全球首顆2nm芯片 美國聯合三星突破2nm芯片
早在2021年5月份美國的IBM公司就成功研制出2nm芯片的制造技術，2nm芯片的產生也預示著半導體行業朝著一個更高的水平發展。
據了解2nm芯片的工藝制程采用環繞柵極晶體管 （GAAFET）技術，這也是IBM首次使用底介電隔離通道，將2nm工藝與5nm相對比下，2nm的體積會更小，內含有500億個晶體管，在處理速度上得到高速提升。
2nm工藝在綜合方面也優于7nm，在性能方面提升了45%，但在耗能方面則下降了75%。
至于三星也會嘗試將GAAFET技術先布局在未來3nm工藝上，這也意味著從現在到2025年這三年時間三星將獨享此種技術工藝，這也成為了三星搶占芯片市場的重要機會。
綜合品閱網整合
審核編輯：郭婷
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發表于 03-21 15:51
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三大芯片巨頭角逐2nm技術
過去數十年里，芯片設計團隊始終專注于小型化。減小晶體管體積，能降低功耗并提升處理性能。如今，2nm及3nm已取代實際物理尺寸，成為描述新一代芯片的關鍵指標。
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