據(jù)相關(guān)消息報(bào)道,現(xiàn)階段臺(tái)積電正在研發(fā)更先進(jìn)的2nm制程工藝,采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),計(jì)劃將會(huì)在 2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
在先前,臺(tái)積電也公布了關(guān)于N2工藝技術(shù)的相關(guān)信息,官方稱此工藝技術(shù)將會(huì)成為首個(gè)使用GAAFET晶體管的制程節(jié)點(diǎn)。
據(jù)了解,N2工藝和N3工藝相比較芯片上的晶體管數(shù)量增加一倍,芯片密度增加約1.1倍,隨之芯片的性能也會(huì)隨之翻倍提升。
此前有消息透露稱,臺(tái)積電2nm第一期廠預(yù)計(jì)將會(huì)在2024年底前進(jìn)行投入生產(chǎn)。在2024年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),預(yù)計(jì)將會(huì)在在2025年進(jìn)行實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
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審核編輯:郭婷
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