加快第三代半導體技術應用，推動大中小企業融通發展。2022年7月27日，由北京國聯萬眾半導體科技有限公司主辦的主題為“SiC功率半導體產業高峰論壇”，通過線上+線下的方式成功舉辦。本次論壇活動由國家第三代半導體技術創新中心（北京）、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、北京智創華科半導體研究院有限公司、國際第三代半導體眾聯空間一同協辦，北京新材料和新能源科技發展中心、北京市順義區科學技術委員會、北京市順義區經濟和信息化局、中關村科技園區順義園管理委員會共同指導，得到了業內專家及產業鏈上下游企業的一致好評。

本次高峰論壇國聯萬眾邀請到了西安電子科技大學微電子學院副院長、國家工程中心主任馬曉華，電子科技大學教授/博導鄧小川，中國

科學院微電子研究所博士許恒宇，株洲中車時代電氣股份有限公司中車科學家新型功率半導體器件國家重點實驗室常務副主任，教授級高級工程師劉國友，中國電子科技集團公司第四十八研究所研究員級高工/高級專家周洪彪，北京天科合達半導體股份有限公司董事、常務副總經理/博士彭同華，北京晶格領域半導體有限公司總經理張澤盛，第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長趙璐冰，北京國聯萬眾半導體科技有限公司市場部部長王永維，北京智慧能源研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏，國鼎資本投資總監吳一葦，深圳市中投德勤投資管理有限公司投資總監黃慧鋒，北京國基科航第三代半導體檢測技術有限公司副總經理李艷明等13位業內專家薈聚一堂，共同探討如何加快推動第三代半導體產業向技術高端化、企業品牌化、應用泛在化、區域協同化發展，為大中小企業健康發展提供強勁引擎，促進我國企業走高質量發展道路。

北京市順義區經濟和信息化局副局長張政致辭中表示，順義區將第三代半導體產業發展作為順義三大主導發展產業之一，將繼續大力扶持第三代半導體產業聚集發展，形成第三代半導體產業全產業鏈格局，同時對順義區第三代半導體一些利好政策進行了宣講，解決企業在研發、生產、公共設施配套、市場推廣等環節的關鍵問題。

西安電子科技大學微電子學院副院長，國家工程中心主任馬曉華在報告中指出，氧化鎵是近年來在半導體材料創新上能夠實際應用的代表材料，兼具創新和產業應用的優勢，提前布局超寬禁帶半導體相關的基礎研究，從技術跟隨逐漸過渡到技術創新；由于缺乏有效的P型摻雜，提升Ga2O3器件的擊穿特性同時將犧牲器件整體的電阻和效率，要實現具有競爭優勢的應用還需要一段時間；目前國內該產業化投資過熱，未來市場預期有限，技術成熟度目前有限，同時市場尚未出現對產業化的迫切需求。

電子科技大學鄧小川教授在碳化硅功率器件特性與優勢以及可靠性研究兩大方面作了詳細報告，報告中指出目前國際上SiC功率器件面臨的技術難度正在逐步降低，隨著大尺寸SiC晶圓的發展，價格最終不會成為制約的瓶頸；在混合電動汽車、電動汽車以及智能電網等節能減排行業的大力牽引下，SiC功率器件正在逐步邁向普及化。

中國科學院微電子研究所許恒宇博士在報告中提到面向“碳中和、碳達峰”為代表的國家重大戰略要求，在要求滿足超低損耗和高可靠性的新能源汽車領域，以應用牽引為指導，提出了SiC超結MOS器件重要性；針對產業薄弱環節，亟待引進該領域制造先進的核心制備技術的必要性和急迫性。圍繞SiC超結MOS器件“理論構建、仿真設計、超結制備、工藝整合”等方面，基于SiC MOSFET開展超結MOS器件制備技術創新，明確超結外延制備技術路線，為我國新能源汽車事業和“雙碳”戰略推進提供關鍵技術支撐。

中國電子科技集團公司第四十八研究所研究員級高工/高級專家周洪彪報告中指出，隨著第三代半導體產業快速發展期到來和行業自主可控的急迫需求，國產裝備成長空間巨大；中國電科48所重點圍繞SiC全鏈條開展核心裝備開發、驗證與推廣應用，并持續迭代改進，以SiC單晶生長、高溫高能離子注入、高溫氧化/激活為代表的系列設備已實現小批量應用；加強工藝融合和行業協作，進一步推動第三代半導體國產化裝備的跨越式發展。

株洲中車時代電氣股份有限公司常務副主任、教授級高級工程師劉國友表示，SiC MOSFET成為高壓功率器件的解決方案，越來越多的企業參與其中。高壓SiC MOSFET材料、涉及、工藝技術取得很大進展并逐漸成熟，3300V及以上電壓等級的芯片和模塊逐步商業化。高壓SiC MOSFET應用于軌道交通領域，推動綠色、智能技術發展；在智能電網、飛機、船舶電驅等方面也有很好的應用前景。高壓SiC材料、工藝和封裝等全產業鏈協同，聚焦質量、成本與可靠性攻關，推動高壓SiC技術創新與規模應用。

北京天科合達半導體股份有限公司董事、常務副總經理/博士彭同華在報告中指出，從產業鏈來看，碳化硅襯底位于產業鏈上游，支撐整個產業發展，從整體性價比和發展趨勢考量，未來幾年6英寸仍將為主流；8英寸在2025年需求量開始上升增長。

