隨著功率電子市場(chǎng)的發(fā)展，傳統(tǒng)硅（Si）器件的性能已經(jīng)接近了理論上的“天花板”，因此近年來(lái)以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的寬禁帶第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)日趨活躍。

其中，SiC材料的禁帶寬度（3.26eV）是Si材料的3倍，介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，電子飽和速度比Si材料高2倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，這意味著基于SiC的功率電子器件可以承受更高的擊穿電壓，具有更佳的熱性能，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率、更高的功率密度、更高的效率，成為下一代功率器件的理想之選。因此，各個(gè)半導(dǎo)體廠商圍繞SiC的推新速度也在加速。

Microchip Technology的SiC半導(dǎo)體器件就是其中的代表作，他們開(kāi)發(fā)的下一代SiC MOSFET和SiCSBD（肖特基勢(shì)壘二極管），在額定導(dǎo)通電阻或電流下，具有更高的重復(fù)性非感性箝位開(kāi)關(guān) (UIS) 能力。其中，SiC MOSFET在近10－25焦耳/平方厘米 (J/cm2) 時(shí)可保持高UIS能力和強(qiáng)大的短路保護(hù)性能。而SiC SBD在低反向電流下具有平衡的浪涌電流、正向電壓、熱阻和熱容額定值，以實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。

此外，Microchip的SiC MOSFET和SiC SBD芯片還可配對(duì)應(yīng)用于新型的SiC模塊，且符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，因此在包括汽車電子在內(nèi)的諸多高效率、小尺寸、高工作溫度的應(yīng)用中非常適用。

特性優(yōu)勢(shì)

極低的開(kāi)關(guān)損耗提高了系統(tǒng)效率

高功率密度，占地面積更小，以減少尺寸和重量

導(dǎo)熱性比硅高3倍

減少散熱器要求以實(shí)現(xiàn)更小尺寸和更輕重量

高溫運(yùn)行提高了高功率密度下的可靠性

Microchip久經(jīng)考驗(yàn)的可靠性/穩(wěn)健性、供應(yīng)鏈和質(zhì)量支持

典型應(yīng)用

工業(yè)：電機(jī)驅(qū)動(dòng)、焊接、UPS、SMPS、感應(yīng)加熱

交通/汽車：電動(dòng)汽車(EV)電池充電器、車載充電器、混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(HEV) 動(dòng)力系統(tǒng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、能量回收

智能能源：光伏 (PV) 逆變器、風(fēng)力渦輪機(jī)

醫(yī)療：MRI電源、X射線電源

商用航空：作動(dòng)、空調(diào)、配電

國(guó)防：電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、輔助電源和集成車輛系統(tǒng)

原文標(biāo)題：Microchip全新SiC功率半導(dǎo)體器件：高效率、小尺寸、高溫應(yīng)用，就選它！

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審核編輯：湯梓紅