什么是非易失性內(nèi)存(NVM)
我們?cè)趯W(xué)校學(xué)習(xí)計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)時(shí),教材上會(huì)寫著一個(gè)基礎(chǔ)知識(shí):硬盤上的數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)關(guān)機(jī)后還可以保存,而內(nèi)存里的數(shù)據(jù)在斷電后就丟失了—這就是易失的含義。近幾年,出現(xiàn)了一種新型的內(nèi)存技術(shù)—非易失性內(nèi)存。
非易失性內(nèi)存(non-volatilememory,簡(jiǎn)稱NVM)結(jié)合了傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)隨機(jī)內(nèi)存(DRAM)和閃存存儲(chǔ)(NAND)的特性。由于這項(xiàng)技術(shù)還在起步期,所以命名上有些混亂:如非易失性隨機(jī)存儲(chǔ)器(non-volatile RAM,簡(jiǎn)稱NVRAM),持久性內(nèi)存(persistentmemory,簡(jiǎn)稱PMEM)或存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(storage class memory,簡(jiǎn)稱SCM)。
但無(wú)論非易失性內(nèi)存被叫做什么,都是指的與DRAM相反,在掉電后不丟失數(shù)據(jù),讀寫性能相近,價(jià)格略低的新型存儲(chǔ)技術(shù)。這種技術(shù)有兩種不同的使用方式,一種方式是連接PCI-E或SATA作為外存使用,也就是固態(tài)磁盤,此時(shí)的NVM相當(dāng)于更快的閃存盤。另一種方式是,與傳統(tǒng)DRAM混合,或完全替代DRAM插在內(nèi)存槽位,作為計(jì)算機(jī)的內(nèi)存使用。
非易失性內(nèi)存有STT-RAM、PCM、RRAM等基于不同原理的技術(shù)方向。這些方案在訪問(wèn)延遲、密度等關(guān)鍵性能指標(biāo)上各有優(yōu)劣,其中3D XPoint內(nèi)存技術(shù)是目前比較成熟的方案,并且已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品的商業(yè)化。
3D XPoint? Optane(傲騰)是由英特爾和美光開(kāi)發(fā)的一種非易失性內(nèi)存。由于具備以下四點(diǎn)優(yōu)勢(shì),3DXpoint被看做是存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的一個(gè)顛覆者:
- 比NAND閃存快1000倍;
- 成本只有DRAM內(nèi)存的一半;
- 使用壽命是NAND的1000倍;
- 密度是傳統(tǒng)存儲(chǔ)的10倍;
英特爾認(rèn)為,這樣的性能可以讓用戶根據(jù)不同的需求來(lái)選擇新的存儲(chǔ)系統(tǒng)組合,如可以組成DRAM / 3DXPoint / NAND的三級(jí)存儲(chǔ)方案,或者是3DXPoint代替DRAM和NAND,亦或是DRAM / 3D XPoint的兩級(jí)方案,甚至也可以是3DXPoint / NAND方案。
SAP HANA如何使用NVM
2017年在奧蘭多舉行的SAP Sapphire NOW大會(huì)上,英特爾首次現(xiàn)場(chǎng)展示了其 DIMM 外形的NVM解決方案,并和SAP聯(lián)合宣布將創(chuàng)新的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)整合到SAP HANA中,使得SAP HANA成為業(yè)界首批使用這種新式內(nèi)存的企業(yè)級(jí)產(chǎn)品。
在去年發(fā)布的HANA2 SPS03版本中,HANA已經(jīng)在軟件層面提供了對(duì)NVM的支持。SAP HANA使用NVM內(nèi)存最重要的原因是,它可以像DRAM一樣進(jìn)行字節(jié)尋址,并且可以被CPU視為RAM,從而提供快速的讀寫性能。它的時(shí)延特點(diǎn)也非常接近DRAM。具體來(lái)看,NVM作為計(jì)算機(jī)內(nèi)存的一部分,專用于存放列存儲(chǔ)表的主數(shù)據(jù)段(Main data),通常這部分存儲(chǔ)占全表90-95%的數(shù)據(jù)。同時(shí),表的DELTA數(shù)據(jù)段(Delta data)會(huì)繼續(xù)存儲(chǔ)在DRAM內(nèi)存中(用于盡可能快的讀寫相對(duì)少量的數(shù)據(jù))。而對(duì)于行存儲(chǔ)表和用于計(jì)算的內(nèi)存,仍然會(huì)使用傳統(tǒng)的DRAM內(nèi)存。同時(shí),在HANA架構(gòu)中依然有數(shù)據(jù)持久層,數(shù)據(jù)仍會(huì)被寫入磁盤(可能是SSD或傳統(tǒng)磁盤)上。
