IBM宣布已開發(fā)出全球首個2nm工藝的半導(dǎo)體芯片,采用三層GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),首次使用底介電隔離通道,其潛在性能和電池續(xù)航能力都將得到巨大的提升。
據(jù)了解,IBM 2nm芯片的晶體管密度為333.33,幾乎是臺積電5nm的兩倍,能容納500億顆晶體管,最小元件比NDA單鏈還要小。該芯片將比當(dāng)前最先進(jìn)的7nm芯片將實(shí)現(xiàn)45%性能提升,功耗或可降低75%。
目前,IBM 2nm芯片只是制造出來了而已,距離真正實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)2nm工藝的芯片仍可能需要數(shù)年時間。
綜合整理自快科技、Lscssh科技官
審核編輯:湯梓紅
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