NP3P06MR(40V P溝道增強模式MOSFET)
1.描述
NP3P06MR采用先進的溝槽技術并設計為低門極提供優秀的RDS（ON）沖鋒。可用于負載開關和電池保護申請。
2.一般特征
* VDS=-60V，ID=-3A
RDS（開）（典型值）=123.5 mΩ@VGS=-10V
RDS(ON)（典型值）=160 mΩ@VGS=-4.5V
* 高功率和電流處理能力
* 獲得無鉛產品
* 表面貼裝封裝
3.應用程序
* 電池保護
* 負荷開關
4.包裝
SOT-23-3L
5.示意圖
審核編輯 黃昊宇
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