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意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET 提高能效和開關(guān)性能

科技綠洲 ? 來源:意法半導(dǎo)體PDSA ? 作者:意法半導(dǎo)體PDSA ? 2022-05-19 14:41 ? 次閱讀

意法半導(dǎo)體的STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開關(guān)式電源 (SMPS)。

首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低,可以極大程度提高功率密度,并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導(dǎo)通電阻(RDS(on)max)都處于同類領(lǐng)先水平,STP65N045M9 為 45mΩ,STP60N043DM9 為 43mΩ。由于柵極電荷 (Qg)非常低,在 400V 漏極電壓時(shí)通常為 80nC,兩款器件都具有目前市場上一流的RDS(on)max x Qg品質(zhì)因數(shù) (FoM)。

STP65N045M9 的柵極閾壓(VGS(th))典型值為 3.7V,STP60N043DM9 的典型值為 4.0V,與上一代的MDmesh M5 和 M6/DM6 相比,可極大程度地降低通斷開關(guān)損耗。MDmesh M9 和 DM9 系列的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和反向恢復(fù)時(shí)間(trr)也都非常低,這有助于進(jìn)一步提高能效和開關(guān)性能。

意法半導(dǎo)體最新高壓 MDmesh 技術(shù)的另一個特點(diǎn)是增加了一道鉑擴(kuò)散工藝,確保本征體二極管開關(guān)速度快。該二極管恢復(fù)斜率(dv/dt) 峰值高于早期工藝。MDmesh DM9全系產(chǎn)品具有非常高的魯棒性,在 400V電壓時(shí)可耐受高達(dá) 120V/ns 的dv/dt斜率。

審核編輯:彭靜
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