北京晶格領域半導體有限公司張澤盛總經理對液相法生長大尺寸硅單晶碳進行了詳細報告，提到液相法是制備高質量硅酸鹽晶體的一種有前途的方法，低溫溶液生長法由于生長過程具有更好的可控性和穩定性，提高了產率；預估液相法可以有效地降低成本的原子襯底晶片超過30%。

第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長趙璐冰指出，在建立協同創新的產業體系和生態愿景方面，要建立明確的目標、權責清晰、體系化任務型的產學研創新聯合體，加快迭代研發，打通產業鏈條，實現核心關鍵產品國產替代，推動產業整體達到國際先進水平。建設開放、高水平的專業化國家級平臺，加強基礎材料、設計、工藝、裝備、封測、標準等國家體系化能力建設。探索構建科技金融網鏈，下游反哺上游方式帶動社會資本，探索平臺+孵化器+基金+基地以及大中小企業融通發展的合作新模式。加強精準的國際與區域合作，推進政府間合作框架下的項目合作與平臺建設，開展常態化海外項目輸送與技術轉移。

北京國聯萬眾半導體科技有限公司市場部部長王永維在報告中講到碳化硅電力電子器件需求及技術挑戰的三項共同目標，要更好的保護柵極，提高柵氧可靠性；提高器件電流密度，縮減芯片面積，降低成本；提高SiC MOSFET性能。同時指出目前SiC器件已經具備規模在新能源汽車中使用的條件。

北京智慧能源研究院功率半導體研究所副總工程師楊霏圍繞“高壓大功率碳化硅器件及其應用基礎理論研究”和“高壓大功率碳化硅MODFET及其在電力電子變壓器中的示范應用”兩大項目主題作了詳細匯報，傳統電網正向以電力電子技術廣泛應用為代表的智能電網方向發展,亟需提升器件的耐壓,通流能力和開關速度,并降低損耗.電力電子變壓器是未來智能電網核心設備之一,目前基于硅器件的電力電子變壓器體積大,損耗高,重量大,無法推廣應用。碳化硅器件具有電壓等級高,通流能力強,頻率高,損耗低等優勢,可以大幅減小設備體積與重量,降低損耗.碳化硅器件將是電力電子變壓器首選功率器件,高壓大功率碳化硅材料及器件的實用化將決定電力電子變壓器的發展未來。

國鼎資本投資總監吳一葦在報告中提到如何在風口浪尖的碳化硅產業鏈找準市場精準投資，首先要尋找碳化硅產業鏈中的成本中心，即具有定價權的襯底，設計端及MOS也是未來關注的重點，從產業鏈細化分工上來看，外延片和模組是核心關注點。SiC產業為技術驅動投資，具有長時間的投資價值。

深圳市中投德勤投資管理有限公司投資總監黃慧鋒在報告中講到由于新能源汽車和儲能的大規模商用，對功率密度和效率要求提升，在全球碳中和碳達峰的背景下，SiC會成為一種主流趨勢；SiC還是歐美日本國際廠商英飛凌、ROHM、CREE、ST等公司技術和份額主導；國內SiC廠商發展迅速，外延和襯底國產化后價格還是持續走低；國內競爭對手眾多，大家需要考慮整合資源協同發展；部分產品可以替代Si方案，當前難點還是驅動比較難需要方案級別替代；GaN技術在一定程度上可以替代部分SiC和Si的市場，需要技術創新和成本領先。

北京國基科航第三代半導體檢測技術有限公司副總經理李艷明在報告中指出充分利用順義區相關扶持政策，為碳化硅電力電子器件等企業提供高質量的第三代半導體檢驗檢測服務，不僅有利于完善順義區第三代半導體產業鏈，同時也能起到示范帶動作用，為順義區打造第三代半導體集聚區奠定良好基礎。

本次論壇同步舉辦了線上圓桌溝通會，嘉賓分別是北京新材料與新能源科技發展中心副主任蔡永香、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟副秘書長趙璐冰、中國科學院微電子研究所博士許恒宇、北京智慧能源研究院功率半導體研究所 副總工程師楊霏、中電科48所研究員級高工/高級專家周洪彪、國鼎資本投資總監吳一葦。各位專家分別從各自領域深入研討了“如何從全要素協同創新、系統發展，促進SiC產業快速發展”及“中國SiC領域的未來發展”兩大方向內容，闡述了碳化硅功率半導體產業機遇與產業鏈協同，基于我國在SiC領域做了大量的長時間技術積累，擁有完整的產業鏈及最大的應用市場，不久的將來SiC產業一定會支撐我國“碳達峰”和“碳中和”戰略，引領我國第三代半導體產業向上發展，形成億萬級市場。

本次論壇線上在線累計6169人/次聆聽專家報告，最高同時在線3295人，線下分為國創中心會場、第三代半導體材料和應用創新基地會場、順義區企業會場，累計62人線下聆聽。

本次活動為推動第三代半導體產業與特高壓、城際高速鐵路和城際軌道交通、新能源汽車充電樁等領域融合創新，促進創新產品開發、創新企業培育、創新產業發展，推動第三代半導體頂尖人才加速聚集北京順義，促進優質企業集群式發展，為加快構建以第三代半導體為核心的高精尖經濟結構提供有力支撐。