如本系列上一篇文章所述,6GHz 以下 5G 基站的功率需求正在推動從 LDMOS 放大器轉(zhuǎn)向基于 GaN 的解決方案。高功率密度、效率和更廣泛的頻率支持使其成為許多射頻應(yīng)用的引人注目的解決方案。正如任何嵌入式系統(tǒng)設(shè)計師都會告訴您的那樣,每種材料都需要權(quán)衡取舍。要充分利用 GaN 射頻功率放大器的全部優(yōu)勢,通常需要在方法上進(jìn)行小幅轉(zhuǎn)變,結(jié)果非常值得付出努力。
在探索設(shè)計最佳實踐之前,有必要先解決關(guān)于 GaN 的常見誤解。
對 GaN 的誤解
成本
工程界的許多人認(rèn)為 GaN 的成本過高。從狹隘的角度來看是準(zhǔn)確的;如今,GaN 的生產(chǎn)成本高于純硅或 LDMOS 解決方案。但是,這忽略了可以抵消額外系統(tǒng)成本的性能提升。性價比是評價的關(guān)鍵指標(biāo)。根據(jù)需要,GaN 可能會降低整個系統(tǒng)的總成本,因為您能夠在更小的封裝中滿足功率需求。更小的封裝不僅減少了電路板尺寸和成本,而且還減少了可以大量節(jié)省的散熱器。多頻帶和寬帶 GaN 放大器可以替代系統(tǒng)中的多個單獨的窄帶放大器,從而進(jìn)一步降低系統(tǒng)總成本。這并不是說它完全適合每個應(yīng)用程序,而是從每美元性能的角度來看,GaN 通常轉(zhuǎn)化為節(jié)省。總擁有成本是 GaN 可以展示其技術(shù)優(yōu)勢的地方。
此外,GaN 產(chǎn)量大幅增長。隨著給定基站系統(tǒng)中使用的 PA 數(shù)量不斷增加,這在大規(guī)模 MIMO 空間中非常明顯。隨著 GaN 在這些不同的子市場中獲得市場份額——5G 基站是較大的市場之一——供應(yīng)商能夠擴(kuò)大批量生產(chǎn),將供應(yīng)鏈成本降低到極具競爭力的水平。這意味著 GaN 以更便宜的價格提供更好的性能,獲得更廣泛的采用和額外的規(guī)模節(jié)省。GaN 的價格只會在未來變得更具競爭力。
并非所有 GaN 的行為都相同
存在一種誤解,認(rèn)為所有 GaN 功率放大器都足夠相似,可以商品化。依賴 LDMOS 解決方案的工程師很容易做出這樣的假設(shè)。如果您從半導(dǎo)體級別查看來自不同供應(yīng)商的 LDMOS 器件的特性,它們非常相似。在 GaN 領(lǐng)域并非如此。每個供應(yīng)商以不同的方式開發(fā)以解決 GaN 生產(chǎn)挑戰(zhàn),這意味著不同的優(yōu)勢和劣勢。因此,每個供應(yīng)商的 GaN 表現(xiàn)不同,供應(yīng)商通常有不同的解決方案來適應(yīng)他們獨特的 PA。嵌入式設(shè)計人員不應(yīng)假設(shè)他們過去使用 GaN 的經(jīng)驗適用于所有供應(yīng)商。與您的供應(yīng)商密切協(xié)調(diào),確保您充分利用每個獨特的 GaN PA。
柵極電流
嵌入式設(shè)計人員在 GaN PA 的數(shù)據(jù)表上看到了高柵極電流并產(chǎn)生了擔(dān)憂。他們假設(shè)高柵極電流會導(dǎo)致器件故障。事實是,高門并不總是意味著這是一個可靠性問題。可靠性非常依賴于技術(shù),這又回到了之前討論的內(nèi)容——并非所有 GaN 的行為都相同。通過簡單的偏置電路調(diào)整來適應(yīng)更高的電流,系統(tǒng)功率效率和密度都得到了顯著提高。
最大化 GaN 性能的設(shè)計解決方案
如前幾篇文章所述,GaN 提供了更高的功率密度、效率和頻率靈活性。然而,為了充分利用半導(dǎo)體的潛力,嵌入式設(shè)計人員應(yīng)該發(fā)揮材料的優(yōu)勢。以下是一些需要考慮的系統(tǒng)級設(shè)計實踐。
