān)氮化半導(dǎo)體的常見錯(cuò)誤觀念

    功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極。2010年,第一增強(qiáng)型氮化晶體管普遍可用,旨在取代硅功率M
    發(fā)表于 06-25 14:17

    半導(dǎo)體推出了新系列雙非對(duì)稱氮化GaN晶體管產(chǎn)品

    基于MasterGaN?平臺(tái)的創(chuàng)新優(yōu)勢(shì),半導(dǎo)體推出了MasterGaN2,作為新系列雙非對(duì)稱氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-20 11:20 ?3280次閱讀

    半導(dǎo)體采用氮化晶體管VIPer器件介紹

    VIPERGAN50是半導(dǎo)體VIPerPLUS系列可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST
    的頭像 發(fā)表于 05-20 10:58 ?2416次閱讀

    半導(dǎo)體推出首具有電流隔離功能的氮化晶體管柵極驅(qū)動(dòng)器

    2023 年 9 月 6 日,中國 ——半導(dǎo)體推出了具有電流隔離功能的氮化
    發(fā)表于 09-07 10:12 ?636次閱讀