三星將中斷12nm DRAM芯片開(kāi)發(fā)，直接跨入11nm
近日，據(jù)韓媒報(bào)道稱(chēng)，三星的研發(fā)人員收到了中斷1b工藝DRAM芯片開(kāi)發(fā)的命令，要求直接研發(fā)1c工藝DRAM芯片，也就是跳過(guò)12nm工藝直接研發(fā)11nm工藝。
在此之前，三星也做出過(guò)類(lèi)似的決定。曾經(jīng)各大廠商都專(zhuān)心研究28nm DRAM芯片時(shí)，三星同樣跨過(guò)了28nm，直接開(kāi)始研發(fā)25nm工藝，最終取得了成功。
這次三星同樣想靠彎道超車(chē)來(lái)與其他廠商拉開(kāi)差距，占據(jù)行業(yè)領(lǐng)先地位。三星計(jì)劃在6月完成11nm DRAM芯片的開(kāi)發(fā)工作。
綜合整理自 比特網(wǎng) 萬(wàn)仟網(wǎng) 中文科技資訊
審核編輯 黃昊宇
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