使用NVM的HANA架構(gòu)
NVM特性既可以對(duì)整個(gè)HANA數(shù)據(jù)庫(kù)生效,也可以選擇性的對(duì)一些數(shù)據(jù)對(duì)象啟用,例如可以指定某些表、表分區(qū),或表的特定列啟用持久內(nèi)存,以便滿足特定的數(shù)據(jù)規(guī)劃需求。
對(duì)于一些寫操作密集的場(chǎng)景,如高并發(fā)、大壓力的OLTP應(yīng)用,之前可能會(huì)被認(rèn)為并不適合HANA。但在現(xiàn)在我們可以嘗試配置NVM固態(tài)硬盤以提升日志卷的IOPS性能,以避免出現(xiàn)日志卷的寫入性能瓶頸。
什么時(shí)候可以在HANA上使用NVM
由于HANA一體機(jī)的特點(diǎn),使用最新的NVM內(nèi)存需要的是整個(gè)軟硬件業(yè)界的共同努力。目前SAP HANA數(shù)據(jù)庫(kù)(HANA2 SPS03)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對(duì)NVM的支持,SUSE LinuxEnterprise Server(SLES)的新版本(SLES 12 SP4, SLES 15)也已經(jīng)在操作系統(tǒng)層面提供了對(duì)NVM的支持。
但是,目前英特爾至強(qiáng)處理器只支持將3D XPoint作為磁盤方式使用。而支持3DXPoint內(nèi)存方式,也就是3D XPoint DIMM的新至強(qiáng)處理器(CascadeLake)的服務(wù)器將會(huì)在不久之后大量上市。所以我們暫時(shí)還沒(méi)有在HANA服務(wù)器中見(jiàn)到使用新一代的內(nèi)存技術(shù)的產(chǎn)品。好消息是,SAP、英特爾及各家HANA的硬件合作伙伴已經(jīng)開(kāi)始測(cè)試使用這一最新內(nèi)存技術(shù)的產(chǎn)品,NVMDIMM在HANA服務(wù)器上的出現(xiàn)并不遙遠(yuǎn)。
NVM為HANA帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)
隨著人工智能、5G、自動(dòng)駕駛和虛擬現(xiàn)實(shí)的發(fā)展,企業(yè)生成的數(shù)據(jù)越來(lái)越多,在HANA中需要承載的數(shù)據(jù)規(guī)模也越來(lái)越大。在系統(tǒng)重啟后,保存在NVM內(nèi)存中的主數(shù)據(jù)段仍在內(nèi)存中,無(wú)需重新從磁盤加載,這極大加快了HANA的啟動(dòng)時(shí)間,并且降低計(jì)劃內(nèi)與計(jì)劃外系統(tǒng)停機(jī)時(shí)間。對(duì)于已經(jīng)擁有大數(shù)據(jù)量的HANA用戶來(lái)說(shuō),原先重啟之后需要等待的漫長(zhǎng)數(shù)據(jù)加載時(shí)間,現(xiàn)在可以極大的縮短了。
由于技術(shù)的不同,單條NVM內(nèi)存的容量會(huì)比傳統(tǒng)DRAM大很多。因此,對(duì)于有海量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求的用戶,將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在內(nèi)存中的可能性也相應(yīng)變大,也就會(huì)有更多的用戶能享受到HANA內(nèi)存計(jì)算技術(shù)帶來(lái)的性能提升。并且,同樣大小的NVM成本比DRAM有顯著的降低,還能夠節(jié)省用戶硬件投資的TCO。
隨著非易失性內(nèi)存相關(guān)的軟硬件技術(shù)的快速演進(jìn)和成熟,在今后的計(jì)算機(jī)架構(gòu)中,磁盤的作用和價(jià)值會(huì)越來(lái)越小,甚至被完全取代。完全基于內(nèi)存尋址設(shè)計(jì)、優(yōu)化的HANA會(huì)逐步顯示出更強(qiáng)大的活力,發(fā)揮全內(nèi)存計(jì)算的優(yōu)勢(shì),成為一種全場(chǎng)景的通用數(shù)據(jù)平臺(tái)。
作者:毛銘琪 SAP資深售前架構(gòu)師
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
19165瀏覽量
229138 -
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
2303瀏覽量
183318 -
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1677瀏覽量
136022 -
非易失性內(nèi)存
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
7瀏覽量
8626
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
評(píng)論