目前手機(jī)處理器的工藝制程是7nm,臺(tái)積電也即將量產(chǎn)5nm芯片,未來(lái)還有2nm甚至1nm芯片的出現(xiàn)。臺(tái)積電的研發(fā)負(fù)責(zé)人曾在談?wù)摪雽?dǎo)體工藝極限的問(wèn)題時(shí),認(rèn)為到2050年,晶體管可達(dá)0.1nm的氫原子尺度。
當(dāng)然工藝的提升因芯片、光刻機(jī)技術(shù)等方面因素受到影響。那么芯片最小能做到多少?三星電子預(yù)計(jì)在2022-2023年將量產(chǎn)3nm的硅基芯片,那么在3nm硅芯片之后就需要在新材料上得到捅破才能做更小的芯片了。
芯片制造最重要的設(shè)備就是光刻機(jī),但光刻機(jī)采用的頻率是有物理極限的,光的頻率也不可能被要求做到無(wú)限高。另一個(gè)則是制造芯片的原材料硅,芯片內(nèi)部的晶體管做的再小,也不可能比硅原子還小。
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