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提高鈣鈦礦薄膜穩(wěn)定性和光學性能的新方法

華林科納半導體設備制造 ? 來源:華林科納半導體設備制造 ? 作者:華林科納半導體設 ? 2022-07-22 17:14 ? 次閱讀

鈣鈦礦led (PeLEDs)是一種新興的發(fā)光技術(shù),具有制造成本低、光質(zhì)量高和能源效率高的優(yōu)點。金屬鹵化物(指金屬與氯、溴或碘的化合物)鈣鈦礦由于其具有飽和發(fā)射色和易調(diào)色等優(yōu)異的光學性能,近年來作為一種有前景的溶液處理led材料受到了廣泛關(guān)注。

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特別是,基于無機銫離子的鈣鈦礦,即CsPbX3(其中X可以是氯、溴和碘),與有機-無機“雜化”金屬鹵化物鈣鈦礦相比,表現(xiàn)出更好的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性,從而可能為高性能led提供合理的操作穩(wěn)定性。但以往的無機pelds由于鈣鈦礦晶粒尺寸較大,其電致發(fā)光性能較差。

現(xiàn)在,中國城市大學和上海大學的一個研究團隊已經(jīng)開發(fā)出一種高效的制備方法,使無機鈣鈦礦薄膜的性能和穩(wěn)定性大大提高。他們的發(fā)現(xiàn)發(fā)表在科學雜志《自然通訊》的最新一期(2019年10月665日)上,題為“三氟醋酸鹽誘導小顆粒CsPbBr3鈣鈦礦薄膜產(chǎn)生高效穩(wěn)定的發(fā)光器件”。

研究團隊發(fā)現(xiàn),在一步溶液涂層中使用三氟乙酸銫(TFA)作為銫源,而不是常用的溴化銫(CsBr),可以快速結(jié)晶小晶粒CsPbBr3鈣鈦礦晶體,形成光滑無針孔的鈣鈦礦薄膜。這是因為CsPbX3前驅(qū)體溶液中TFA-陰離子與Pb2+陽離子的相互作用,大大提高了鈣鈦礦薄膜的結(jié)晶速度,抑制了表面缺陷。

結(jié)果,該團隊成功地制造出了基于這些薄膜的高效穩(wěn)定的綠色peled,最大電流效率為32.0 cd a -1,對應的外部量子效率為10.5%——這一水平在現(xiàn)有的peled中被普遍認為是令人滿意的。

更重要的是,基于這些薄膜的全無機鈣鈦礦led顯示了創(chuàng)紀錄的使用壽命。在初始亮度為100 cd m-2時,其半衰期超過250小時,與csbr衍生的PeLED相比,其工作壽命提高了17倍。

“我們的研究表明,通過簡單的晶界優(yōu)化,高顏色純度和低成本的全無機鹵化鉛鈣鈦礦薄膜可以開發(fā)成高效穩(wěn)定的led,”城市大學光子材料講座教授安德烈·羅格奇(Andrey Rogach)說,他是該論文的通信作者之一。

他補充說:“我預見到這類薄膜具有巨大的應用潛力,因為它們易于制造,而且可以通過印刷輕松沉積,以實現(xiàn)各種光電器件?!?/p>

該論文的另一位通信作者是上海大學的楊旭勇教授。第一作者是上海大學的王浩然和曾在城市大學做訪問研究員、現(xiàn)在吉林大學做博士后的張曉宇。

審核編輯:湯梓紅

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