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      NP16P10G(100V P溝道增強模式MOSFET)

      batai ? 來源：batai ? 作者：batai ? 2022-07-18 09:06 ? 次閱讀

      1.描述
      NP16P10G采用先進的溝槽技術(shù)并設(shè)計為低門極提供優(yōu)秀的RDS（ON）沖鋒。它可以用于廣泛的應(yīng)用。

      2.一般特征
      * VDS=-100V，ID=-16A
      * RDS(ON)（典型值）=153 mΩ@VGS=-10V
      * RDS(ON)（典型值）=180 MΩ@VGS=-4.5V
      * 高功率和電流處理能力
      * 獲得無鉛產(chǎn)品
      * 表面貼裝封裝

      3.應(yīng)用程序
      * 負荷開關(guān)

      4.包裝
      TO-252-2L

      5.示意圖

      pYYBAGLUscmAW9KTAAFxh81af64487.png



      審核編輯 黃昊宇

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