線性化設(shè)計
在采用 GaN 之前,大多數(shù)嵌入式設(shè)計人員最關(guān)心的問題是線性化。有一種看法認(rèn)為 GaN 難以線性化。在某些情況下會出現(xiàn)這種情況,但也有一些可管理的方法來解決線性化缺陷,從而減輕非線性和陷阱效應(yīng)。可以通過將設(shè)備置于理想應(yīng)用空間的系統(tǒng)設(shè)計方法或控制 IQ 漂移和跟蹤陷印效應(yīng)的軟件算法來完成。供應(yīng)商生態(tài)系統(tǒng)已經(jīng)發(fā)展以應(yīng)對這些確切的挑戰(zhàn)。
有一些工作需要完成,但回報是顯著提高電源效率。這是一個需要考慮的權(quán)衡。根據(jù)需要,一些設(shè)計人員會進(jìn)行這種交易,而其他設(shè)計人員將退回到傳統(tǒng)的 LDMOS 解決方案。
雖然 GaN 線性度改進(jìn)的機(jī)會仍然存在,但 GaN 晶體管的低漏源電容可以為寬和超寬瞬時帶寬信號提供更好的響應(yīng),從而為這些信號帶來更好的整體系統(tǒng)線性化。視頻帶寬也是 GaN 可以超越競爭技術(shù)的一個領(lǐng)域。
還值得注意的是,線性效率是通信行業(yè)的主要研發(fā)重點。由于數(shù)字處理和器件級的改進(jìn),分析師預(yù)計 GaN 線性化將在未來三到五年內(nèi)顯著改善。當(dāng)下一代 GaN 提供市場領(lǐng)先的線性度時,請不要感到驚訝。
散熱意識
GaN功率放大器在硅基技術(shù)無法達(dá)到的溫度下工作,簡化了系統(tǒng)內(nèi)的散熱和冷卻要求。然而,如果嵌入式設(shè)計人員不小心,更高的熱密度可能會帶來挑戰(zhàn),尤其是如果使用更少的GaN-PA降低了系統(tǒng)的尺寸。較小的系統(tǒng)將對意外組件施加更大的熱壓。
工程團(tuán)隊傾向于關(guān)注結(jié)溫。由于GaN-PA支持如此高的結(jié)溫,系統(tǒng)的其他部分成為限制因素。焊點是一個經(jīng)常被忽視的例子。系統(tǒng)設(shè)計需要考慮到這一點。利用GaN-PA可以在更高溫度下工作的知識,重新評估內(nèi)部可靠性要求,并在設(shè)計過程中充分利用這一點,最有利于工程師。
利用供應(yīng)商的專業(yè)知識
供應(yīng)商知道自己產(chǎn)品的理想應(yīng)用并不奇怪,但應(yīng)用工程師對射頻之外的嵌入式系統(tǒng)的了解可能會讓客戶感到震驚。為了盡可能有效,GaN-PA需要與設(shè)備的其余部分協(xié)同工作。這需要圍繞載波和峰值電壓等要素對整個產(chǎn)品進(jìn)行優(yōu)化。這在PA技術(shù)中是相當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)的,但需要注意的是,對于GaN應(yīng)用來說,存在著相同類型的交易空間。
盡管如此,一些客戶并沒有充分利用供應(yīng)商的應(yīng)用工程師團(tuán)隊。就如何最好地實施解決方案,咨詢您的GaN供應(yīng)商總是值得的。他們將知道安全地獲得PA最大性能的所有技巧。一個快速的電話,他們就會在你旁邊的實驗室工作,解決一個設(shè)計挑戰(zhàn)。
展望未來
在本系列的下一篇文章中,我們將研究一些可能在不久的將來改變基站應(yīng)用的潛在GaN創(chuàng)新。
審核編輯 黃昊宇
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